"金属氧化物半导体集成电路"辞典での中国語の意味

中国語で金属氧化物半导体集成电路の発音

金	属	氧	化	物	半	导	体	集	成	电	路
	shǔ	yǎng	huà	wù	bàn	dǎo	tǐ	jí	chéng	diàn	lù

中国語で金属氧化物半导体集成电路はどんな意味ですか？

中国語辞典での金属氧化物半导体集成电路の定義

「MOS集積回路」と呼ばれる金属酸化物半導体集積回路。 金属、酸化物および半導体の電界効果トランジスタの集積回路。 シンプルなプロセス、高入力インピーダンス、高集積、低消費電力、低動作周波数 主にデジタル回路に使用されます。 分割されたpチャネルMOS集積回路とnチャネルMOS集積回路2。 2つは相補的集積回路を形成するために互いに補完する。 幅広い用途に対応します。

金属氧化物半导体集成电路の翻訳

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• 中国語: 金属氧化物半导体集成电路
• 中国語翻訳家 - スペイン語: Metal oxide semiconductor IC
• 中国語翻訳家 - 英語: Metal oxide semiconductor IC
• 中国語翻訳家 - ヒンディー語: धातु ऑक्साइड सेमीकंडक्टर आईसी
• 中国語翻訳家 - アラビア語: المعادن IC أكسيد أشباه الموصلات
• 中国語翻訳家 - ロシア語: Металл оксид-полупроводник СК
• 中国語翻訳家 - ポルトガル語: IC metal oxide semiconductor
• 中国語翻訳家 - ベンガル語: মেটাল অক্সাইড অর্ধপরিবাহী ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট
• 中国語翻訳家 - フランス語: Metal Oxide Semiconductor IC
• 中国語翻訳家 - マレー語: litar logam oksida semikonduktor bersepadu
• 中国語翻訳家 - ドイツ語: Metalloxid-Halbleiter- IC
• 中国語翻訳家 - 日本語: 金属酸化物半導体IC
• 中国語翻訳家 - 韓国語: 금속 산화물 반도체 IC
• 中国語翻訳家 - ジャワ語: Circuit semikonduktor Metal oxide Integrasi
• 中国語翻訳家 - ベトナム語: Kim loại IC bán dẫn oxit
• 中国語翻訳家 - タミル語: உலோக ஆக்சைடு குறைக்கடத்தி ஒருங்கிணைக்கப்பட்ட சுற்று
• 中国語翻訳家 - マラーティー語: मेटल ऑक्साईड सेमीकंडक्टर इंटीग्रेटेड सर्किट
• 中国語翻訳家 - トルコ語: Metal oksit yarı-iletken entegre devre
• 中国語翻訳家 - イタリア語: Metal Oxide Semiconductor IC
• 中国語翻訳家 - ポーランド語: Tlenek metalu półprzewodników IC
• 中国語翻訳家 - ウクライナ語: Метал оксид - напівпровідник СК
• 中国語翻訳家 - ルーマニア語: Metal oxide semiconductor IC
• 中国語翻訳家 - ギリシャ語: Οξείδιο του μετάλλου ημιαγωγού IC
• 中国語翻訳家 - アフリカーンス語: Metaaloksied halfgeleier IC
• 中国語翻訳家 - スウェーデン語: Metal Oxide Semiconductor IC
• 中国語翻訳家 - ノルウェー語: Metal Oxide Semiconductor IC

«金属氧化物半导体集成电路»に関連する中国語の本

以下の図書目録から金属氧化物半导体集成电路の使いかたを見つけましょう。金属氧化物半导体集成电路に関する本と中国語文献で使われた文脈を提供するための簡単な抜粋文。

集成电路设计VHDL教程 - 第 5 页

目前,集成电路的发展规模与技术水平己成为衡量一个国家综合实力的标志。 1 · 1 · 2 集成电路的分类早期生产的集成电路都是双极型的· 1962 年后出现了金属-氧化物-半导体( M ( ) 5 )场效应管组成的 MOS 集成电路。此后·双极型和 MOS 型集成电路 ...

史小波, ‎程梦璋, ‎许会芳, 2005

数字电子电路 - 第 57 页

上述是 CMOS 集成电路的优点, CMOS 集成电路的缺点是速度较慢。通常 CMOS 门电路的平均传输时间砧约为 5Ons ~ llOns ,随电源电压 VDD 的高低而异, VDD 高,砧值小。 2 · 3 · 1MOS 臀结构和开美特性 MOS 管是金属氧化物半导体场效应管的 ...

唐竞新, 2003

微型计算机原理及应用实验指导 - 第 17 页

章 2 第计算机基础知识及微机基本电路实验 2 · 1 逻辑电路的甚本知识集成电路按其集成度可分为小规模集成电路( SSI )、中 ... 晶体管-晶体管逻辑集成电路; ( 2 ) CMOS :互补对称金属氧化物半导体逻辑集成电路; ( 3 ) ECI , :发射集藕合逻辑集成电路。

郑学坚, 2001

逻辑设计与数字系统 - 第 69 页

数字集成电路按其内部有源器件的不同可分为两类:一类为双极型晶体管集成电路;另一类为绝缘栅场效应管集成电路,或称金属-氧化物-半导体( MOS )集成电路。两者相比,前者工作速度快、驱动能力强,但功耗大、集成度低;后者集成度高、功耗低。

刘宝琴, ‎王德生, ‎罗嵘, 2005

电子电路的计算机辅助分析与设计方法 - 第 68 页

3 · 3MOS 场效应晶体管模型 MOS 晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是目前集成电路中最常用的半导体器件。最初集成电路中 MOS 晶体管模型采用一种较为简单的一维近似模型,随着集成电路规模的不断增大和 IC 工艺的迅速发展, MOS ...

王志华, 1996

数字电路逻辑设计 - 第 28 页

上 2 其咆裘理均双极理鼻床电路在双极型集成电路中, ... 发射极辅合逻辑电路 ECL 又称电流开关型逻辑电路 CMI , ,就是一种非饱和型高速数字集成电路。 ... 2 Z Z 2 · 3MOS 宾农门电路 M ( ) S 集成门电路是以金属氧化物半导体场效应管( meIa ...

朱正伟, ‎何宝祥, ‎刘训非, 2006

数字设计基础与应用 - 第 38 页

艾缩写,是由双极型晶体三极管构成的数字集成电路, TTL 电路在 20 世纪 70 年代和 80 年代占据统治地位: ECL ( em ... 是金属-氧化物-半导体场效应晶体管( meta ... 在数字集成电路中, MOS 器件通过隔离的栅极电压控制沟道导电,实现开关功能。

邓元庆, ‎关宇, ‎贾鹏, 2005

电子电路测试与实验 - 第 206 页

概括来说,集成电路按制造工艺,可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和由二者组合而成的混合集成电路。 ... 目前,已经成熟的集成逻辑技术主要有三种, TTL 逻辑(晶体管-晶体管逻辑)、 CMOS 逻辑(互补金属-氧化物-半导体逻辑)和 ECL 逻辑(发射极藕 ...

朱定华, 2004

邮票上的物理学史 - 第 409 页

仍年代初,硅平面型晶体管问世,它作为分立器件和双极型集成电路的基础器件应用最为广阔。场效应晶体管的基本理论是肖克菜于 1952 年提出的, 19 仍年,出现了硅 MOSFET (金属-氧化物-半导体场效应管) ,它作为 MOS 集成电路器件用得也很广泛。

秦克诚, 2005

电子设计从零开始 - 第 10 页

TTL ( Transistor - TransistorLogic ,晶体管-晶体管逻辑电路) :集合了 74 系列 TTL 集成电路。 CMOS ( ComplementaryMetal - Oxide - SemiconductorTransistor ,互补型金属氧化物半导体电路) :集合了 74 和 4000 等系列的 CMOS 集成电路。

杨欣, ‎王玉凤, ‎刘湘黔, 2005