"じきていこう‐メモリー"辞典での日本語の意味

じきていこう‐メモリーの発音

					めもりー
じき	て	いこ	う	‐	メモリー
ziki	te	iko	u		memori-

日本語でじきていこう‐メモリーはどんな意味ですか？

日本語辞典でのじきていこう‐メモリーの定義

じきていこう‐メモリー【磁気抵抗メモリー】 磁気によって情報を記憶する不揮発性メモリーの一つ。磁化の方向によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用する。MRAM（magnetoresistive RAM）。

じきていこう‐メモリーの翻訳

当社の日本語多言語翻訳者が翻訳した25ヵ国語のじきていこう‐メモリーを探してみましょう。

自動統計翻訳によって、このセクションで示されている日本語から他の言語へのじきていこう‐メモリーの翻訳を訳しました。この場合は、必須の翻訳単位は日本語で«じきていこう‐メモリー»という単語です。

• 日本語翻訳家 - 中国語: 磁阻内存
• 日本語翻訳家 - スペイン語: Memoria magneto
• 日本語翻訳家 - 英語: Magnetoresistive memory
• 日本語翻訳家 - ヒンディー語: Magnetoresistive स्मृति
• 日本語翻訳家 - アラビア語: ذاكرة Magnetoresistive
• 日本語翻訳家 - ロシア語: Магниторезистивная памяти
• 日本語翻訳家 - ポルトガル語: Memória Magnetoresistive
• 日本語翻訳家 - ベンガル語: Magnetoresistive মেমরির
• 日本語翻訳家 - フランス語: Mémoire magnéto-
• 日本語翻訳家 - マレー語: memori magnetoresistive
• 日本語翻訳家 - ドイツ語: Magnetoresistive Speicher
• 日本語: じきていこう‐メモリー
• 日本語翻訳家 - 韓国語: 자기 저항 메모리
• 日本語翻訳家 - ジャワ語: memori Magnetoresistive
• 日本語翻訳家 - ベトナム語: Bộ nhớ từ điện
• 日本語翻訳家 - タミル語: magnetoresistive நினைவக
• 日本語翻訳家 - マラーティー語: Magnetoresistive स्मृती
• 日本語翻訳家 - トルコ語: Magnetoresistive bellek
• 日本語翻訳家 - イタリア語: Memoria MAGNETORESISTIVO
• 日本語翻訳家 - ポーランド語: Pamięć magnetyczny
• 日本語翻訳家 - ウクライナ語: Магніторезистивному пам´яті
• 日本語翻訳家 - ルーマニア語: Memorie magneto
• 日本語翻訳家 - ギリシャ語: Magnetoresistive μνήμη
• 日本語翻訳家 - アフリカーンス語: Magnetoresistive geheue
• 日本語翻訳家 - スウェーデン語: Magnetoresistiva minne
• 日本語翻訳家 - ノルウェー語: Magnetoresistiv minne

«じきていこう‐メモリー»に関連する日本語の本

以下の図書目録からじきていこう‐メモリーの使いかたを見つけましょう。じきていこう‐メモリーに関する本と日本語文献で使われた文脈を提供するための簡単な抜粋文。

図解入門よくわかる最新電子材料の基本と仕組み: - 129 ページ

01 の半導体メモリと大きく異なる 1 ^ 10 八 I は強磁性体層を使用したメモリで磁性材料と半導体をミックスしたことが特徴です。 06 八りのキャパシタ ... 動作原理は磁気抵抗効果 155 による抵抗の差異を検出して、メモリセルとしてのデータで"と" " ! "を記録させる ...

武野泰彦, ‎佐藤淳一, 2010

図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:

抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたつの状態を示す現象を利用し、前述の P 円 AM とも似ています。その原理を図表 384 に示しておきます。 MRAM のメモリの原理(図表 3 - 8 - 4 )磁気抵抗( TMR )素子強磁性金属膜仲一(矢印は磁化の方向) '極薄膜絶縁膜 ...

佐藤淳一, 2012

これで半導体のすべてがわかる!: - 86 ページ

3 崩八 1X655 リ 6 ( X1017 スピン現象磁気抵抗効果( 88 ページ参照)のひとつの現象。图鳩^1680610 「 651511 リ 6 ^611(30^1 1 奪情帮せ赛に!ま、. ^ :や木齊曩さモリがき 1 現状のメモリは、 08 八^ !、 5 [ ^八 V そしてフラッシュが全盛を迎えています。

西久保靖彦, 2007

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 76 ページ

どちらかをそれぞれ" 0 \ 1 "とするわけです。抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたっの状態を示す状態を示す現象を利用するのは前述の? ! ^八^とも似ています。その原理を図表 8 - 29 に示しておきます。 0 众! \ ; 1 のメモリの原理(図表 8 - 29 〕磁気抵抗(丁ロ^ ! ) ...

佐藤淳一, 2011

エレクトロニクスを中心とした年代別科学技術史 - 320 ページ

磁気 19 叩し。脚ビ(日○ 8 )と○リのィンテグレーシヨン技術の開発仰 19 鉛(米)磁気抵抗幼果を利用する不攫発メモリ(蘭蜻八川)飽 z 遭○はヌ 808 (じ 6 血 0U 欧 U10 じ咽エ 6 咽 6 :ビ二 2.7 )高最近.磁性体のトンネル接合の磁気抵抗幼果を分子の繭熱性を ...

城阪俊吉, 2001

ヘネシー&パターソン コンピュータアーキテクチャ 定量的アプローチ 第5版

DRAM の改良とは別に、電力と密度の点で潜在的に有利なフラッシュメモリの重要性が増してきている。もちろんPMD では、フラッシュメモリ ... これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在の ...

ジョン・L・ヘネシー, ‎デイビッド・A・パターソン, 2015

ヘネシー＆パターソン コンピュータアーキテクチャ 定量的アプローチ 第5版

どちらのメモリも不揮発性で DRAM よりも集積度が高い。これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在のフラッシュメモリを置き換えるかもしれないが、DRAM を置き換えるのはもっと大変だ。

John L. Hennessy, ‎David A. Patterson, 2014

半導体が一番わかる - 107 ページ

デジタルデータの記憶媒体として欠かせない存在の半導体メモリーには、電源を切るとデータが失われる揮発性と、失われない ... 電圧で保存) MRAM (磁気抵抗で保存) DRAM : Dinamic Random ACCess Memory SRAM : Static Random ACCess Memory ...

内富直隆, 2014

よくわかる最新電子デバイスの基本と仕組み: 組み込みシステムにおけるCPUと基本デバイス : 組み込みハードウェアの常識

00 / ^ 1 ^ 1 ^フラッシュメモリのそれぞれの利点を合わせ持つュニ 7 ( ―サルメモリが注目されています。 ... IV —ドデイスクと同様に磁気によってデータを記憶するメモリで、スピン依存電気伝導により生じる強磁性卜ンネル磁気抵抗効果(丁 I ^ 0 :丁リ门门 61 リ ...

藤広哲也, 2006

図解入門よくわかる最新薄膜の基本と仕組み: - 185 ページ

フラッシュメモリのましたが、これらは電子を蓄えるコンデンサを薄膜卜いはリ 3 巳メモリ)や 30 力 I ドなどが普通になり線状に拡げたものです。近頃は ... 強磁性体と緑性体の組最近では卜ンネル磁気抵抗(丁 2 闩)を利用した層構造の薄膜です。を制御した強 ...

深津晋, 2011