জাপানিএ エピタキシャルけっしょう‐せいちょう এর মানে কি?
জাপানি এর অভিধানে «エピタキシャルけっしょう‐せいちょう» এর
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জাপানিএর অভিধানে エピタキシャルけっしょう‐せいちょう এর সংজ্ঞা
এপিটিএক্সিয়াল বিকাশ অনুপাতিক স্ফটিক বৃদ্ধির উপবৃত্তাকার বৃদ্ধি エピタキシャルけっしょう‐せいちょう【エピタキシャル結晶成長】 エピタキシャル成長
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«エピタキシャルけっしょう‐せいちょう» এর সঙ্গে সম্পর্কিত জাপানি বই
নিম্নলিখিত গ্রন্থপঞ্জী নির্বাচনে
エピタキシャルけっしょう‐せいちょう শব্দটির ব্যবহার খুঁজুন। জাপানি সাহিত্যে
エピタキシャルけっしょう‐せいちょう শব্দের ব্যবহারের প্রসঙ্গ সম্পর্কিত বই এবং তার থেকে সংক্ষিপ্তসার।
エピタキシャル結晶成長 LED ウェーハは、単結晶基板の上に n 層、発光層、 p 層からなる LED 動作層をエピタキシャル結晶成長法で積層して作製します。主なエピタキシャル結晶成長法には、 LPE 法、 V PE 法、 MOVPE 法、 MBE 法があります。それぞれの ...
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白色LED照明システム技術と応用 - 55 ページ
これは, 031^結晶の融点が高く 02500 '(:んまた融点での平衡解離圧が非常に高い(約 45りり^!I^)ので,融液からのバルク単結晶の成長が極めて難しいためである。し力、し,サフアイア基板を用いた系エピタキシャル成長では,基板とエピタキシャル膜の格子定数 ...
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メイド・イン・ジャパンの逆襲: 注目技術の核心
ここでは現状の GaN の薄膜結晶基板の成長法を述べます。シリコン基板などにヘテロエピタキシャル成長させる方法が主流です。極薄膜結晶成長法以前から我が国ではシリコン基板上への GaN 薄膜結晶成長の研究が盛んでした。バルク結晶で作製できる ...
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Researches of the Electrotechnical Laboratory
成長した結晶中の主な残留不純物は, 0 ,じ, 51.01 などで輸送ガスの 12 は 10 〜 20 口口 111 程度混入している 125 し成長した ... 2 エピタキシャル結晶成長法低温での結晶成長法として,ェビタキシャル結晶法が注目され,主として乂族化合物半導体に適用しっ ...
Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo, 1984
... ではシリコンエピタキシャルプレ I ナトランジスタが開発されており、私はエピタキシャル結晶成長の開発と実用化に忙殺されていたが、以前から興味をもっていた過冷却融液からの結晶成長や凝固機構を調べていた。実験は夜間か休日となった。ゲルマニウム ...
Junʼichi Nishizawa, 西澤潤一, Atsuyoshi Ōuchi, 1993
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高校化学からはじめる半導体 - 128 ページ
量認融液と溶液,エピタキシー#落液の性質[キーワード]融液からの化合物半導体の成長法.基板結晶に結晶軸をそろえて結晶を作るエピタキシャル成長.金属溶液からの液相エピタキシャル成長。前項ではシリコン単結晶の作り方を紹介しました.化合物半導体の ...
河上先生に言われてやった実験は技術的意味が十分単結晶シリコンを気相還元法で成長させる技術が米国の 8 じ众から技術情報として入り、これを私の担社してからであるが、半導体素子製作においてエピタキシャル技術、すなわち素地単結晶シリコン上に ...
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図解入門よくわかる最新薄膜の基本と仕組み: - 91 ページ
日臼装置の構成成長室(超高真空環境)國超高真空(ゆお) (高純度の薄膜の形成)薄膜^國原子レベルでの膜厚制御(成長レー卜( ! "!〜1I1I71/56^)隱シャッターの開閉操作に分子線の制御(界面急峻性)エピタキシャル成長結晶系変換、格子整合系、歪み成長 ...