QUÉ SIGNIFICA エヌ‐モス EN JAPONÉS
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definición de エヌ‐モス en el diccionario japonés
Semiconductor de óxido de metal tipo N de semiconductor de óxido de metal de tipo N. MOS con corriente de carga cargada negativamente. エヌ‐モス【NMOS】 《negative-channel metal oxide semiconductor》N型金属酸化膜半導体。負の電荷を持つ電子が電流を運ぶMOS。
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10 LIBROS DEL JAPONÉS RELACIONADOS CON «エヌ‐モス»
Descubre el uso de
エヌ‐モス en la siguiente selección bibliográfica. Libros relacionados con
エヌ‐モス y pequeños extractos de los mismos para contextualizar su uso en la literatura.
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OHM電気電子情報英和・和英辞典 - 480 ページ
... テイッドウ)エヌケイエスマグニトエヌモス(エヌチャナもメタル*オキサ/ド々セミコンダクタ一 1 エヌモスアイシー(エヌチャナルメタレオキサイドウセミコンダクターインチグレノテイッドウサーキ 7 リノア一ゲイトノア一オペレノシ 3 ンノアーサーキットノットイフゼンい ...
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Joho shori yogo jiten - 406 ページ
エヌモスと銃む.関連ほ?形金厲羧《ヒ膜半導体^形半#体^々 1 ) 6 86011000 ( 1 肌ね 1 *電子が主として伝^ ^象に開与する半導体.シリコン〔 50 又はゲルマ-ユウム( ( 5 めなどの半導体中に,ほうく翻〉索( 8 ) *アルミニユウム(八 1 ) ,ガリウム,インジユウムひれ) ...
Fujitsu Kabushiki Kaisha, 1989
国務長官ひ 947 〜 49 年)。 1953 年、ノー^ ^ル平和赏。 6 ゆマースレンニコフ、ア.エヌ(筆名アルハンゲリキー)ひ 871 生) 1894 年、レーニンの『「人民の友」とはなにカリを非合法に出版。 1895 年、モス ^となり、自分の身体でおこなった輸血 44 索引.
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Biyō, hōchū wamyō honzō
ー) `真夏管埋野探さ七、毒功、こ判『) ”、〉ン言三エヌり嶽本葉涙ボニ中聴/三峡了加” “繍・,~,ス退、~^〟臓^米モス云云レ翔クルレ多訪サ俗ニウルコ量・就【則州バ-ハ}興襲[縄續木霊性)洞毒プレ氣 2 、レキラアヌ、メ潮精赫レ卿御プ長レぬ鶴、〝ブサカン・・・「崇ニ ...
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Manbyō kaishun myakuhō shinan
... 鋼ヅ闘/婦ね・梶舞ニ紙ノ病か躊川}湯【病タ”然離監野亀田清華離ス陰樹トス陰唇噛〕豚暁嵐一嵩豚嶽ノハ観鶏モス通葬者ハ岬唇, ... 慈遍此傳ぞ働衛/豚云婦人震ハ掛謝野勝久髪啓共豚小鬼の騰ゾ小エヌ嵐隷ットキー`丶、服井(ヒヨ~野ゝに一'債~》一丶縄ーバ, ...
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英和・和英情報処理用語辞典〔新3版〕 - 326 ページ
印字又は表示の位置を次の行の最初の位置に移動させる曹式制御文字.』印字位置や表示位置を次の印字行や表示行の最初の場所に移動させるための害式制御文字. ?レ^ 108 1611-111381 エヌモスひ- 0 ヒ 3 れ 1 ^ 11 ^ 05 の略. \ ! 05 の後で導人された^ ...
X —し 1 ^ 13 ^ 11 4 3 * 3 - 1.1 ^エヌリンク:通信ソフトウエアのー^ ^ \ 1 X ... 0-01131100111161310X136 8 ^ 1 1 1 ^ひ 1 1 どリ" 0 1 -エヌモス; 1 1 形金属酸化膜半導体; 0 チャネル酸化金属膜半導体:口形基板に^形ソ—スとドレイン領域を作り,ソース, ...
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国立国会図書館蔵書目錄, 昭和 44-51年 - 第 2 巻、第 2 号 - 121 ページ
め 0 ^ 9149 18)393.5 "が74-19790 40149- 1 レ-二ン運集第 3 モスクヮプログレス出版所東京ナゥカ决壳) 1998 ... タカハシ.カッユキひ 994 - ) 31 丄抑)に X 化 01 ^ ( 1879 ^ 1924 ) 1 膽 49 ^299.3 ひ 1 ) 74 - 11845 ) 40149-9 レー二ンについて下エヌ 5 カ.
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