Bedeutung von "ぶんしせん‐エピタキシー" im Wörterbuch Japanisch

AUSSPRACHE VON ぶんしせん‐エピタキシー AUF JAPANISCH

					えぴたきしー
ぶん	し	せ	ん	‐	エピタキシー
bun	si	se	n		epitakisi-

WAS BEDEUTET ぶんしせん‐エピタキシー AUF JAPANISCH

Definition von ぶんしせん‐エピタキシー im Wörterbuch Japanisch

Bunshi-Epitaxie [Molekularstrahlepitaxie] Eine Technik zur Förderung des Kristallwachstums durch Verdampfen von Materialien wie Metallen unter Hochvakuum, Erzeugen von strahlartigen Molekularstrahlen und Bestrahlen des Substrats mit Strahlung. Eine Art Vakuumabscheidung. Es wird für das epitaxiale Wachstum für die Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet. Molekularstrahlepitaxie. MBE (Molekularstrahlepitaxie).

ぶんしせん‐エピタキシー【分子線エピタキシー】 高真空下で金属などの材料を蒸発させ、ビーム状の分子線を生成し、基板に照射することで結晶成長を促す手法。真空蒸着の一種。集積回路製作のためのエピタキシャル成長に利用される。分子線エピタクシー。MBE（molecular beam epitaxy）。

ÜBERSETZUNG VON ぶんしせん‐エピタキシー

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• Übersetzer Deutsch - Schwedisch: Meningen Sichuan epitaxi
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10 BÜCHER, DIE MIT «ぶんしせん‐エピタキシー» IM ZUSAMMENHANG STEHEN

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図解入門よくわかるナノテクノロジーの基本と仕組み: 超微細スケールの世界

0 分子線エピタキシー法― ―分? ^エピタキシー法 0 ^ 0161 :リ 13 「 86301曰| 311 : 3 乂ソ二! ^曰日)は、異なる原料を結晶基板の上に精密に制御しながら蒸着して、特殊な結晶構造を作る方法です。原子数層ごとに異なった物質を積み上げる化学気相成長法 ...

水谷亘, 2005

図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:

年代、成膜法として分子線エピタキシー法( M 。ー ecu ー ar Beam Epitaxy 二 MBE と略します)や M 。 CVD 法( Meta ー。rganic CVD の略)が開発されて実現可能になりました。ここではこの分子線エピタキシー法や M 。 CVD 法などに極簡単に触れます。

佐藤淳一, 2012

図解入門よくわかる最新薄膜の基本と仕組み: - 194 ページ

分子ビームは指向性ビーム?分子線エピタキシは分子ビームが命です。だからといってレーザー光のような指向性のビームを想像していいのでしょうか?分子線エピタキシの解説図にはたいてい蒸着源のにセルから「ちょっとばかり広がったビーム」が描いて ...

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エレクトロニクス重要用語集: 最先端キーワード 1000 - 471 ページ

実際には,シリコン基板をカソードに配し,対向して置かれたアノードとの間で放^が起きるものであるが,感光性樹脂の放電中での耐久性(選択エッチング比)や終点の確認法,プラズマによるデバィスの損侮などに注目する必要がある.分子線エピタキシー\1016 ( ; 0 ...

工業調查会. 電子材料編集部, 1985

世界に勝てる! 日本発の科学技術

なかでも圧巻だったのは、超格子作製のために自前で開発した「分子線エピタキシー装置」である。この装置は、高真空中で薄膜の原料となるガリウムなどの分子をビーム状にして基板に吹き付けることにより、基板と結晶面の向きがそろった結晶成長を実現する ...

志村幸雄, 2011

これだけは知っておきたい新素材・新材料のすべて - 50 ページ

このためには 10 〜 100 人の周期の超格子を作らなければならないが,当時の結晶成長技術ではできなかったが,その後,分子線エピタキシーなどの新技術の開発により,八 103 八 8 - 63 八 5 など超格子素子が作り得るようになった.普通の半導体結晶内の電子 ...

日刊工業新聞社. 工業材料編集部, 1989

Researches of the Electrotechnical Laboratory

と同じ 01 — V 族化合物半導体である 1 ひ?単結晶膜をガラス基板上に生成する方法を発見開発した事に就て述べる。この方法は分子線エピタキシー法( ^ ^ ^ ( :ひは! " 8631X1 お;は XV ^ ^ ^ぉ) ,液相成長法(し^ ! ! ^ ?11386 6 『 0 ^ 11 ^ !ぉ^ぉ)及び再結晶法( ...

Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo, 1988

イノベーションを起こす! 思考の壁をやぶる起業家の言葉

同大学を卒業して東洋電具製作所を設立し、その小型抵抗器の製造・販売をスタートさせた。大企業との取り引き ... そして、一九八四年には八年かけて研究・開発を続けていた MBE (分子線エピタキシー)という半導体レーザーの量産化をスタートさせる。ソニーや ...

ビジネス哲学研究会, 2011

高校化学からはじめる半導体 - 205 ページ

... 73Z プラズマ CVD・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 73Z 分子線(ビーム)エピタキシャル法... 737 閉殻... 78 平衡移動の ... 764 へスの法則- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 3 /りへテロエピタキシー 729, 738 へテロ ...

市村　正也　, 2011

“異色”創業者の発想: 勝ち抜くための12ヵ条

レットを見ても、「スパッタリング装置」「イオン打込装置」「分子線エピタキシ装置」などと、わたしなどにはさっぱりわからない代物ばかりが並んでいる。つまり、どうにもなじみにくい会社だったからだ。だが、「八○年代をリードする先端技術専門の商社」(『週刊 ...

田原総一朗, 1984