জাপানিএ リーク‐でんりゅう এর মানে কি?
জাপানি এর অভিধানে «リーク‐でんりゅう» এর
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জাপানিএর অভিধানে リーク‐でんりゅう এর সংজ্ঞা
লিড ট্রাঙ্ক 【ফুটা বর্তমান】 "লিক বর্তমান" বর্তমান মূলত ইলেকট্রনিক বর্তনী উপর উত্তাপ অংশ থেকে লিক। এছাড়াও, প্রপঞ্চ যে ধরনের সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, এটি প্রায়ই অর্ধপরিবাহী সমন্বিত সার্কিটের ক্ষুদ্র ক্ষুদ্রতার অগ্রগতির কারণে বর্ধিত সুড়ঙ্গের প্রভাব সৃষ্টি করে এবং এটিকে অগ্রগতি কমাতে গবেষণা করা হয়। リーク‐でんりゅう【リーク電流】 《leak current》電子回路上で本来絶縁されている部分から漏れ出す電流。また、そのような現象のこと。近年では、半導体集積回路の微細化が進んだことにより増加したトンネル効果が原因であることが多く、これを低減する研究が進められている。
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«リーク‐でんりゅう» এর সঙ্গে সম্পর্কিত জাপানি বই
নিম্নলিখিত গ্রন্থপঞ্জী নির্বাচনে
リーク‐でんりゅう শব্দটির ব্যবহার খুঁজুন। জাপানি সাহিত্যে
リーク‐でんりゅう শব্দের ব্যবহারের প্রসঙ্গ সম্পর্কিত বই এবং তার থেকে সংক্ষিপ্তসার।
この図で散らばっている点はそれぞれ製造条件の異なるトランジスタのデータであるが横軸の飽和ドレイン電流 Idsat が大きなトランジスタはリーク電流 Iof も大きいという強い相関があることが分かる。この図から公称値の 1.62 mA / / m (チャネル幅 1 / m あたり ...
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図解入門現場で役立つ電気の知識と心得: - 110 ページ
仕様外の電流を測定するときには、見合う測定器を選定するか、電流を変換させる計 18 用変流器に丁)を使用して測定します。ここで知っておか ... また、測定電流が小さい対象に関しては、リーク電流測定用の製品ならば測定できます。日置電機のクランプ ...
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情報処理教科書 エンベデッドシステムスペシャリスト 2014年版 - 192 ページ
突入電流の影響により,電源のヒューズが切れたり,接続されているほかの機器に対して一時的な電圧降下をもたらしたり,場合によってはほかの機器に瞬断を発生させたりすることが ... 半導体製造プロセスの微細化によって,リーク電流は増大する傾向がある。
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情報処理教科書 ［春期］高度試験午前I・II 2013年版 - 91 ページ
イ動作する必要のない回路ブロックへの電源供給を遮断することによって,リーク電流を減らす。ウ半導体製造プロセスの微細化によって生じるリーク電流を,プロセス技術の改良によって減らす。エ複数の電圧の電源供給によって,動作周波数の低い回路ブロックに ...
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応用情報技術者スーパー合格本: 共通キャリア・スキルフレームワークレベル3 2012年版
S を流れる電流をコントロールする電圧駆動型素子である。電圧駆動型素子である CM。S は,絶縁膜を挟んで電極ヵ浦在するため,内部抵抗値(インピーダンス)カゞ大きく,大きな電流カゞわ充れず,論理反転時の電極間の電圧差によりわずかにリーク電流カゞき ...
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これで半導体のすべてがわかる!: - 32 ページ
ゥ工ー八をすみからすみまで祈る思いで測定したのに、なんと 1 個の卜ランジスタも動作しませんでした。ド 1 \ / 105 卜ランジスタも~ 1 ^ 05 卜ランジスタも全滅でした。すべての^ 105 卜ランジスタが、完全にリーク電流(本文 182 ぺージ参照)になっていて、最も ...
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実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 20 ページ
これは、 1 々特性の飽和領域で一度飽和したドレイン電流がドレイン電圧の上昇に伴い、更に増加する現象です。また、サブスレショルド特性も\ 105 トランジスタのようなきれいな形状にはならずに、閾値電圧以下でのリーク電流が多いものになります。図表 6 ...
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図解入門よくわかる最新半導体の基本と仕組み: - 255 ページ
西久保靖彦. 8 さらなる微細化構造実現のための阻害要因の解決策'ゲー卜絶縁膜に高誘電率 0118 "一に)材料極微細化卜ランジスタでは、数门阳以下の極薄膜が必要となる。この場合ゲー卜絶縁膜をとおしてゲ一卜電流がリーク(卜ンネル電流)してしまう。
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図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:
そのため、 high - k 膜で膜厚を増やしリーク電流を低減し、一方、実効的なゲ一ト容量は維持するために、 high 一 k ゲ一ト絶縁膜が必要になりました。 high 一 k とは伯 W 一 k の逆で high - k ゲ一ト絶縁膜の必要性(図表 3 - 3 - 2 )スケーリングによるゲート酸 ...
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Handōtai, IC yōgo jiten - 229 ページ
形とド形半導体中の少数キヤリャ密度) . 81 や 63 八 8 では,他の原因によるリーク電流力^ !わる.蜂リーク電流.飽和领域(ほうわりよういき) 8&10 ) - ^ 100 1-&1!^, 8&1111-&110111-6^011 〔! ]蜂出払い領域.〔2 ]パイポーラトランジスタにおいて,エミッタ接合, ...
飯田隆彥, Hiroshi Kodera, 山賀威, 1977
