"inas" शब्दकोश में मलय का अर्थ

मलय में INAS का उच्चारण

inas

मलय में INAS का क्या अर्थ होता है?

मसा

Inas

बेजर आई एन ए एस कुआला पिलाह जिले और जिले के बीच स्थित गर्भावस्था में अन्य बेजर के साथ तुलना में सबसे पुराना बेजर से एक है। नौ छोटे राज्यों के विलय के राज्य के रूप में के दौरान, बेजर आई एन ए एस जौ के रूप में जाना। यह एक प्रमुख नदी के नाम के साथ संयोजन में है जो इस ल्यूक को फैलाती है। इसकी जनसंख्या पश्चिमी सुमात्रा क्षेत्र में मिनांग्काबाउ से प्रवासियों की है कि भूमि, निवासी अन्वेषण कर रहे हैं और इस क्षेत्र में स्वदेशी लोगों के साथ शादी के होते हैं। लुक इनस का नेतृत्व दत्तक पेन्गुलू लुक करते हैं जो अपने ल्यूक में सबसे ज्यादा प्रथागत नेता हैं। प्राचीन समय में बेजर ही अधिनियम में अपनी शक्ति की वजह से कानून कहा जाता है, लेकिन सरकार से प्राप्त भत्ते के रूप में एक इनाम काफी कम है, इसलिए स्थानीय लोगों ने उन्हें देखा के रूप में नहीं बस के रूप में दातुक Penghulu बेजर छिद्रार्बुद को कानूनी शीर्षक एक 'दातुक जोहान Pahlawan Walat कुआला Dioh' है एक सील कि 1760 में जोहोर के सुल्तान कि अभी भी उन अवलंबी दातुक Penghulu बेजर छिद्रार्बुद द्वारा संग्रहीत किया जाता है द्वारा मान्यता प्राप्त है में दर्ज की गई।

Luak Inas yang terletak di antara daerah Kuala Pilah dan daerah Tampin merupakan antara Luak yang tertua dibandingkan dengan lain-lain Luak di Tanah Mengandung. Semasa penggabungan sembilan negeri-negeri kecil untuk membentuk Negeri Sembilan, Luak Inas dikenali sebagai Jelai. Ianya adalah bersempena dengan nama sebatang sungai utama yang merentangi Luak ini. Penduduknya pula terdiri daripada penghijrah dari Daerah Minangkabau di Sumatera Barat yang telah meneroka tanah, bermastautin serta berkahwin dengan Orang Asal di daerah ini. Luak Inas diketuai oleh Datuk Penghulu Luak iaitu sebagai ketua adat yang tertinggi di dalam Luaknya. Pada masa dahulu disebut juga Undang kerana kekuasaannya dalam Luaknya sama seperti Undang, tetapi kerana ganjaran berupa elaun yang diterima dari kerajaan agak rendah, maka masyarakat setempat memandang beliau tidak sama seperti Undang Gelaran bagi Datuk Penghulu Luak Inas ialah 'Datuk Johan Pahlawan Walat Kuala Dioh' seperti terakam dalam cop mohor yang diakui oleh Sultan Johor pada tahun 1760 yang masih tersimpan oleh sesiapa penyandang Datuk penghulu Luak Inas.

मलयशब्दकोश में inas की परिभाषा

में मैं; गर्दन में फेफड़े ~ एसजे बोल्डर श्रेणी के मध्य अनुभाग के मध्य में

inas I; pekung ~ sj bisul pd tengkuk.
inas II Kl bahagian tengah drpd kisaran.

का अनुवाद INAS

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मलय किताबें जो «INAS» से संबंधित हैं

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Current-phase Relationship of Nb-InAs(2DES)-Nb ...

NbO25 Gate Nb Nb Depletion layer a20nm» 2DES p-Type InAs (a) Nb a 120 nm » Nb SiO 2 p-Type InAs 2DES Depletion layer Nb (b) Gate GaAs substrate (c) Figure 2.1: Schematic cross sections of SNS Josephson junctions: (a) overlap ...

Mark Ebel, 2004

Scanning Probe Microscopy of Inas/Inp Nanowires

Bachelor Thesis from the year 2011 in the subject Physics - Other, grade: 1,0, LMU Munich, language: English, abstract: In this thesis the InAs(111)B surface and III-V semiconductor nanowires are investigated using scanning tunneling ...

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tal measurements, the major exceptions being the predictions of early theories for the GaSb/AlSb and InAs/AlSb valence-band offsets. Theoretical band offset values for the InAs/GaSb/AlSb material system are summarized in Fig. 18 and Table ...

Gerard Meurant, 1992

Handbook of Crystal Growth: Fundamentals - Halaman 493

Due to the 7% lattice mismatch between InAs and GaAs, many shapes of self-assembled QDs can be fabricated depending on growth orientations. The InAs on the GaAs(001) produces a three-dimensional island shape on the InAs with ...

Tatau Nishinaga, 2014

MOCVD Growth and Electrical Characterisation of InAs ...

It is the aim of this book to contribute towards a better understanding of the fundamental material characteristics and in particular to improve on the current understanding of the growth dynamics of InAs.

Precious Shamba, 2011

Migration from the Russian Empire: June 1889-July 1890 - Halaman 90

3NI3H3S 'QNI)IH3Sia 62 d iNAS iMzzzzyy 3nva39 'zvdos 12 J iNAS iMzzzzaa 3NVH0 '3i3na 22 d iNAS ANZzzzyy vyvs 'AXSN3yiSv fr2 d iNAS ANZZZZdd vNzrwiwa 'vxsMOiawva ZI d iNAS ANZzzzyy 3H3Si3 'NNVWiilNHOS ZZ d iNAS ...

Ira A. Glazier, 1998

Nano-Optoelectronics: Concepts, Physics and Devices - Halaman 102

4.3.1 Overview Extensive studies have been performed investigating the initial stages of InAs growth on GaAs(001) surfaces using RHEED and STM. It is widely accepted that InAs growth on GaAs(001) proceeds in a Stranski-Krastanow (SK) ...

Marius Grundmann, 2002

Semiconductor Nanostructures - Halaman 51

An early study on chemical-beam epitaxy of strained InAs quantum wells in InP matrix indicated the existence of respective growth parameters [31]. Introduction of a growth interruption after InAs deposition and prior to InP cap layer growth was ...

Dieter Bimberg, 2008

Handbook of Lasers - Halaman 240

... 128,129 InSb 5.085-5.28 J p 10 215 Optically Pumped Lase AIGaAs/AlGaAs -0.636 H p 300 77 GaAs 0.83 crystal p 300 HI GaAi 0.8365 crystal p 77 113 GaAs/AlGaAs -12.5 QW p 77 244 GaAs/InAs -0.84-0.86 SCHSSQW p, cw 77 118 GaSb ...

Marvin J. Weber, 2000

Atomistic Aspects of Epitaxial Growth - Halaman 323

Gerard, J.M., Marzin, J.Y., Zimmermann, G., Ponchet, A., Cabrol, O., Barrier, D., Jusserand, B., and Sermage, B. (1996) InAs/GaAs quantum boxes obtained by self-organized growth: Intrinsic electronic properties and applications, Solid St.

Miroslav Kotrla, 2002