Significado de "オームせい‐せっしょく" no dicionário japonês

PRONÚNCIA DE オームせい‐せっしょく EM JAPONÊS

おーむ
オーム	せい	‐	せ	っしょ	く
o-mu	sei		se	ssyo	ku

O QUE SIGNIFICA オームせい‐せっしょく EM JAPONÊS

definição de オームせい‐せっしょく no dicionário japonês

Contato ósmico 【contato ósmico】 O valor da resistência segue a lei de Ohm, independentemente da magnitude da voltagem ou direção da corrente na parte de contato de condutores e semicondutores diferentes. Geralmente, uma barreira com ação de retificação é formada entre o condutor e o semicondutor, mas isso significa que não pode ser visto. Contato de Ohmio.

オームせい‐せっしょく【オーム性接触】 異種の導体や半導体の接触部分において、電圧の大きさや電流の方向によらず、抵抗値がオームの法則に従うこと。一般には、導体と半導体の間に整流作用を持つ障壁が形成されるが、それが見られないものを指す。オーミック接触。

TRADUÇÃO DE オームせい‐せっしょく

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• Tradutor português - chinês: 欧姆接触的政治
• Tradutor português - espanhol: Contacto político Ohm
• Tradutor português - inglês: Ohm political contact
• Tradutor português - hindi: ओम राजनीतिक संपर्क
• Tradutor português - arabe: الاتصال السياسي أوم
• Tradutor português - russo: Ом политический контакт
• Tradutor português - português: Contato político Ohm
• Tradutor português - bengali: ওম রাজনৈতিক পরিচিতির চুল্লী
• Tradutor português - francês: Ohm contacts politiques
• Tradutor português - malaio: Ohm politik reaktor kenalan
• Tradutor português - alemão: Ohm politischen Kontakt
• japonês: オームせい‐せっしょく
• Tradutor português - coreano: 옴 탓 접촉
• Tradutor português - javanês: reaktor kontak politik Ohm
• Tradutor português - vietnamita: Ohm xúc chính trị
• Tradutor português - tâmil: ஓம் அரசியல் தொடர்பு உலை
• Tradutor português - marata: ओहम राजकीय संपर्क अणुभट्टी
• Tradutor português - turco: Ohm siyasi kontak reaktör
• Tradutor português - italiano: Contatto politico Ohm
• Tradutor português - polonês: Ohm kontakt polityczna
• Tradutor português - ucraniano: Ом політичний контакт
• Tradutor português - romeno: Ohm de contact politic
• Tradutor português - grego: Ohm πολιτική επαφή
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• Tradutor português - sueco: Ohm politisk kontakt
• Tradutor português - norueguês: Ohm politisk kontakt

10 LIVROS EM JAPONÊS RELACIONADOS COM «オームせい‐せっしょく»

Descubra o uso de オームせい‐せっしょく na seguinte seleção bibliográfica. Livros relacionados com オームせい‐せっしょく e pequenos extratos deles para contextualizar o seu uso na literatura.

白色LED照明システム技術と応用 - 119 ページ

巾)図4 金属/半導体(口-ら3〜)接敏のエネルギーバンド図お)とオーム性 1 極の概念図(匕)金属と半導体(ここでは口-〇3^ [を想定)が接触すると((ョリ—^2)し図ほ2)に示すショットキ一障壁あを有するエネルギ一バンドが形成される。図め)は一般化したオーム性 ...

田口常正, 2008

Denki Tsūshin Kenkyūjo Kenkyū Jitsuyōka Hōkoku [Electrical ...

24 No.3、263〜265 1981-5 半絶縁性 InP 上に形成したシリコン注入層へのオーミックコンタクトを、分布定数回路モデルに基づいて分析した。 Au / Ni / Au GeNi / InP 系は、良好なオーム性様相を示し、電極長 120am 以上で接触抵抗が極小値 1 ~ 2 × 10 ...

Nihon Denshin Denwa Kōsha. Musashino Denki Tsūshin Kenkyūjo, 1981

Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...

領域への低抵抗のオーム性接触の形成に広く用いられる.すなわちオーム性接触を形成すベき 0 か)領域の表面に低抵抗な^ (ビ)領域を形成し,その表面に金属を接触させる.この構造により,極めて薄い空間電荷領域の金属,半導体接触が実現し,キヤリャ一は卜 ...

James L. Davis, 2002

接地・等電位ボンディング設計の実務知識: - 18 ページ

1.3 接触電圧感電保護を行う場合,危険度を示す指標として感電電流の限界曲線を用いることは前節で述べた.電流,抵抗,電圧の関係であるオームの法則によって感電保護の指標として電流よりも電圧で考えたほうが便利な場合もある.この電圧を用いた危険度の ...

高橋　健彦, 2003

ナノメタルの応用開発 - 237 ページ

層幅を狭くする界面構造を形成しなければならない:金属とひ型及びロ型半導体を接触させた界面には,図 2 に示すようにショットキー ... を組み合わせた機構で電流が流れる 1 :オーム性電極材の役割は半導体外部から内部への電流注入,注出を容易にすることで ...

井上明久, 2008

Denkigakkai zasshi: The Journal of the Institute of ...

次に 3 であるが,通常伝導現象の観測には金厲電極が接触され,このとき電子の移動が生じて接触平衡が^される。この接触平衡が達成されるまでに ... この電流減衰過程の電界依存性は.さきに述べたように空気中ではオーム則とならず複雑な依存性を示す。

電氣學會 (1888), 1971

Journal of the Faculty of Engineering, University of ...

の半絶緣性基板上及び口形基板上に 0 チャンネルの 1 \ 415 ド 5 丁 5 を作製した。 ... また下部電極とのオーム性接触を検討するために,サンドイッチ構造の試料を作り 1 —ソ特性から評価したところ, \ 10 を用いた場合に良好な直線性が得られることが確認され ...

Tōkyō Daigaku. Kōgakubu, 1982

傾斜機能材料の技術展開 - 274 ページ

このように作製された電極材をここでは 0 八(蒸着'ァニール)オーム性電極材と呼ぶ。この方法は,いったん作製プ ... 形成は容易ではなかった。金属を 0 &八 3 に直接接触させるとフユルミ準位がピニングされ,図 4〔&)に示すエネルギー障壁高さ(ん,)カ《0マ〜0ヌ6 ...

上村誠一, ‎野田泰稔, ‎篠原嘉一, 2009

Denki Tsūshin Gakkai zasshi - 第 49 巻 - 81 ページ

について測定したもので,立上り,立下りとも約 2 此の応答を示している・逆方向負性抵抗素子についても同様の実検を行ない, ... しても特性に変化はみられなかった・実扶によれば III ,インジウムを含む再結晶周は n 形で,インジウムとは完全なオーム接触となり, ...

Denki Tsūshin Gakkai, 1966

Journal: Annual report. Series A. - 第 9～13 号 - 219 ページ

上の方法で得られる〇ポ結晶に種々の不純&カ添 18 を^ ,それらの結晶の電気的,光学的性黉に'さ十る 35 定を行ない,高効率青色注入型発光タイォードえ:現の可能性を検討する。 04 00^ 06 ?の電気的,光学的 .... 特性から判つた。又, 2115 にオーム性接触を ...

Tōkyō Daigaku. Kōgakubu, 1971