Meaning of "じきていこう‐メモリー" in the Japanese dictionary

PRONUNCIATION OF じきていこう‐メモリー IN JAPANESE

					めもりー
じき	て	いこ	う	‐	メモリー
ziki	te	iko	u		memori-

WHAT DOES じきていこう‐メモリー MEAN IN JAPANESE?

Definition of じきていこう‐メモリー in the Japanese dictionary

Jijiki Memory [Magnetoresistive Memory] One of the nonvolatile memories that stores information by magnetism. Magnetoresistance effect which changes electric resistance according to magnetization direction is used. MRAM (magnetoresistive RAM).

じきていこう‐メモリー【磁気抵抗メモリー】 磁気によって情報を記憶する不揮発性メモリーの一つ。磁化の方向によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用する。MRAM（magnetoresistive RAM）。

TRANSLATION OF じきていこう‐メモリー

Find out the translation of じきていこう‐メモリー to 25 languages with our Japanese multilingual translator.

The translations of じきていこう‐メモリー from Japanese to other languages presented in this section have been obtained through automatic statistical translation; where the essential translation unit is the word «じきていこう‐メモリー» in Japanese.

• Translator Japanese - Chinese: 磁阻内存
• Translator Japanese - Spanish: Memoria magneto
• Translator Japanese - English: Magnetoresistive memory
• Translator Japanese - Hindi: Magnetoresistive स्मृति
• Translator Japanese - Arabic: ذاكرة Magnetoresistive
• Translator Japanese - Russian: Магниторезистивная памяти
• Translator Japanese - Portuguese: Memória Magnetoresistive
• Translator Japanese - Bengali: Magnetoresistive মেমরির
• Translator Japanese - French: Mémoire magnéto-
• Translator Japanese - Malay: memori magnetoresistive
• Translator Japanese - German: Magnetoresistive Speicher
• Japanese: じきていこう‐メモリー
• Translator Japanese - Korean: 자기 저항 메모리
• Translator Japanese - Javanese: memori Magnetoresistive
• Translator Japanese - Vietnamese: Bộ nhớ từ điện
• Translator Japanese - Tamil: magnetoresistive நினைவக
• Translator Japanese - Marathi: Magnetoresistive स्मृती
• Translator Japanese - Turkish: Magnetoresistive bellek
• Translator Japanese - Italian: Memoria MAGNETORESISTIVO
• Translator Japanese - Polish: Pamięć magnetyczny
• Translator Japanese - Ukrainian: Магніторезистивному пам´яті
• Translator Japanese - Romanian: Memorie magneto
• Translator Japanese - Greek: Magnetoresistive μνήμη
• Translator Japanese - Afrikaans: Magnetoresistive geheue
• Translator Japanese - Swedish: Magnetoresistiva minne
• Translator Japanese - Norwegian: Magnetoresistiv minne

10 JAPANESE BOOKS RELATING TO «じきていこう‐メモリー»

Discover the use of じきていこう‐メモリー in the following bibliographical selection. Books relating to じきていこう‐メモリー and brief extracts from same to provide context of its use in Japanese literature.

図解入門よくわかる最新電子材料の基本と仕組み: - 129 ページ

01 の半導体メモリと大きく異なる 1 ^ 10 八 I は強磁性体層を使用したメモリで磁性材料と半導体をミックスしたことが特徴です。 06 八りのキャパシタ ... 動作原理は磁気抵抗効果 155 による抵抗の差異を検出して、メモリセルとしてのデータで"と" " ! "を記録させる ...

武野泰彦, ‎佐藤淳一, 2010

図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:

抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたつの状態を示す現象を利用し、前述の P 円 AM とも似ています。その原理を図表 384 に示しておきます。 MRAM のメモリの原理(図表 3 - 8 - 4 )磁気抵抗( TMR )素子強磁性金属膜仲一(矢印は磁化の方向) '極薄膜絶縁膜 ...

佐藤淳一, 2012

これで半導体のすべてがわかる!: - 86 ページ

3 崩八 1X655 リ 6 ( X1017 スピン現象磁気抵抗効果( 88 ページ参照)のひとつの現象。图鳩^1680610 「 651511 リ 6 ^611(30^1 1 奪情帮せ赛に!ま、. ^ :や木齊曩さモリがき 1 現状のメモリは、 08 八^ !、 5 [ ^八 V そしてフラッシュが全盛を迎えています。

西久保靖彦, 2007

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 76 ページ

どちらかをそれぞれ" 0 \ 1 "とするわけです。抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたっの状態を示す状態を示す現象を利用するのは前述の? ! ^八^とも似ています。その原理を図表 8 - 29 に示しておきます。 0 众! \ ; 1 のメモリの原理(図表 8 - 29 〕磁気抵抗(丁ロ^ ! ) ...

佐藤淳一, 2011

エレクトロニクスを中心とした年代別科学技術史 - 320 ページ

磁気 19 叩し。脚ビ(日○ 8 )と○リのィンテグレーシヨン技術の開発仰 19 鉛(米)磁気抵抗幼果を利用する不攫発メモリ(蘭蜻八川)飽 z 遭○はヌ 808 (じ 6 血 0U 欧 U10 じ咽エ 6 咽 6 :ビ二 2.7 )高最近.磁性体のトンネル接合の磁気抵抗幼果を分子の繭熱性を ...

城阪俊吉, 2001

ヘネシー&パターソン コンピュータアーキテクチャ 定量的アプローチ 第5版

DRAM の改良とは別に、電力と密度の点で潜在的に有利なフラッシュメモリの重要性が増してきている。もちろんPMD では、フラッシュメモリ ... これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在の ...

ジョン・L・ヘネシー, ‎デイビッド・A・パターソン, 2015

ヘネシー＆パターソン コンピュータアーキテクチャ 定量的アプローチ 第5版

どちらのメモリも不揮発性で DRAM よりも集積度が高い。これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在のフラッシュメモリを置き換えるかもしれないが、DRAM を置き換えるのはもっと大変だ。

John L. Hennessy, ‎David A. Patterson, 2014

半導体が一番わかる - 107 ページ

デジタルデータの記憶媒体として欠かせない存在の半導体メモリーには、電源を切るとデータが失われる揮発性と、失われない ... 電圧で保存) MRAM (磁気抵抗で保存) DRAM : Dinamic Random ACCess Memory SRAM : Static Random ACCess Memory ...

内富直隆, 2014

よくわかる最新電子デバイスの基本と仕組み: 組み込みシステムにおけるCPUと基本デバイス : 組み込みハードウェアの常識

00 / ^ 1 ^ 1 ^フラッシュメモリのそれぞれの利点を合わせ持つュニ 7 ( ―サルメモリが注目されています。 ... IV —ドデイスクと同様に磁気によってデータを記憶するメモリで、スピン依存電気伝導により生じる強磁性卜ンネル磁気抵抗効果(丁 I ^ 0 :丁リ门门 61 リ ...

藤広哲也, 2006

図解入門よくわかる最新薄膜の基本と仕組み: - 185 ページ

フラッシュメモリのましたが、これらは電子を蓄えるコンデンサを薄膜卜いはリ 3 巳メモリ)や 30 力 I ドなどが普通になり線状に拡げたものです。近頃は ... 強磁性体と緑性体の組最近では卜ンネル磁気抵抗(丁 2 闩)を利用した層構造の薄膜です。を制御した強 ...

深津晋, 2011