WAS BEDEUTET 晶体管 AUF CHINESISCH
Transistor
Transistor (Transistor) ist eine feste Halbleitervorrichtung, die zur Verstärkung, zum Schalten, zur Regelung, zur Signalmodulation und vielen anderen Funktionen verwendet werden kann. 1947 erfanden John Barteen, Walter Brighton und William Shockley. Zu dieser Zeit erfand Barteen, Bruton vor allem die Halbleiter-Triode, Xiao Keli erfand PN-Diode, wegen ihrer Halbleiter-und Transistor-Effekte des Nobelpreises 1956 in Physik. Der Transistor besteht aus einem Halbleitermaterial und mindestens drei Anschlüsse (Pole genannt) können mit externen Schaltungen verbunden werden. Der Transistor ändert die Ausgangsimpedanz basierend auf dem Eingangsstrom oder der Eingangsspannung, wodurch der Strom durch den Ausgang gesteuert wird, so dass der Transistor als Stromschalter wirken kann und der Transistor als ein elektronischer Verstärker wirken kann, da die Leistung des Transistorausgangssignals größer als die Leistung des Eingangssignals sein kann. Transistoren können als diskrete Komponenten verwendet werden, aber die Anzahl der Transistoren in der oberen integrierten Schaltung ist viel größer als die Anzahl der diskreten Transistoren. Wie zum Beispiel ultra-großintegrierte Schaltungen (VLSI), die mindestens 10.000 Transistoren aufweisen. ...
Definition von 晶体管 im Wörterbuch Chinesisch
Transistoren mit Germanium, Silizium und anderen Transistoren aus Elektronenröhren. Vorteile von kleiner Größe, keine Angst vor Schock, geringer Stromverbrauch, in der Funktechnologie Rektifikation, Erkennung, Verstärkung und so weiter.
10 BÜCHER, DIE MIT «晶体管» IM ZUSAMMENHANG STEHEN
Entdecke den Gebrauch von
晶体管 in der folgenden bibliographischen Auswahl. Bücher, die mit
晶体管 im Zusammenhang stehen und kurze Auszüge derselben, um seinen Gebrauch in der Literatur kontextbezogen darzustellen.
本书主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识与基本实验,涉及FET放大电路、功率放大器、模拟开关电路、振荡电路等。
体管打开了微型化的大门" ,右下角的缩微印刷文字是"贝尔实验室由肖克菜、巴丁和布拉顿组成的团队于 1948 年开发出晶体管" ,邮票画面的左部是他们的第一只晶体管的实验装置一片三角形塑料布用弹簧压在锗片表面上。同一装置也表示在图 62 - 5 ...
大的功率,您可能无法使晶体管冷却到放大器可以工作的程度。如呆有适当的措施可以使它们保持冷却,那么单对 MOSFET 不可能发送远大于 30W 的功率。为了提供更大的功率,可以把几个 N 沟道 MOSFET 并联放置,而不是使用单个 N 沟道 MOSFET 。
具有卜 PN 和 PrP 结构的"标准"晶体管称为双极晶体管,即为通常意义上的半导体三极管,它采用两种不同极性的 PN 结进行工作;单极晶体管采用相同极性的 PN 结进行工作,也称为场效应晶体管。下面分别进行介绍。下文分别用半导体三极管和场效应 ...
(四)晶体管标准规格化产品的大量应用,纵使其产品发展仍维持日新月异的研发改良,晶体管的市场生命周期已进人成熟阶段。 1948 年美国贝尔实验室的三位科学家,正式宣告发明晶体管,全球随之迈人微电子时代,自此固态化电子科技的发展一日千里。
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电路与设备测试检修技术及仪器 - 第 299 页
( 3 )电容器 C ,短路电容器 C ,短路时,发射极电阻 R 。被短路,所以发射极电压为零。这时晶体管处于深饱和状态,有很大的饱和电流流过集电极,然而由于它的电流受到负载电阻 R ,的限制,最大值为 E , / R "这样就防止了晶体管损坏。此时基极电压必定比 ...
本书主要包括双极型晶体管和场效应晶体管两部分内容,重点阐述这两类器件的基本工作原理及其各种特性和参数。另外,还介绍了常用的器件模型 ...
乓= / p7 ,若定义晶体管共基极接法时的电流放大系数为"二邱则有公= HE 很显然,此,五和叮应遵守下列原则: fE =叮十垢即叮= ( 1 一 o ) fE 斤订,那么现定义 f 一( 1 一 0 ) E ( 1 一 Q )尸一一冗兰- ,1 (1.5) (1.6) (1.7) (1.8) (1.9)则尸就是晶体管共射极接法时 ...
GTR 和 GTO 是用电流控制的自关断器件,虽然一个属晶体管类型,一个属晶闸管类型,但仍有很多共同之处,因而合并于本章讨论。其他自关断器件属于电压控制型,将于第 5 章中讨论。我们把 GTR 和 GTO 归并于一类,不仅是因为它们都属于电流控制型双 ...
提高晶体管的耐压,以避免击穿晶体管。随着半导体技术的发展,已出现多种类型的功率元件,其性能越来越好,使用越来越方便。目前常用的功率器件主要有三种类型:双极结型晶体管( GRT ) ,金属氧化物场效应晶体管( MOSFET )以及绝缘栅双极晶体管( ...
10 NACHRICHTEN, IN DENEN DER BEGRIFF «晶体管» VORKOMMT
Erfahre, worüber man in den einheimischen und internationalen Medien spricht und wie der Begriff
晶体管 im Kontext der folgenden Nachrichten gebraucht wird.
NVIDIA帕斯卡核心恐怖曝光:170亿个晶体管
当然啦,帕斯卡有16nm FinFET新工艺的加持,核心面积应该能控制住,毕竟新工艺支持立体晶体管,体积可以大大缩小,据可靠消息称只有平面型的差不多1/3,因此 ... «驱动之家, Jul 15»
0.167nm晶体管达成:摩尔定律到此为止
来自英国卫报的消息,德国PDI固体电子学研究所、日本NTT基础研究实验室、美国海军等单位,近日研制出了目前最小的晶体管,直径是167皮米(0.167nm)。 «驱动之家, Jul 15»
IBM制成7纳米芯片晶体管数量超200亿
该公司表示,他们已经开发了一种测试芯片,使用的电路尺寸远小于市面上的产品,可以在硅片上的放入更多的晶体管。分析师表示,IBM的芯片原型采用了市场期待已 ... «新浪网, Jul 15»
可生物降解的柔性硅晶体管
美国威斯康星大学的研究者们基于一种从木质中提取出来的材料,研制出了一种可生物降解的硅晶体管,为未来绿色廉价的柔性便携式电子器材打开了一扇门。 «Scientific American, Jul 15»
世界最薄晶体管:厚度仅相当于3个原子
世界最薄电子产品”的有力竞争者来了,因为它竟然只有3个原子厚。根据今日出版的《自然》杂志上的一篇论文所述,研究人员们已经发现了一种制作超薄晶体管的新 ... «cnBeta, Apr 15»
未来CPU就靠它了:只有一个原子厚的晶体管
德州大学的科学家们创造出了世界上第一个硅烯晶体管,厚度只有一个原子。利用这种晶体管,科学家未来可能有一天会制造出耗能更少、功率更快的芯片。 随着石墨 ... «驱动之家, Feb 15»
集成19亿晶体管英特尔第五代酷睿发布
【IT168 资讯】北京时间1月6日,据国外媒体报道,英特尔正式在2015年CES展会上发布了第五代酷睿处理器系列,全面升级至最新的Broadwell架构,采用最先进 ... «IT168, Jan 15»
晶体管不用硅?美国让60年前的技术复活了
近日,美国普渡大学宣布,该校研究人员成功制造出了沟道采用锗(zhe)的CMOS晶体管。世界上第一个锗晶体管诞生于1947年。但是,由于n沟道MOSFET的制作较难、 ... «cnBeta, Dez 14»
晶体管继任者大步走来忆阻器或成计算机领域新宠
普通晶体管的替代者或许能在这个10年后进入市场,这预示着传统计算机功能结构将出现彻底性的重新设计。忆阻器——过去6年间大量研究的主题——将成为一系列 ... «人民网, Jul 14»
IGBT芯片科普:中文名“绝缘栅双极型晶体管”
IGBT是一种新型功率半导体器件,中文全名“绝缘栅双极型晶体管”。它是电力电子器件中技术最为先进、应用最为广泛的第三代器件。与微电子技术中芯片技术(CPU) ... «TechWeb, Jun 14»