10 LIBROS DEL CHINO RELACIONADOS CON «极源»
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在 NMOS 晶体管中,多数载流子为电子。一个相对于衬底为正的电压加到栅极上·会增加在通道内的电子数,因而增加了通道的导电率。当栅极电压小于阐值电压时·通道为截止状态,导致漏极-源极之间电流值很小。 PMOS 晶体管的工作类似于 NMOS 管, ...
需在 MOS 管栅极、源极间加电压 V · s ,且要求 V · ,值大于某数值时导电沟道才能形成的称为增强型模式;沟道出现时对应的 V · ,称为闹值电压,用 VT 表示。在栅源间不需要加电压即在 Vh ,二 0 时,导电沟道就存在的称为耗尽型模式。 CM ( ) S 集成电路中 ...
刘宝琴, 王德生, 罗嵘. 抖山其豁嚣学雾迁嚣蕉嚣要散芒壬散散醛连接符号磁' ...
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电路与设备测试检修技术及仪器 - 第 222 页
PEAKvoLTS □□□□-□蛔囤 SERlES RESlSTORS STEPS AMFL 图 8 - 18XJ4810 型半导体管特性图示仪面板图电极电流 15 档、二极管漏电流 5 档、基极电流或基极源电压 1 档、外接 1 档) ; Oy 轴移位旋钮兼按-拉式电流/度 XO · 1 倍率开关; OXO ...
在电磁理论中,一个任意的偶极源在一个选定的参考坐标系中有 3 个分量,而每一个偶极矩分量在空间中都产生一个具有 3 个分量的电场和磁场。任意偶极源所产生的总电磁场应当是这 3 个分量作用的矢量和,此时引入并矢格林函数就可以简洁地表示出 ...
为不同值时的曲线族,且图形稳定,必须保证扫描电压亡的波形与基极电流的波形严格同步,其时间对应关系如图 2.44 所示。很明显,对应话。波形的每一个台阶, ... 基极电流或基极源电压: 0.1 V / DIV ,误差<士 3 %。外接输入: 0.1 V / DIV ,误差<士 3 %。
1 · 1 · 2 集成电路的分类早期生产的集成电路都是双极型的· 1962 年后出现了金属-氧化物-半导体( M ( ) 5 )场效应管组成的 ... M O ) S 臂是由金属-氧化物-半导体所构成的栅极、源极和漏极所形成的场效应臂,它主要靠半导体表面电场感应所产生的导电 ...
调节面板上的控制旋钮或开关,通过仪器的标尺刻度就能直接测量晶体管的共基极、共集电极、共发射极等接法的输出特性、 ... 电压, y 轴有集电极电流以及共有的基极电压、基极电流或基极源电压等) ,并通过改变信号的灵敏度,产生便于读测的偏转值。
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中国国家标准汇编 - 第 141 卷 - 第 512 页
3 · 4 · 4y 轴和 x 轴基极电流或基极源电压的测试 a @将被测图示仪 y 轴和 x 轴作用开关置于基极电流或基极源电压,级故为 10 级,阶梯幅度/级开关置于" 0 · IV /级" · y 或( x )轴显示方式开关置于"测量"位置,此时,荧光屏上有 11 个光点显示。·10、 10 ...
中国标准出版社总编室, 中国标准出版社. 编辑部, 1994
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Xue xiao zhong di ai guo zhu yi jiao yu - 第 66 页
道些文宇, 8 :還沒有把它辨認 5 來,更未能斷定其發明的年月。至於日本的文字是极源於中國文十 1 一倜字母(約在紀元前 1 1 千年前)改造而來。亚洲的印度雖在考古的文獻上發現了原始文字,但於拉丁字母,而拉丁宇母叉是极源於古希職的文字,而古希瞰 ...
Jiao yu zi liao cong kan she, 1951