WHAT DOES バンド‐ギャップ MEAN IN JAPANESE?
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Definition of バンド‐ギャップ in the Japanese dictionary
Band gap [band gap] Energy width of forbidden band in crystal band structure. It refers to the energy difference from the top of the valence band to the bottom of the conduction band. If this width is wide, it becomes an insulator, if it is narrow it becomes a semiconductor, and the characteristics of the semiconductor are affected. Band gap. バンド‐ギャップ【band gap】 結晶のバンド構造における、禁制帯のエネルギー幅。価電子帯の上部から伝導帯の下部までのエネルギーの差を指す。この幅が広いと絶縁体、狭いと半導体になり、かつ半導体の特性を左右する。バンド間隙。
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10 JAPANESE BOOKS RELATING TO «バンド‐ギャップ»
Discover the use of
バンド‐ギャップ in the following bibliographical selection. Books relating to
バンド‐ギャップ and brief extracts from same to provide context of its use in Japanese literature.
ギャップを望むか、あるいはフォトニック結晶の三次元周期性さえ維持されていれば部分的な禁制バンドで十分であると考えるかによって、 2 種類の一般的構造を区別することができる。本書の第 I 部で述べたように、低次モードのバンドギャップは、しばしば最も ...
Jean-Michel Lourtioz, Jean-Michel Gerard, Henri Benisty, 2012
2 - 1.4 下半導体とは互-電子の王系 2 # -準盛下 7-7.4 電子配置と周期表[キーワード]半導体のバンド構造は絶縁体に似ているが,エネルギーバンドの隙間であるバンドギャップが小さいこと。前項で説明したように,バンド構造の観点から物質を 2 つに分けること ...
3
図解入門よくわかる最新太陽光発電の基本と仕組み - 82 ページ
離」太陽電池の電ンドギャップの値で決まります(式ー)。例えばバンドギャップが~五五己)の半導体の場合、吸収できるのは八〇〇 nm の可視光領域までであり、一・一一四 eV では一〇〇〇 nm までの近赤外光を吸収できます。吸収できる光の波長領域が ...
東京理科大学総合研究機構太陽光発電研究部門, 2013
2 が形成するバンドギヤップ周波数を合わせた帯域に等しく,電磁波が傾斜構造におけるそれぞれの領域を透過する過程で,格子間隔に対応する波長が ... バンドギャップ中における透過率の増加は電磁波に対する禁止帯中に許容帯が形成されたと解釈できる。
5
エクサスケールの衝撃: 次世代スーパーコンピュータが壮大な新世界の扉を開く
結晶シリコン単接合太陽光パネルにおいて、光起電力効果で光から電気に変換されるエネルギーは、バンドギャップと呼ばれる伝導帯と価電子帯間距離によって規定される。バンドギャップを超える余剰エネルギーは光ではなく熱に変換されてしまって利用でき ...
6
実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 13 ページ
さまェ市空帯価電ナ市空帯価電ナ市巳〔曰ト曰 V バンドギャップ(巳)比較的小さい曰, ,日: :巳「巳 V バンドギャップ(曰。)大金属の場合は図表 2 - 18 の左側にもありますように、一番高いェネルギーを持っ電子の価電子帯は電子ですベて満たされているわけでは ...
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メイド・イン・ジャパンの逆襲: 注目技術の核心
注目技術の核心 佐藤淳一. 色々な応用がある GaN GaN はその材料特性を生かしてノてワ-半導体以外の応用も広い半導体材料です。ここではそれらについて触れてゆきます。優バンドギャップと耐圧ます、ノヾワー半導体に応用する場合の化合物半導体の ...
8
図解入門よくわかる最新太陽電池の基本と仕組み: - 48 ページ
半導体のバンドギャップと光吸収は密接に関係が図 2 ~ 8 -ー( 8 )に示すように、入射光の光子エネルギー(hv)がバンドギャップ(E g)より小さければ、価電子帯の電子は伝導帯に飛び移ることができず、半導体は光を吸収しません。これに対して、(b)のように hv ...
東京理科大学総合研究機構太陽光発電研究部門, 2013
ここでは、このような LED の材料開発の歴史についても併せて紹介します。極バンドギャップエネルギーと発光波長 LED の発光波長〈色)は、使用している半導体のバンドギャップエネルギーで決まります。たとえば、副のバンドギャップエネルギーはー~ーー[ eV ] ...
10
電池のすべてが一番わかる - 193 ページ
福田京平. ルを端っこに追いやる力となる電界ができます。外部に負荷をつなぐと電子とホールは互いに反対方向に移動し電流となって流れます。光を照射している間、電子とホールが生まれ続けるので電流が流れることになります。○発電効率とバンドギャップ ...
10 NEWS ITEMS WHICH INCLUDE THE TERM «バンド‐ギャップ»
Find out what the national and international press are talking about and how the term
バンド‐ギャップ is used in the context of the following news items.
次世代高速電子デバイスの候補、「ビスマス半導体」
物質が半導体であるかどうかは、結晶構造の中にバンドギャップと呼ばれる電子が、存在できない領域があるかどうかが大きな意味を持つ。例えば炭素二次元構造のグラフェンは独特な物性が電子素子として期待されているものの、バンドギャップを持たない ... «ASCII.jp, Sep 15»
バンドギャップリファレンス電圧の計算
電気・電子系技術者が現状で備えている実力を把握するために開発された試験「Ｅ検定 ～電気・電子系技術検定試験～」。Ｅ検定で出題される問題例を紹介する本連載の問26は「電子回路」の分野から、バンドギャップリファレンス回路の計算に関する問題で ... «nikkei BPnet, Sep 15»
グラフェンナノリボンへのホウ素原子のドープに成功～一酸化窒素などの …
バンドギャップを生成するためのグラフェンナノリボンの研究が盛んに行われている。 ホウ素をドープしたグラフェンナノリボンの生成に成功した。 電気特性と化学特性が明らかになり、ホウ素ドープグラフェンナノリボンの分子電子デバイス研究が加速されることが ... «科学技術振興機構, Aug 15»
次世代半導体素材、グラフィンを超えてポスポリン
グラフィンは、銅より電流がよく流れるので、「夢の新素材」として脚光を浴びているが、バンドギャップがなく、電流の流れを統制するのが ... しかし、ポスポリンを利用すれば、バンドギャップを調性することができ、高性能超小型半導体素材の開発が可能になる。 «東亜日報, Aug 15»
MITなど、グラフェンを超える「スーパー半導体」で良好なFETを作成
MoS2は半導体材料(エネルギーバンドギャップがある)であり、熱的に安定で、原理的にはキャリアの移動度が高く、製造技術ではCMOSプロセスと互換性があり、電流のオン/オフ比が極めて高い。これらの性質は電子デバイスに適した特性を備えており、また ... «PC Watch, Jun 15»
広範な用途向けにワイドバンドギャップの優位性を持つSiCパワー …
STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、卓越した電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFETの新製品SCT20N120を発表しました。同製品は、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、高効率駆動機器、電源、 ... «PR TIMES, Feb 15»
グラフェンの物性制御に向け新しい「炭素－酸素結合」の構造を解明
グラフェンを利用した高機能な電子デバイスを作成するには、グラフェンの電子的性質の制御が重要になります。ほとんど電気抵抗がないグラフェンに半導体の電子的性質である「バンドギャップ」を持たせ、電流の流れを制御する方法の開発が待たれています。 «理化学研究所, Jun 14»
京大、フラーレン相当のバンドギャップを有するナノ炭素リングの作成に成功
実際に得られた[5]CPPは、空気中でも安定であると共に、種々の有機溶媒によく溶けるといった取り扱いの容易性があることが確認されたほか、バンドギャップを紫外可視吸光スペクトル、電気化学的測定、および理論計算より評価したところ、[5]CPPが ... «マイナビニュース, Feb 14»
金属型・半導体型の単層カーボンナノチューブを効率的・高純度に分離
しかし、半導体型SWCNTは直径に反比例してバンドギャップが小さくなるため、太くなると電気的性質は金属型に近づきます。そのため直径が大きくなるほど半導体型SWCNTのゲルへの吸着力は小さくなり、金属型と半導体型への分離が困難になります。 «産業技術総合研究所, Dec 13»
NIMS、酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御することに …
物質・材料研究機構(NIMS)は12月16日、超極薄酸化グラフェンを利用した高性能ナノスケール素子の実現の鍵となる、バンドギャップの制御をその場で自在に行うことに成功したと発表した。 同成果は、NIMS 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の土屋敬志 ... «マイナビニュース, Dec 13»
