CHE SIGNIFICA 沟道 IN CINESE
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definizione di 沟道 nel dizionario cinese
Trench 1. Linee o canali scanalati simili a scanalature. 2 si riferisce al monumento inciso trogolo di Yinwen. 沟道 1.低凹如沟状的纹路或通道。
2.指碑上刻出的阴文线槽。
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10 LIBRI IN CINESE ASSOCIATI CON «沟道»
Scopri l'uso di
沟道 nella seguente selezione bibliografica. Libri associati con
沟道 e piccoli estratti per contestualizzare il loro uso nella letteratura.
由 N 沟道 MOS 管、 P 沟道 MOS 管和 N 、 P 沟道 MOS 管的结合,可分别构成 NMOS 门电路、 PMOS 门电路和 CMOS 门电路。 2.5.1 MOS 场效应管及其开关特性 MOS 场效应管(以下简称 MOS 管)按所用材料可分为 P 沟道和 N 沟道两大类,由于采用 ...
SiCh 田 4.3 · lNMOS 答结构示袁图 M ( ) S 管按其沟遭和工作类型可分成以下四种。( l ) N 沟道增强型 N 沟道增强型场效应管的结构图见图 4 · 3 · 1 。它用 P 型材料作基片(村底) ,源区和漏区是 N 型掺杂的扩散区。当栅极电压(严格地说,是栅极对源极的 ...
JFET 的 Jo - Us 关系从线性转入饱和,是因为沟道两侧有随着 Us 的上升而成楔形扩展的空间电荷区,空间电荷区的楔形扩展使导电沟道一端被夹断。如果增强型 MOSFET 的 Jo 饱和也与沟道的一端被夹断有关,那么沟道是怎样随着 Us 的上升而收缩, ...
1 · 1 · 5 短沟效应随着半导体工艺水平的提高,器件的尺寸越来越小,目前的沟道最小长度已经小于 gOnm ,沟道长度为 0 · 25 卜 m 、 O · 18 厂 m 的工艺己经相当普遍。减小器件尺寸可以提高电路的速度和集成度,但同时也给器件的特性带来了影响,通常 ...
W / L 应改写成甚嘉,于是饱和区沟道电流 fDs 的表达式( 2 · 35 )应改写成/Ds =凸凹( V 。 s 一 VTE ) 2 ( I 十 AVB ) 2L 从上述的讨论可知,一级 MOS 晶体管直流模型( MOS1 模型)有以 0 强反型时的表面势垒高度 PB ( PHI ) ; 0 本征跨导 Kp ( KP ) ; 0 衬底 ...
当加上负的栅极电压时, N 型导电沟道变浅。栅压负到一定数值,以致把这条电子导电沟道全部耗尽完了时,该 MOS 管才不能导通,故有耗尽型之称。将沟道刚耗尽完的栅压叫做夹断电压 V 品。( 4 ) P 沟道耗尽型-这种场效应管的栅压为 0 时,仍有 P 型沟道 ...
在数字集成电路中, MOS 器件通过隔离的栅极电压控制沟道导电,实现开关功能。 NMOS 管是 N 沟道 MOS 管的简称,其结构是在 P 型半导体上制作两个 N 型电极(源极 S 和漏极 D )和一个隔离的金属栅极 G 。当栅源电压屹 s 大于开启电压巧(闽值电压) ...
A.7 场效晶体管场效晶体管按结构的不同可分为结型和绝缘栅型;按工作性能可分为耗尽型和增强型;按所用基片(衬底)材料不同,又可分为 P 沟道和 N 沟道两种导电沟道。因此,有结型 P 沟道和 N 沟道,绝缘栅耗尽型 P 沟道和 N 沟道及增强型 P 沟道和 N ...
朱定华, 吴建新, 饶志强. 达到控制漏极电流砧的目的。对 N 沟道增强型的 MOS 场效应管,当 UGs = 0 时,在漏极和源极的两个 N "区之间是 P 型衬底。因此漏、源之间相当于两个背靠背的 PN 结。所以,无论漏、源之间加上何种极性的电压,总是不导通的, ...
当栅极电压(严格地说·是栅极对源极的电压)增加到一定数值(即开启电压 VT )时,在栅极下面的衬底表面形成 n 型电子导电沟道。故称为 n 沟道场效应管或 NMOS 管。随着正栅压的增加,导电沟道扩大(增 51 ) ,所以称为增强型。由于 NMOS 管沟道中的载 ...
10 NOTIZIE DOVE SI INCLUDE IL TERMINE «沟道»
Vedi di che si parla nei media nazionali e internazionali e come viene utilizzato il termine ino
沟道 nel contesto delle seguenti notizie.
ST MDmesh M2系列的N－沟道功率MOSFETs再增
ST MDmesh™ M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决 ... «华强电子世界网, set 15»
窥视月球表面神秘洞穴：温度恒定没有辐射
美国宇航局试图利用“天窗”来探索月球表面下的洞穴和熔岩沟道。科学家们正在研制一种摄像技术，该技术使用激光将光线散射到洞穴内部，从而得出藏在月球表面下 ... «新浪网, ago 15»
刘老庄连：８２烈士书写悲壮抗战传奇
在苏北这样的平原水网地带，４连唯一可用来打阻击的工事就是交通沟。这种被当地群众称为“抗日沟”的交通沟，就是在地面上挖半人多深的沟道。 为了拖住敌人，争取 ... «新华网, ago 15»
安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
5月19日消息，推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)，针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广的 ... «慧聪网, mag 15»
罗姆将量产采用沟道构造的SiC功
罗姆2015年4月23日宣布，开发出了采用沟道构造的SiC（碳化硅）功率MOSFET，并将开始量产。该公司介绍称，“这是全球首次量产沟道型SiC功率MOSFET”。新产品 ... «集微网, apr 15»
省级老领导对延安“治沟造地”工程交口称赞（组图）
治沟造地，是延安市针对黄土高原丘陵沟壑区特殊地貌，集坝系建设、旧坝修复、盐碱地改造、荒沟闲置土地开发利用和生态建设为一体的一种沟道治理新模式，是增 ... «三秦都市报, set 14»
Vishay发布业内首款采用热增强PowerPAK® SC-70封装的150V N沟 …
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。 «电子产品世界, mag 14»
兰州地铁1号线施工现场发生塌方事故致2人死亡
... 地铁1号线施工工地东方红广场段进行污水管道改造作业，两名工人在沟道内准备铺设管道时发生塌方。现场开挖的沟道深约3米，塌方土方将沟道掩埋近一半深。 «凤凰网, apr 14»
要植被还是要粮食？治沟造地让陕北老乡不再纠结
记者在子长县西山沟造地区域看到，原本起伏的沟道平整成了大片田地，沟道两边的山坡上种满了树。 西部网讯（记者王莹） “退耕还林”大家并不陌生，但如果一个县 ... «西部网, apr 14»
宁夏灭门案嫌犯指认现场曾当过兵刀刀致命
... 的甘肃平凉、宁夏固原的主要路口和重点路段设立24小时不间断盘查卡点，组织民警、武警及红河乡、村干部，对文沟村周边的山地、沟道进行全方位、地毯式搜查。 «新华网, ott 13»
