जर्मन में EARLY-EFFEKT का क्या अर्थ होता है?
प्रारंभिक प्रभाव
शुरुआती प्रभाव, जिसे बेस-चौथाई मॉडुलन भी कहा जाता है, जिसे इसके शोधकर्ता जेम्स एम। अर्ली के नाम पर रखा गया है, बेस-कलेक्टर वोल्टेज यूबीसी द्वारा द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर की प्रभावी आधार चौड़ाई में परिवर्तन का वर्णन करता है, एच। बेस कलेक्टर डायोड के अंतरिक्ष प्रभार क्षेत्र का विस्तार: डब्ल्यू = एफ फ़ील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर, तथाकथित चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन की विशेषताओं में एक समान प्रभाव भी देखा जा सकता है।
जर्मनशब्दकोश में Early-Effekt की परिभाषा
विशेष ट्रांजिस्टर प्रभाव, जिसमें एक अवरुद्ध वोल्टेज के कारण ट्रांजिस्टर विशेषता मान बदल जाते हैं।
जर्मन किताबें जो «EARLY-EFFEKT» से संबंधित हैं
निम्नलिखित ग्रंथसूची चयनों में
Early-Effekt का उपयोग पता करें।
Early-Effekt aसे संबंधित किताबें और जर्मन साहित्य में उसके उपयोग का संदर्भ प्रदान करने वाले उनके संक्षिप्त सार।.
1
Mikroelektronik: Mooresches Gesetz, CCD-Sensor, ...
Dieser Inhalt ist eine Zusammensetzung von Artikeln aus der frei verf gbaren Wikipedia-Enzyklop die. Seiten: 62. Nicht dargestellt.
Quelle: Wikipedia, Bucher Gruppe,
2011
2
Elektronische Schaltungstechnik: mit Beispielen in PSpice
mit Beispielen in PSpice. gigkeit durch den Early-Effekt bzw. die Early- Spannung
beschrieben. Das Ersatzschaltbild in Abbildung 4.15 bzw. die Gleichung 4.4
berücksichtigen den Early- Effekt nicht. Ist der Ausgangswiderstand für die
Funktion ...
3
Analoge Schaltungstechniken der Elektronik
Die Berechnung mit Early-Effekt im Vergleich zum zugehörigen
Simulationsergebnis für Stromspiegel 1 ergibt für den eingeprägten Strom Iref: 1
V IQQZ = lmf —2-[1 im J VCÄQ2 = V1—R1-l‚ef = 9.75V HE EA Formel 1.7.7 Die
Stromeinprägung ...
4
Prüfungstrainer Elektrotechnik: Erst verstehen, dann bestehen
Das leichte Ansteigen der Kennlinien wird Early-Effekt genannt. Dieser Effekt hat
die folgende Ursache: Mit steigendem UCE wird die Basis-Kollektor-Sperrschicht
breiter. Dadurch wird der Basis-Bereich, in dem die Elektronen rekombinieren ...
5
Entwurf und Simulation von Halbleiterschaltungen mit PSPICE: ...
Es sind hierbei (D / -4 ' F % exp ( uB,£l A ytlp □ Up (2) und IR = — • | exp "B'C der
"normale Vorwärts-Transportstrom" eines idealen Transistors. qb ist ein
Korrekturfaktor, der die Hochstrominjektion und den Early-Effekt modelliert. ?1 qb
= y (3) ...
6
Eine Integrationstechnik auf Waferebene für ...
Schritt Eigenschaft Parameter #1 Basis-Emitter-Kapazität Cje, ^DE, ^E #2 B asis -
Kollektor-Kapazität Qc, ^c, Xp #3 Kollektor-Substrat-Kapazität Cjs, ^DS, ^s #4
Early-Effekt (rückwärts) ÖBO #5 Early-Effekt (vorwärts) ^CJC #6 Gummel-Plot ...
7
Grundkurs Leistungselektronik: Bauelemente, Schaltungen und ...
“CE > uBE 3“ aktiver Bereich uBC < 0 Wie 3, aber mit Early-Effekt Die Kollektor-
Emitter-Spannung uCE ist so hoch, dass der Basis-Kollektor-Übergang gesperrt
ist. Es existiert in Abb. 4-8 am (kollektorseitigen) pn-Übergang eine ...
8
Halbleiterphysik: Lehrbuch für Physiker und Ingenieure
Early-Effekt Je jB = const (Parameter) Bei einer Auftragung von jc über VCe (
Ausgangs-Kennlinie) gibt es wegen VCe = VcB + VEB und der Konstanz von
VEB bei jB = const ebenfalls ein konstantes jc . Die leichte Steigung im
Diagramm, die ...
9
Kompaktmodelle für Bipolartransistoren: Praxis der ...
Mit Hilfe von qB werden dabei zwei Effekte modelliert: • der Einfluss der
Sperrschichtausdehnung von BE- und BC- Übergang in die Basis auf den
Transferstrom (Early-Effekt) und • die Abweichung des Transferstromes von
idealen Verlauf bei ...
10
Mikrotechnik: Mikroelektronik, Mikrosystemtechnik, ...
Aus Wikipedia. Nicht dargestellt. Auszug: Other reasons this message may be displayed: ...http://booksllc.net/?l=de
Bucher Gruppe, Quelle: Wikipedia,
2011