মালেএর অভিধানে germanium এর সংজ্ঞা
জার্মেনিয়াম অ ধাতব পদার্থ, অর্ধপরিবাহী, অনুঘটক ব্যবহৃত এবং ট্রানজিস্টার ডিভাইস। germanium unsur bukan logam, bersifat semikonduktor, digunakan sbg mangkin dan utk membuat peranti transistor.
মালে এর অভিধানে «germanium» এর
আসল সংজ্ঞা দেখুন এ ক্লিক করুন।
বাংলাএ সংজ্ঞার
স্বয়ংক্রিয় অনুবাদ দেখুন এ ক্লিক করুন
«GERMANIUM» এর সঙ্গে সম্পর্কিত মালে বই
নিম্নলিখিত গ্রন্থপঞ্জী নির্বাচনে
germanium শব্দটির ব্যবহার খুঁজুন। মালে সাহিত্যে
germanium শব্দের ব্যবহারের প্রসঙ্গ সম্পর্কিত বই এবং তার থেকে সংক্ষিপ্তসার।
1
Silicon-germanium Heterojunction Bipolar Transistors
A treatment of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBT), a technology that is expected to revolutionise communications.
John D. Cressler, Guofu Niu, 2002
2
Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
The contributing authors are international experts with a world-wide recognition and involved in the leading research in the field. The book also covers applications and the use of Ge for optoelectronics, detectors and solar cells.
Cor Claeys, Eddy Simoen, 2011
3
Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures: ...
Written for both students and senior researchers, the 2nd edition of Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures provides an essential up-date of this important topic, describing in particular the recent developments in ...
M. Willander, Suresh C. Jain, 2003
4
Extended Defects in Germanium: Fundamental and ... - Halaman 15
Fundamental and Technological Aspects Cor Claeys, Eddy Simoen. Slip (or glide) during plastic deformation can occur between the {111} planes 1 and 2 in Fig. 1.9 or between planes 2 and 3. In the latter case, three times more bonds have to ...
Cor Claeys, Eddy Simoen, 2008
5
Epitaxial Growth of Nitrides on Germanium
A comprehensive guide to the formation of epitaxial III-Nitrides and epitaxial Ge3N4 on germanium substrates--and solid phase epitaxy of germanium on silicon substrates--this work presents a simple but effective method for growing epitaxial ...
6
Phase Equilibrium Studies of Germanium and Silicon at ...
Extension of this work into the Ge-Si system enabled onstruction of a 150C isothermal section and a 10 mole % Si isoplethal section through the P-T-X-volume for the system. (Author).
7
Silicon Germanium: Technology, Modeling, and Design - Halaman 28
Technology, Modeling, and Design Raminderpal Singh, Modest M. Oprysko, David Harame. shrinkage for the SiGe layers used in this experiment would have predicted about 90 meV (75 meV for 10% Ge [24]), but poor material quality and ...
Raminderpal Singh, Modest M. Oprysko, David Harame, 2004
এর মাধ্যমে তা খুঁজে বের করুন 
