Tegesé saka "ランダム‐アクセス‐メモリー" ing bausastra Basa Jepang

PANGOCAP SAKA ランダム‐アクセス‐メモリー ING BASA JEPANG

らんだむ		あくせす		めもりー
ランダム	‐	アクセス	‐	メモリー
randamu		akusesu		memori-

APA TEGESÉ ランダム‐アクセス‐メモリー ING BASA JEPANG?

Definisi saka ランダム‐アクセス‐メモリー ing bausastra Basa Jepang

Memori akses acak [memori akses sacara acak] RAM (RAM)

ランダム‐アクセス‐メモリー【random-access memory】 ラム（RAM）

PERTALAN SAKA ランダム‐アクセス‐メモリー

Weruhi pertalan saka ランダム‐アクセス‐メモリー menyang 25 basa nganggo Basa Jepang pamertal multi basa kita.

pertalan saka ランダム‐アクセス‐メモリー saka Basa Jepang menyang basa liyané kang kasuguhaké ing perangan iki kajupuk saka pertalan statistik otomatis; ing ngendhi inti unit pertalan yaiku tembung «ランダム‐アクセス‐メモリー» ing Basa Jepang.

• Pamertal Basa Jepang - Basa Cina: 随机存取存储器
• Pamertal Basa Jepang - Basa Spanyol: Memoria de acceso aleatorio
• Pamertal Basa Jepang - Basa Inggris: Random access memory
• Pamertal Basa Jepang - Basa India: क्रमरहित याद करना
• Pamertal Basa Jepang - Basa Arab: ذاكرة الوصول العشوائي
• Pamertal Basa Jepang - Basa Rusia: Оперативная память
• Pamertal Basa Jepang - Basa Portugis: Memória de acesso aleatório
• Pamertal Basa Jepang - Basa Bengali: রেম
• Pamertal Basa Jepang - Basa Prancis: Mémoire à accès aléatoire
• Pamertal Basa Jepang - Basa Malaysia: ingatan capaian rawak
• Pamertal Basa Jepang - Basa Jerman: Arbeitsspeicher
• Basa Jepang: ランダム‐アクセス‐メモリー
• Pamertal Basa Jepang - Basa Korea: 랜덤 액세스 메모리
• Pamertal Basa Jepang - Basa Jawa: memori akses acak
• Pamertal Basa Jepang - Basa Vietnam: Về điện toán
• Pamertal Basa Jepang - Basa Tamil: சீரற்ற அணுகல் நினைவகம்
• Pamertal Basa Jepang - Basa Marathi: रँडम ऍक्सेस मेमरी
• Pamertal Basa Jepang - Basa Turki: Rastgele erişim belleği
• Pamertal Basa Jepang - Basa Italia: Memoria ad accesso casuale
• Pamertal Basa Jepang - Basa Polandia: Pamięć o dostępie swobodnym
• Pamertal Basa Jepang - Basa Ukrania: Оперативна пам´ять
• Pamertal Basa Jepang - Basa Romawi: Memorie cu acces aleator
• Pamertal Basa Jepang - Basa Yunani: Μνήμη τυχαίας προσπέλασης
• Pamertal Basa Jepang - Basa Afrikaans: Ewetoeganklike geheue
• Pamertal Basa Jepang - Basa Swedia: Direktminne
• Pamertal Basa Jepang - Basa Norwegia: Random access memory

BUKU BASA JEPANG KAKAIT KARO «ランダム‐アクセス‐メモリー»

Temukaké kagunané saka ランダム‐アクセス‐メモリー ing pilihan bibliografi iki. Buku kang kakait dening ランダム‐アクセス‐メモリー lan pethikan cekak kang padha kanggo nyediyakaké panggunané ing sastra Basa Jepang.

半導体が一番わかる - 106 ページ

半導体デバイスの中でも半導体メモリーは、携帯電話やデジカメなどの記憶媒体として身近な存在です。さまざまな半導体 ... 揮発性メモリの代表格は、パソコンの作業用メモリーとして使われる RAM (ランダム・アクセス・メモリー)です。もっとも普及している ...

内富直隆, 2014

Shōkai Linux kāneru - 34 ページ

V プログラマは、物理メモリの構成について配慮せずに済むため、マシンに依存しないコードを書くことができる仮想記憶サブシステムで ... 8.2 ランダムアクセスメモリの使用すべてのオペレーティングシステムでは、 I ?八 VI を 2 つの部分に明確に分けています。

ダニエル・P. ボベット, 2007

世界に勝てる! 日本発の科学技術

スピントロニクス化する次世代メモリースピントロニクスの原理をそのまま不揮発性メモリーに取り込んだのが、「磁気記録式ランダムアクセスメモリー(MRAM)」である。現在実用化されているメモリーには、電源を切るとデータが消える揮発性メモリーと、電源を切っ ...

志村幸雄, 2011

OHM電気電子情報英和・和英辞典 - 489 ページ

ランダムアクセスデイスクリートアドウレスラム(ランダムアクセスメモリー)ラムカ一ドウ(ランダムアクセスメモリートドウ)ラムデイスク(ランダムアクセスメモリーデイスク)ラムドライブ(ランダムアクセスメモリードライブ)ラムポードウ(ランダムアクセスメモリーボードウ) ...

新電気編集部, 1996

コンピュータグラフィックス理論と実践 - 852 ページ

その理由は、水平と垂直のラインを追跡し直している問、ピクセルが走査されないためである正脚日 1 丁 84 ] o これに対して、単純なダイナミツクランダムアクセスメモリ(口只八肌)のシステムは、サイクルタイムが約 200 ナノ砂であり、要求スピードよりも随悟 ...

James D. Foley, ‎Andries van Dam, 2001

Iwanami kagaku hyakka - 1226 ページ

どのロケーションにたいしても,一定の時間でランダムアクセスをおこなうことができる記憶装匿を,ランダムアクセスメモリ一'ユニットとよぶ。主記憶装置がその代表的な例である。外部記憶装置のうちの磁気ディスク装置なども,近似的にはそれぞれのロケーシヨン ...

岩波書店. 編集部, 1989

スタート！基本情報技術者問題集2015(情報処理技術者試験): 最新5期の午前問題400問を完全収録

不揮発性メモリとは、電力を供給しなくても格納した情報を保持できるメモリのことです。 DRAM(Dynamic Random ... SRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)は、コンピュータのキャッシュメモリなどに利用される揮発性メモリです。 ROMとHDDが不揮発性 ...

西村靖夫, 2014

ガベージコレクションのアルゴリズムと実装 - 271 ページ

111111 叩はフアイルの内容をまるごとメモリにマッピングしてしまうシステムコールです。メモリはフアイルよりもランダムアクセスが得意ですので、先ほどのプログラムは非常に高速に動作します。! ! ! ! ! !叩を使えば先ほどのプログラムは次の処理が実行される ...

中村成洋, ‎相川光, 2010

情報通信略語辞典 - 443 ページ

また 1 ^ &り II 八 0 夏八 1-3030111300033 ^0011111611111136X111^ 3113 1 - 611 - 1 ^ 31 ランダムアクセスドクメント ... 社の製品- 3VI1-30^0111-300638 11160101- ^ラ厶;ランダムアクセスメモリー:任意のアクセスが" I 能なコンピュータ用^憶装置.

竹野萬雪, 1990

科学立国日本を築く: 極限に挑む気鋭の研究者たち - 217 ページ

丸文研究交流財団選考委員会, 2006

BABAGAN WARTA KANG NGLEBOKAKÉ ARAN «ランダム‐アクセス‐メモリー»

Weruhi yèn pawarta nasional lan internasional wis ngomongaké lan kepriyé aran ランダム‐アクセス‐メモリー digunakaké ing babagan warta iki.

3D XPoint、SSD市場の早期奪取は困難だが装置産業に恩恵

NANDフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、1000倍書き換え寿命が長く。しかもNANDフラッシュと異なり、ランダムアクセスメモリーとして利用可能で、同様の性質を持つDRAMに比べて記録密度が10倍高いという、抜けた性能をたたき出す技術だという。 «日経テクノロジーオンライン, Okt 15»

スピン・トランスファー・テクノロジーズ、業界ベテランのネルソン・チャンを …

米カリフォルニア州フリーモント--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 画期的な垂直スピン注入磁気抵抗ランダムアクセスメモリー技術（OST-MRAM™）を開発するリーダー企業のスピン・トランスファー・テクノロジーズ（STT）は本日、ネルソン・チャンを ... «Business Wire, Okt 13»

スピンRAM（MRAM）の大容量化につながる新構造のTMR素子

ギガビット(Gbit)級の次世代磁気抵抗ランダムアクセスメモリー（MRAM）の実現のため、スピントルク磁化反転と呼ばれる情報書き込み技術を用いたMRAM（スピンRAM）の開発競争が激化している。スピンRAMでは、情報はトンネル磁気抵抗（TMR）素子中の ... «産業技術総合研究所, Jan 10»

超低消費電力・高速動作を兼ね備えた不揮発性抵抗変化メモリー素子 …

RRAMは、遷移金属酸化膜を金属電極で挟んだ構造で、その酸化膜の電気抵抗変化を記憶情報とするメモリー素子であり、低消費 ... ナノ秒(1/100,000,000秒)程度であり、これは高速動作を特徴とする磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)に匹敵する。 «産業技術総合研究所, Sep 08»