«メモリー‐セル»に関連する日本語の本
以下の図書目録から
メモリー‐セルの使いかたを見つけましょう。
メモリー‐セルに関する本と日本語文献で使われた文脈を提供するための簡単な抜粋文。
戦時の回想から、仕事、家族、世の移り変わりまで、普遍的なテーマを親しみやすい表現と個性的な切り口で綴ったエッセイ集。
半導体デバイスの中でも半導体メモリーは、携帯電話やデジカメなどの記憶媒体として身近な存在です。さまざまな ... DRAM はメモリーセル(記憶単位)がトランジスターとコンデンサが各 1 個と小さいので、集積度が高くでき、低価格で大容量メモリーがつくれる ...
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図解入門よくわかる最新無線工学の基本と仕組み: - 92 ページ
悪ワ 3 個製ンスムサ埴製芝陳例の一リモメユシッラフ電源を切ってもデータが~~消えない、書き換え可能~ ~〝な半導体メモリ。 ... httD ご/ / jaDan ' Cnet ' c 。 m /サムスン製 m DRAM の仕組み図 3 ' 7 ' 4 は、 DRAM のメモリ一・セルという部分の構造図です。
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図解入門よくわかる最新半導体の基本と仕組み: 半導体/LSIテクノロジー入門
し 31 メモリの基本構造や動作はどうなっているか? ^ 1(^111(0110 メモリセル、ワード線、ビット線、電荷、選択卜ランジスタ、リフレッシュ動作代表的な半導体メモリ(記憶素子)に、 08 八! VI ( : ^门 3 巾^ ^ ! ^ )があります。 0 8 / XIV !のメモリセルは、^ 03 卜 ...
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これで半導体のすべてがわかる!: - 76 ページ
動作メモリセル記憶素子を構成する基本単位。メモリはメモリセルの集合体と考える。ワード線メモリセルブロック(メモリは、ワード行 X ビッ卜列のマ卜リクスからできている)の中からワード行の 1 列を選択するための制御信号線。ビッ卜線メモリセルブロックの中 ...
822 - 1 メモリーアレイ 016010 ひ 3 び 3 ゲメモリ一セルアレイまたは記憶アレイ, ,杞憶セルアレイともよぶ. ,メモリ一セルを产?方向,列方向または行列方向に規則的にお列したメモリ一. 80 \ 1 ,尺八\ 1 などの,半導体メモリ一では,メモリ一セルを行列方向に規則 ...
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エッセンシャル18000メディカル語日本語辞書: Essential 18000 Medical Words ...
メモリは、抗原特異CBまたはT細胞クローンにおいて増加サイズによって与えられるだけでなく、クローン内の個々の細胞の機能を向上させることができます。 10826 メモリセル B細胞リンパ球から産生され、それらは以前に遭遇した抗原、長期的に認識する ...
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Mac Fan 2014年9月号: - 169 ページ
また、SSD にはそれらのフラッシュメモリを制御する「SSDコントローラ」と、データを一時記憶するキャッシュメモリとしてRAM(ランダム ... メモリセルにはフローティングゲートと呼ばれる絶縁膜で囲まれた場所があり、ここに電子が入っている状態と、いない状態とを ...
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Write Great Code〈Vol.1〉 ハードウェアを知り、ソフトウェアを書く:
このことから、フラッシュメモリ方式は、 PDA やデジタルカメラ、 MP3 プレーヤ、ポータブルレコーダといったバッテリ駆動のポータブルデバイスには ... つまり、フラッシュメモリモジュール内にある各メモリセルには、ある一定の回数しか書き込むことができません。
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教えて？わかった！ ディジタル電子回路 - 175 ページ
アドレスの確定で,読み/書き(R/V)信号が入力され,実行条件が成立すれば,メモリデータにアクセスできる. ○ SRAM SRAM1 個のメモリセルを図 10 ・ 6 に示す。同図の FET ○ , Qc は NAND 素子で RS - FF を構成する.アドレス線- -が正論理で「 1 」と 10・6 ...
用語«メモリー‐セル»を含むニュース項目
国内外の報道機関が語った内容や、次のニュース項目の文脈から
メモリー‐セルという用語がどのように使われているかを調べてみましょう。
米Intelと米Micronが新不揮発性メモリー「3D XPoint」を発表、NANDより …
これまでのフラッシュメモリーが、メモリーセルに「電荷」を蓄えることでデータを表していたのに対して、新世代不揮発性メモリーはメモリーセルの「抵抗値」を変えることでデータを表す。その方式としては、「相変化膜」をヒーターによって加熱することで抵抗値を変化 ... «ITpro, 7月 15»
東芝がついに3次元NANDをサンプル出荷、年内量産
サンプル出荷を始めたのは、メモリーセルを48段積層した128Gビット品。2ビット/セル（MLC：multi-level cell）の多値化技術を導入した。128Gビットというメモリー容量は、現行の平面構造のNANDフラッシュメモリーの最大容量に相当。チップ面積は同じメモリー ... «Tech On!, 3月 15»
ルネサス、車載マイコンを狙って200MHzでアクセス可能な28nm …
同社は1年前に、車載マイコンへの搭載を狙って開発した28nmフラッシュメモリーIPについて一度発表している（日経テクノロジーオンライン関連記事）。SG-MONOS（split gate metal-oxide-nitride-oxide-silicon）と呼ぶ独自のメモリーセル構造を持つ、埋め込め ... «Tech On!, 2月 15»
半導体メモリー、この1年――微細化へ原点回帰、新メモリーは停滞
NANDでは、市場シェア首位の韓国Samsung Electronics社が2013年に3次元NANDの量産を開始（関連記事1）。3次元NANDは、多段積層したメモリーセル（記憶素子）を一括プロセスで形成するという方法で、微細化に頼らずに大容量化と低コスト化を実現 ... «Tech On!, 12月 14»
32層積層へ進化した「V-NAND」、そのコスト競争力はいかに？
[画像のクリックで拡大表示]. 第2世代のV-NANDでは、第1世代と同様に設計ルールが30～40nmのメモリーセルを積層しているとみられる。設計ルールの値は明らかにしていないが、現行の露光装置の1回露光の解像限界である38nm程度に設定しているようだ ... «Tech On!, 7月 14»
半導体、微細化もう限界 高性能化のカギ握る「３次元」
現在最も微細化が進んでいるICはNANDフラッシュメモリーである。トランジスター1個で構成するメモリーセルの寸法（ハーフピッチ）はわずか16nmという水準である。これ以上に微細化を進めることは、技術的にもコスト的にも難しく、次の世代ではメモリーセルを ... «日本経済新聞, 2月 14»
NANDフラッシュメモリー
従来のNANDフラッシュメモリーは、電子を蓄積するメモリーセルの寸法を平面（2次元）方向に縮小する方法で、大容量化と低コスト化を進めてきた。現在、メモリーセルの最小加工寸法は16nm世代まで縮小されている。ところがこれ以上微細化しようとすると、 ... «Tech On!, 1月 14»
微細化に頼らずに半導体を進化させる
現在最も微細化が進んでいるICはNANDフラッシュメモリーであり、トランジスタ1個で構成するメモリーセルのハーフピッチはわずか16nmという水準である。これ以上微細化を進めることは技術的にもコスト的にも難しく、次の世代ではメモリーセルを立体的に積層 ... «Tech On!, 1月 14»
サンディスク、1Ynmプロセスフラッシュメモリーのサンプル出荷開始
サンディスクは5月21日（米国現地時間）、1Ynmプロセス技術に基づくフラッシュメモリー製品の顧客向けサンプルの出荷を開始した。 19nm製造技術の第2世代となる1Ynmプロセス技術によって、メモリーセルのサイズを19nm×26nmから、19nm×19.5nm ... «ASCII.jp, 5月 13»
慶應義塾大学
同チームは、今回、１）フラッシュメモリー注２）の寿命を最大１０倍（実験値）に延ばすことができる誤り訂正回路、２）メモリー ... また記憶媒体としてのＳＳＤの大容量化は研究開発上の大きな目的ですが、これを果たすためにメモリーセルの実装密度を高めようと ... «科学技術振興機構, 2月 12»
