Significado de "じきていこう‐メモリー" en el diccionario de japonés

PRONUNCIACIÓN DE じきていこう‐メモリー EN JAPONÉS

					めもりー
じき	て	いこ	う	‐	メモリー
ziki	te	iko	u		memori-

QUÉ SIGNIFICA じきていこう‐メモリー EN JAPONÉS

definición de じきていこう‐メモリー en el diccionario japonés

Memoria Jijiki [Memoria magnetorresistiva] Una de las memorias no volátiles que almacena información por magnetismo. Se usa un efecto magnetorresistivo que cambia la resistencia eléctrica según la dirección de magnetización. MRAM (RAM magnetorresistente).

じきていこう‐メモリー【磁気抵抗メモリー】 磁気によって情報を記憶する不揮発性メモリーの一つ。磁化の方向によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用する。MRAM（magnetoresistive RAM）。

TRADUCCIÓN DE じきていこう‐メモリー

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• Traductor japonés - chino: 磁阻内存
• Traductor japonés - español: Memoria magneto
• Traductor japonés - inglés: Magnetoresistive memory
• Traductor japonés - hindi: Magnetoresistive स्मृति
• Traductor japonés - árabe: ذاكرة Magnetoresistive
• Traductor japonés - ruso: Магниторезистивная памяти
• Traductor japonés - portugués: Memória Magnetoresistive
• Traductor japonés - bengalí: Magnetoresistive মেমরির
• Traductor japonés - francés: Mémoire magnéto-
• Traductor japonés - malayo: memori magnetoresistive
• Traductor japonés - alemán: Magnetoresistive Speicher
• japonés: じきていこう‐メモリー
• Traductor japonés - coreano: 자기 저항 메모리
• Traductor japonés - javanés: memori Magnetoresistive
• Traductor japonés - vietnamita: Bộ nhớ từ điện
• Traductor japonés - tamil: magnetoresistive நினைவக
• Traductor japonés - maratí: Magnetoresistive स्मृती
• Traductor japonés - turco: Magnetoresistive bellek
• Traductor japonés - italiano: Memoria MAGNETORESISTIVO
• Traductor japonés - polaco: Pamięć magnetyczny
• Traductor japonés - ucraniano: Магніторезистивному пам´яті
• Traductor japonés - rumano: Memorie magneto
• Traductor japonés - griego: Magnetoresistive μνήμη
• Traductor japonés - afrikáans: Magnetoresistive geheue
• Traductor japonés - sueco: Magnetoresistiva minne
• Traductor japonés - noruego: Magnetoresistiv minne

10 LIBROS DEL JAPONÉS RELACIONADOS CON «じきていこう‐メモリー»

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01 の半導体メモリと大きく異なる 1 ^ 10 八 I は強磁性体層を使用したメモリで磁性材料と半導体をミックスしたことが特徴です。 06 八りのキャパシタ ... 動作原理は磁気抵抗効果 155 による抵抗の差異を検出して、メモリセルとしてのデータで"と" " ! "を記録させる ...

武野泰彦, ‎佐藤淳一, 2010

図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:

抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたつの状態を示す現象を利用し、前述の P 円 AM とも似ています。その原理を図表 384 に示しておきます。 MRAM のメモリの原理(図表 3 - 8 - 4 )磁気抵抗( TMR )素子強磁性金属膜仲一(矢印は磁化の方向) '極薄膜絶縁膜 ...

佐藤淳一, 2012

これで半導体のすべてがわかる!: - 86 ページ

3 崩八 1X655 リ 6 ( X1017 スピン現象磁気抵抗効果( 88 ページ参照)のひとつの現象。图鳩^1680610 「 651511 リ 6 ^611(30^1 1 奪情帮せ赛に!ま、. ^ :や木齊曩さモリがき 1 現状のメモリは、 08 八^ !、 5 [ ^八 V そしてフラッシュが全盛を迎えています。

西久保靖彦, 2007

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 76 ページ

どちらかをそれぞれ" 0 \ 1 "とするわけです。抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたっの状態を示す状態を示す現象を利用するのは前述の? ! ^八^とも似ています。その原理を図表 8 - 29 に示しておきます。 0 众! \ ; 1 のメモリの原理(図表 8 - 29 〕磁気抵抗(丁ロ^ ! ) ...

佐藤淳一, 2011

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磁気 19 叩し。脚ビ(日○ 8 )と○リのィンテグレーシヨン技術の開発仰 19 鉛(米)磁気抵抗幼果を利用する不攫発メモリ(蘭蜻八川)飽 z 遭○はヌ 808 (じ 6 血 0U 欧 U10 じ咽エ 6 咽 6 :ビ二 2.7 )高最近.磁性体のトンネル接合の磁気抵抗幼果を分子の繭熱性を ...

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DRAM の改良とは別に、電力と密度の点で潜在的に有利なフラッシュメモリの重要性が増してきている。もちろんPMD では、フラッシュメモリ ... これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在の ...

ジョン・L・ヘネシー, ‎デイビッド・A・パターソン, 2015

ヘネシー＆パターソン コンピュータアーキテクチャ 定量的アプローチ 第5版

どちらのメモリも不揮発性で DRAM よりも集積度が高い。これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在のフラッシュメモリを置き換えるかもしれないが、DRAM を置き換えるのはもっと大変だ。

John L. Hennessy, ‎David A. Patterson, 2014

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