definizione di ハフニウム nel dizionario giapponese
Afnio 【afnio】 Uno degli elementi del gruppo del titanio. Solo è un metallo bianchiccio. Scoperto dal minerale di zirconio. Prende il nome dal nome latino di Copenhagen Hafnia. Simbolo dell'elemento Hf numero atomico 72. Peso atomico 178,5. ハフニウム【hafnium】 チタン族元素の一。単体は灰白色の金属。ジルコニウム鉱物中から発見。コペンハーゲンのラテン語名ハフニアにちなみ命名。元素記号Hf 原子番号72。原子量178.5。
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10 LIBRI IN GIAPPONESE ASSOCIATI CON «ハフニウム»
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ハフニウム nella seguente selezione bibliografica. Libri associati con
ハフニウム e piccoli estratti per contestualizzare il loro uso nella letteratura.
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図解入門よくわかる最新レアメタルの基本と仕組み: 用途、製造技術、応用技術の基礎知識
すべて金属ハフニウムで輸入されます。ノ\フニウムはジルコン鉱石のジルコニウムに置き換わって存在し、ジルコニウム精錬の副産物として得られます。クロール法で塩化物を作り、溶媒抽出法で塩化ジルコニウムと塩化ハフニウムに分離します。
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Rikagaku Kenkyūjo hōkoku: Reports - 第 41～42 巻 - 133 ページ
リ 0 〔: 550.93 ルテチウム-ハフニウム法による年代決定法ひ) ,ジノレコニクム,メ、フニクムの分離についての検討島誠,天野貞代" 1966 年 3 月 29 曰(昭和 40 受理通去約 10 年間において,天然に存在する放射性元案の壤変を利用した地質年代決定法は,著しく ...
Rikagaku Kenkyūjo (Japan), 1965
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Journal: Pure chemistry section - 第 86 巻、第 7～12 号 - 83 ページ
ひ 963 年 10 月,昍和 38 年度東北大会(一部)講演)光核反応によるハフニウム中のジルコニウムの放射化分析(阳和 40 年 3 月 5 日受理)岡好良,加藤豊明すジルコニァ,ハフニァおよび両者の混合物を 3 本原子力研究所の? 8 子線型加速港で得られる最大 ...
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Hōkoku: Reports - 第 7 巻 - 690 ページ
さてジルコニウムとハフニゥムの分離を大規^に行い,ハフニウムを除去したジルコニウムの生産! :を大きくするためには,一つには原液の金踩濃^を大きくすることが考えられるが,この場合原液,溶媒の組成がジルコニウムとハフニウムの分離にどのような影鹆を ...
Japan. Government Industrial Research Institute. Nagoya, 1958
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元素と周期表が7時間でわかる本: エッセンスだけを効率的に学びたい!
72 Hf ハフニウム Hafnium □原子量:178.49 □形態・色:固体・灰色□密度:13310 / □融点・沸点:2230°C・5197°C □存在:ジルコン、バデレアイトなどの鉱物 ジルコニウムとは似て非なる兄弟!?同じ第4族に属する元素であるジルコニウムとよく似た性質 ...
... トリウム 88.9 ジルコニウム 91.2 ニオブ 92.9 モリプデン 95.9 テクネチウム 1991 ルテニウム 101.1 ロジウム 102.9 55 05 セシウム 132.9 56 8& 57〜71 ランタノイド 72 4 ザ 73 丁 21 74 が 75 1^6 76 05 77 ケ 6 バリウム 137.3 ハフニウム 178.5 タンタル ...
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図解入門業界研究最新半導体業界の動向とカラクリがよーくわかる本:
材料としては窒化ハフニウムシリケ—トが有力視されており、そのほかにはハフニウムアルミネ—トなども候補に挙がっています。また、フ才卜リソグラフイ#も微細化によって転換が求められる技術です。現在はフッ化アルゴンを使用していますが、四五!
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ポケット図解最新超ひも理論がよーくわかる本: poketto zukai - 15 ページ
... ロジウム龍章~篇“ 56 ー 72 73 74 プ 5 76 77` ” c 轟 Ba La Hf Ta w 野馨 05 ー「ー 329 ーー 37.33 動系列ー 78 ,隷 9 ー 8 。* 95 ー 83 , B4 ー 862 ーー船, 2 ー 9222 セシウムバリウムハフニウムタンタルタンクステンレ二ゥムオスミウムイリジウムー 04 ~?
10
Kaiyochishitsugaku nyumon - 267 ページ
... RuMRh Pd Agos Cd Sb GTei3 127 ルビジウムイットリウム| |ジルコニウム| |ニオブ|モリブデン|テクネチウム|ルテニウム|ロージウム|パラジウム| |銀|カドミウムァンチモン|テルル|ヨウ素 55 56 * 72 73 74 75 76 77 78 79 80 ・ 83 8 85 CS Bai #土類 Hf Ta Wi ...
Eugen Seibold, W.H. Berger, 1986
10 NOTIZIE DOVE SI INCLUDE IL TERMINE «ハフニウム»
Vedi di che si parla nei media nazionali e internazionali e come viene utilizzato il termine ino
ハフニウム nel contesto delle seguenti notizie.
ドイツのメモリ新興企業、SEMICON Europaに登場
酸化ハフニウム（HfO2）をベースとした強誘電体不揮発性メモリ技術の開発を手掛ける新興企業Ferroelectric Memory Company（FMC）が、ドイツ・ドレスデンで2015年10月6～8日に開催予定の「SEMICON Europa 2015」に登場する予定だ。 FMCは現在、 ... «EE Times Japan, set 15»
強誘電体薄膜を作製 超高密度メモリーなど応用期待
研究グループは、薄膜を成長させる基材の結晶構造とその格子の長さを工夫することで、15ナノメートルという薄さでも特性が劣化しない酸化ハフニウム・酸化イットリウムの強誘電体単結晶膜作製に成功した。酸化ハフニウムと酸化イットリウムの粉末を混ぜ ... «マイナビニュース, lug 15»
MITなど、グラフェンを超える「スーパー半導体」で良好なFETを作成
試作したMOS FETは、チャンネル材料がMoS2、ソースとドレインの材料がグラフェン、ゲート絶縁膜がハフニウム酸化膜、基板はp型シリコン、基板とチャンネルの間はハフニウム酸化膜による絶縁構造、などで構成される。 ソースとドレインにグラフェンを採用し ... «PC Watch, giu 15»
スタンフォード大、非シリコン製のメモリ-論理回路密着型チップを開発 …
もう1つの技術的な躍進は、メモリの素材で、こちらもシリコンではなく、窒化チタニウムと酸化ハフニウム、およびプラチナを用いRRAM(Resistive RAM)を採用した。RRAMも現行のDRAMより消費電力が少なくて済むが、より低い温度で製造できるという特徴も ... «PC Watch, dic 14»
うすーいとあるコーティング技術によって、冷房いらずの夏がくる
研究者はこれを、ダブルパンチの光子放射性クーリングと呼んでいます。その素材とは、厚さたった1.8ミクロンのアルミホイルよりもうっすーいコーティング。これは、二酸化ケイ素と酸化ハフニウムの7つの層が、銀の1層の上に乗っかっているという、8つの層から ... «ギズモード・ジャパン, dic 14»
金属アレルギーの方に朗報！東京ダイヤ、金属アレルギーにならない …
東京ダイヤモンド株式会社では、金属アレルギーの心配のない素材として、稀少金属であるハフニウムやタンタルを用いた指輪の受注生産を行っている。 これらの素材の取り扱いが日本唯一ということもあり、日本全国から、さらには国外からの注文も増えている ... «ValuePress!, ott 14»
東京ダイヤ、金属アレルギーにならないレアメタル素材の結婚指輪を発表
素材として用いられているレアメタルは、タンタル、ニオブ、ハフニウム、ジルコニウムといったバルブメタルと呼ばれる金属群である。 ... 加え、また黒色のタンタルが結婚指輪の素材として馴染めない方の為に、白金に近いハフニウムを、ラインナップに加えている。 «ValuePress!, nov 13»
アモルファス金属酸化物の構造に単純な秩序があることを提案
(a)第一原理計算で求めたアモルファス構造の二酸化ハフニウム（ハフニアとも呼ばれる）の原子配列。青と赤の球はそれぞれハフニウムと酸素の原子を表す。(a)の構造は(b)ハフニウムと(c)酸素それぞれのランダム充填構造が組み合わさってできている。 «産業技術総合研究所, set 13»
32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
それも浮遊ゲートと制御ゲート(コントロールゲート)の間の絶縁膜に高誘電率材料(ハフニウム酸化物系のHK材料)を採用し、制御ゲートに金属材料(タングステン)を導入した。さらに浮遊ゲート(多結晶シリコン)を極めて薄くした。こうすると浮遊ゲートと制御ゲートの ... «PC Watch, feb 13»
ハフニウムフラットチューブ型制御棒のひびに係る報告に対する確認結果 …
原子力安全・保安院（以下「当院」という。）は、ハフニウムフラットチューブ型制御棒のひびに係る各事業者からの報告について、別添のとおり確認し、確認結果をとりまとめましたので、お知らせします。なお、全ての事業者において、現在、ハフニウムフラット ... «経済産業省, set 12»
