Bedeutung von "金属氧化物半导体集成电路" im Wörterbuch Chinesisch

AUSSPRACHE VON 金属氧化物半导体集成电路 AUF CHINESISCH

金	属	氧	化	物	半	导	体	集	成	电	路
	shǔ	yǎng	huà	wù	bàn	dǎo	tǐ	jí	chéng	diàn	lù

WAS BEDEUTET 金属氧化物半导体集成电路 AUF CHINESISCH

Definition von 金属氧化物半导体集成电路 im Wörterbuch Chinesisch

Integrierte Metalloxidhalbleiterschaltung, die als "integrierte MOS-Schaltung" bezeichnet wird. Eine integrierte Schaltung aus Metall-, Oxid- und Halbleiter-Feldeffekttransistoren. Einfacher Prozess, hohe Eingangsimpedanz, hohe Integration, geringer Stromverbrauch, aber niedrige Betriebsfrequenz. Hauptsächlich für digitale Schaltungen verwendet. Geteilte integrierte p-Kanal-MOS-Schaltungen und integrierte n-Kanal-MOS-Schaltung. Die beiden ergänzen sich zu einer komplementären integrierten Schaltung. Große Auswahl an Anwendungen.

金属氧化物半导体集成电路 简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路。应用广泛。

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集成电路设计VHDL教程 - 第 5 页

目前,集成电路的发展规模与技术水平己成为衡量一个国家综合实力的标志。 1 · 1 · 2 集成电路的分类早期生产的集成电路都是双极型的· 1962 年后出现了金属-氧化物-半导体( M ( ) 5 )场效应管组成的 MOS 集成电路。此后·双极型和 MOS 型集成电路 ...

史小波, ‎程梦璋, ‎许会芳, 2005

数字电子电路 - 第 57 页

上述是 CMOS 集成电路的优点, CMOS 集成电路的缺点是速度较慢。通常 CMOS 门电路的平均传输时间砧约为 5Ons ~ llOns ,随电源电压 VDD 的高低而异, VDD 高,砧值小。 2 · 3 · 1MOS 臀结构和开美特性 MOS 管是金属氧化物半导体场效应管的 ...

唐竞新, 2003

微型计算机原理及应用实验指导 - 第 17 页

章 2 第计算机基础知识及微机基本电路实验 2 · 1 逻辑电路的甚本知识集成电路按其集成度可分为小规模集成电路( SSI )、中 ... 晶体管-晶体管逻辑集成电路; ( 2 ) CMOS :互补对称金属氧化物半导体逻辑集成电路; ( 3 ) ECI , :发射集藕合逻辑集成电路。

郑学坚, 2001

逻辑设计与数字系统 - 第 69 页

数字集成电路按其内部有源器件的不同可分为两类:一类为双极型晶体管集成电路;另一类为绝缘栅场效应管集成电路,或称金属-氧化物-半导体( MOS )集成电路。两者相比,前者工作速度快、驱动能力强,但功耗大、集成度低;后者集成度高、功耗低。

刘宝琴, ‎王德生, ‎罗嵘, 2005

电子电路的计算机辅助分析与设计方法 - 第 68 页

3 · 3MOS 场效应晶体管模型 MOS 晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是目前集成电路中最常用的半导体器件。最初集成电路中 MOS 晶体管模型采用一种较为简单的一维近似模型,随着集成电路规模的不断增大和 IC 工艺的迅速发展, MOS ...

王志华, 1996

数字电路逻辑设计 - 第 28 页

上 2 其咆裘理均双极理鼻床电路在双极型集成电路中, ... 发射极辅合逻辑电路 ECL 又称电流开关型逻辑电路 CMI , ,就是一种非饱和型高速数字集成电路。 ... 2 Z Z 2 · 3MOS 宾农门电路 M ( ) S 集成门电路是以金属氧化物半导体场效应管( meIa ...

朱正伟, ‎何宝祥, ‎刘训非, 2006

数字设计基础与应用 - 第 38 页

艾缩写,是由双极型晶体三极管构成的数字集成电路, TTL 电路在 20 世纪 70 年代和 80 年代占据统治地位: ECL ( em ... 是金属-氧化物-半导体场效应晶体管( meta ... 在数字集成电路中, MOS 器件通过隔离的栅极电压控制沟道导电,实现开关功能。

邓元庆, ‎关宇, ‎贾鹏, 2005

电子电路测试与实验 - 第 206 页

概括来说,集成电路按制造工艺,可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和由二者组合而成的混合集成电路。 ... 目前,已经成熟的集成逻辑技术主要有三种, TTL 逻辑(晶体管-晶体管逻辑)、 CMOS 逻辑(互补金属-氧化物-半导体逻辑)和 ECL 逻辑(发射极藕 ...

朱定华, 2004

邮票上的物理学史 - 第 409 页

仍年代初,硅平面型晶体管问世,它作为分立器件和双极型集成电路的基础器件应用最为广阔。场效应晶体管的基本理论是肖克菜于 1952 年提出的, 19 仍年,出现了硅 MOSFET (金属-氧化物-半导体场效应管) ,它作为 MOS 集成电路器件用得也很广泛。

秦克诚, 2005

电子设计从零开始 - 第 10 页

TTL ( Transistor - TransistorLogic ,晶体管-晶体管逻辑电路) :集合了 74 系列 TTL 集成电路。 CMOS ( ComplementaryMetal - Oxide - SemiconductorTransistor ,互补型金属氧化物半导体电路) :集合了 74 和 4000 等系列的 CMOS 集成电路。

杨欣, ‎王玉凤, ‎刘湘黔, 2005