APA TEGESÉ エピタキシー ING BASA JEPANG?
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Epitaxy: epitaxy: A fénoména ing ngendi kristal liyané sing padha ing struktur tuwuh ing permukaan kristal tartamtu. Aplikasi kanggo proses manufaktur dioda, transistor, dsb. エピタキシー【epitaxy】 ある結晶表面に、構造のよく似た他の結晶が成長する現象。ダイオードやトランジスターなどの製造工程に応用。
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BUKU BASA JEPANG KAKAIT KARO «エピタキシー»
Temukaké kagunané saka
エピタキシー ing pilihan bibliografi iki. Buku kang kakait dening
エピタキシー lan pethikan cekak kang padha kanggo nyediyakaké panggunané ing sastra Basa Jepang.
1
図解入門よくわかるナノテクノロジーの基本と仕組み: 超微細スケールの世界
0 分子線エピタキシー法― ―分? ^エピタキシー法 0 ^ 0161 :リ 13 「 86301曰| 311 : 3 乂ソ二! ^曰日)は、異なる原料を結晶基板の上に精密に制御しながら蒸着して、特殊な結晶構造を作る方法です。原子数層ごとに異なった物質を積み上げる化学気相成長法 ...
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図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:
年代、成膜法として分子線エピタキシー法( M 。ー ecu ー ar Beam Epitaxy 二 MBE と略します)や M 。 CVD 法( Meta ー。rganic CVD の略)が開発されて実現可能になりました。ここではこの分子線エピタキシー法や M 。 CVD 法などに極簡単に触れます。
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高校化学からはじめる半導体 - 128 ページ
量認融液と溶液,エピタキシー#落液の性質[キーワード]融液からの化合物半導体の成長法.基板結晶に結晶軸をそろえて結晶を作るエピタキシャル成長.金属溶液からの液相エピタキシャル成長。前項ではシリコン単結晶の作り方を紹介しました.化合物半導体の ...
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Researches of the Electrotechnical Laboratory
第 9 章ガラス基板上への単結晶化合物半導体膜生成技術 52 〜^ 9.1 緒言現在,化合物半導体の単結晶膜の作製は,それ等のパルク単結晶基板上にエピタキシーする方法が主流をなしている恥' 591 。しかし,基板を選ばない自由度と廉価低コストの観点から, ...
Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo, 1988
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エレクトロニクス重要用語集: 最先端キーワード 1000 - 471 ページ
分子線エピタキシー\1016 ( ; 0 ほ! " 8631112 口;は X んエピタキシー法とは,基板上に基板と同じ結晶方位の単結晶薄膜を形成させる方法である.現在,超し 51 デバイスにおいて一般的に用いられている方法は,気相エピタキシーであり, 511 ^ , 51 8 2 じ 12 , 51 ...
6
Technology reports of the Kyushu University - 第 73 巻 - 106 ページ
を 20 の結晶配向性,綱板のエピタキシー,めっき過^5 の観点から系統的に調査したものである.本論文は, 7 章から構成され,第 1 章では,本研究の背景'目的に加え,電気なめっき皮 91 の結晶形應に 89 する従来の研究を総括して述べた.第 2 車では,多結晶原板 ...
Kyūshū Daigaku. Kōgakubu, 2000
7
日本金属学会誌 - 第 66 巻、第 1～6 号 - 324 ページ
150 - ^ 80 の構造は,単結晶ぉ 80 の構造と較べて,結晶配向の程度,表面粗さ, 1 * 180 〔 100 〕の傾き,密度等の点で大きく異なるため, 150 - ^ 80 上の 5 : 11123 のエピタキシーが十分ではない理由をここで特定することは難しい.単結晶? 480 と 130 - ^ 20 の ...
8
図解入門よくわかる最新真空の基本と仕組み: - 157 ページ
飯島徹穂. I 図 5.2 . 1 にいろいろな薄膜の成長のしかたを示します。その他、単結晶の基板上に薄膜を形成させる場合には、基板温度、真空の圧力などを適切に選ぶと単結晶の薄膜をつくることができます。これがェビタキシー(一ロ!まソ)です。エピタキシーとは ...
9
図解入門よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み: - 129 ページ
〇以上の温度で成膜するのは減圧じ V 。やエピタキシー法などです。後者はシリコン単結晶の上に同じ方位の単結晶シリコン膜を積層する場合に用いられますが、し 31 で用いられることは少ないので本書では触れません。 61 ^法の主な分類その 2 【図表 7 - 2 ...
10
白色LED照明システム技術と応用 - 105 ページ
これに対する薄膜成長技術として,分子線エピタキシー(I!!016^^1I3I^1^63I!!6口辻3XV:IVI82)法がある。 1^82 法は,結晶成長速度が遅く,原料の切り替えもシャッターを用いて簡単に行えるため,膜厚ゃ界面急峻性などの制御性に優れており,極薄膜積層構造 ...
BABAGAN WARTA KANG NGLEBOKAKÉ ARAN «エピタキシー»
Weruhi yèn pawarta nasional lan internasional wis ngomongaké lan kepriyé aran
エピタキシー digunakaké ing babagan warta iki.
有機鉛ペロブスカイト太陽電池の発電層形成過程をリアルタイム解析
... に取り組んだ。 なお、本研究の一部は、国立研究開発法人 科学技術振興機構の戦略的創造研究推進事業 個人型研究（さきがけ）「ヘテロエピタキシーを基盤とした高効率単結晶有機太陽電池(平成23年10月～平成27年3月）」による支援を受けて行った。 «産業技術総合研究所, Agus 15»
「窒化ガリウム （GaN） 産業用デバイスの世界市場：2015年～2021年 …
世界のHEMT市場の収益：2014年～2021年 ○エピタキシー法 ○半絶縁性GaN基板 第5章 世界のGaN NEMT市場の収益：用途別：2014年～2021年 ○概要 ○WiMAX/LTE市場 ○無線電話インフラ：基地局 （BTS） 市場 ○CATV市場 ○V-SAT市場 ○衛星 ... «Dream News, Jun 15»
東北大、原子数個からなる超薄膜で高温超電導を引き起こすことに成功
高橋教授らは、原子を１個ずつ積み上げて原子層薄膜を作る分子線エピタキシー法を使用。鉄とセレンで構成し、１層（原子３個分の厚さ）―２０層（同６０個）まで制御した高品質の薄膜を作製した。 角度分解光電子分光法を使って、この薄膜の電子状態を精密に ... «日刊工業新聞, Jun 15»
東北大、グラフェンを越えると期待されている新材料シリセンの電子状態を …
今後は、半導体基板上に分子線エピタキシー法でCaSi2超薄膜を作成し、そのシリセン原子シート中のディラック・コーン電子を利用する超高速電子デバイスへの応用展開が期待されている。 なお、この内容は12月16日に「Advanced Materials」オンライン版に ... «財経新聞, Des 14»
パルススパッタリング法による非晶質基板上へのInGaN系フルカラー発光 …
InGaN系発光ダイオード（LED）は、白熱電球からの置き換えが可能な高効率光源として広く受け入れられてきた。しかし、製造工程において有機金属気相エピタキシー法で単結晶ウェハ上にInGaNをエピタキシャル成長させるというコストのかかる方法が用い ... «Nature Asia, Agus 14»
産総研、効率よく電荷が流れる有機薄膜太陽電池を開発、光電変換効率 …
同研究グループは、これまでIII－Ⅴ 族化合物太陽電池で使われいる、ヘテロエピタキシーという結晶の向きをそろえて結晶成長させる手法を駆使して、異なる種類の有機材料を構造制御して製膜することで、最適なバルクヘテロジャンクション構造を持つ有機薄膜 ... «インターネットコム, Mei 14»
産総研、有機薄膜太陽電池の変換効率を2.2倍に
研究グループは、これまでのバルクへテロジャンクション作製に用いられてきた共蒸着法（真空中で2種類の材料を同時に昇華、蒸着させる方法）という簡易な成膜法のままで、ヘテロエピタキシーと呼ぶ、2種の材料のそれぞれの結晶の向きがそろった有機薄膜 ... «Tech On!, Mei 14»
結晶成長制御により効率よく電荷が流れる理想的な構造の有機薄膜太陽 …
研究グループは、これまでⅢ－Ⅴ族化合物太陽電池で使われるヘテロエピタキシー注５）と呼ばれる結晶の向きをそろえて結晶成長させる手法を駆使し、異なる種類の有機材料を構造制御して製膜することで、最適なバルクヘテロジャンクション構造を持つ有機 ... «科学技術振興機構, Mei 14»
近赤外光を効率良く電力変換できる太陽電池の開発に道 - 京大が発見
今回、最も太陽電池に適した半導体材料の1つであるGaAs単結晶を基板とし、その上にInAs の量子ディスクおよび量子ドットが埋め込まれたGaAsとAlGaAs薄膜を分子線エピタキシー法によって作製した。量子ディスクおよび量子ドットは平面上にランダムに形成 ... «マイナビニュース, Feb 14»
独立行政法人 物質・材料研究機構独立行政法人 科学技術振興機構
これは単結晶基板では一般にダングリングボンドといわれる未終端の結合が表面に存在し、薄膜堆積時に飛来する原子の配列を強く制約するのに対して、ナノシート表面はその構造的特徴から表面の結合はすべて終端されており、ｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓエピタキシーと ... «科学技術振興機構, Nov 13»
