Tegesé saka "ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター" ing bausastra Basa Jepang

PANGOCAP SAKA ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター ING BASA JEPANG

			げーと			ばい	ぽーらー	とらんじすたー
ぜ	つえ	ん	ゲート	がた	‐	バイ	ポーラー	トランジスター
ze	tue	n	ge-to	gata		bai	po-ra-	toranzisuta-

APA TEGESÉ ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター ING BASA JEPANG?

Definisi saka ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター ing bausastra Basa Jepang

Temperature Gate Gate Bipolar Transistor 【Insulated Gate Bipolar Transistor】 IGBT (IGBT)

ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター【絶縁ゲート型バイポーラートランジスター】 アイ‐ジー‐ビー‐ティー（IGBT）

PERTALAN SAKA ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター

Weruhi pertalan saka ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター menyang 25 basa nganggo Basa Jepang pamertal multi basa kita.

pertalan saka ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター saka Basa Jepang menyang basa liyané kang kasuguhaké ing perangan iki kajupuk saka pertalan statistik otomatis; ing ngendhi inti unit pertalan yaiku tembung «ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター» ing Basa Jepang.

• Pamertal Basa Jepang - Basa Cina: 绝缘栅双极晶体管间隙
• Pamertal Basa Jepang - Basa Spanyol: Puerta aislada transistor bipolar contragolpe
• Pamertal Basa Jepang - Basa Inggris: Insulated gate bipolar transistor backlash
• Pamertal Basa Jepang - Basa India: अछूता गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर प्रतिक्रिया
• Pamertal Basa Jepang - Basa Arab: بوابة معزول الترانزستور ثنائي القطب رد فعل عنيف
• Pamertal Basa Jepang - Basa Rusia: Изолированным затвором биполярного транзистора зазор
• Pamertal Basa Jepang - Basa Portugis: Porta isolada bipolar transistor folga
• Pamertal Basa Jepang - Basa Bengali: ভালভাবে উত্তাপ গেট দ্বিমেরু ট্রানজিস্টার তোমরা
• Pamertal Basa Jepang - Basa Prancis: Grille isolée transistor bipolaire jeu
• Pamertal Basa Jepang - Basa Malaysia: pintu terlindung transistor bipolar kamu
• Pamertal Basa Jepang - Basa Jerman: Bipolartransistor mit isoliertem Gate spiel
• Basa Jepang: ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター
• Pamertal Basa Jepang - Basa Korea: 절연 게이트 너희 바이폴라 트랜지스터
• Pamertal Basa Jepang - Basa Jawa: gapura terisolasi bipolar transistor ye
• Pamertal Basa Jepang - Basa Vietnam: Cổng cách điện transistor lưỡng cực phản ứng dữ dội
• Pamertal Basa Jepang - Basa Tamil: மின்காப்புக் வாயில் இருமுனை டிரான்சிஸ்டர் நீங்கள்
• Pamertal Basa Jepang - Basa Marathi: उष्णतारोधक गेट बायपोलर ट्रान्झिस्टर तुम्ही
• Pamertal Basa Jepang - Basa Turki: Yalıtımlı geçit iki kutuplu transistörü ye
• Pamertal Basa Jepang - Basa Italia: Insulated Gate Bipolar Transistor contraccolpo
• Pamertal Basa Jepang - Basa Polandia: Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką luz
• Pamertal Basa Jepang - Basa Ukrania: Ізольованим затвором біполярного транзистора зазор
• Pamertal Basa Jepang - Basa Romawi: Poarta izolată tranzistor bipolar reacție
• Pamertal Basa Jepang - Basa Yunani: Μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ αντιδράσεις
• Pamertal Basa Jepang - Basa Afrikaans: Geïsoleerde hek bipolêre transistor teenreaksie
• Pamertal Basa Jepang - Basa Swedia: Isolerat styre bipolär transistor dödgång
• Pamertal Basa Jepang - Basa Norwegia: Isolert gate bipolar transistor backlash

BUKU BASA JEPANG KAKAIT KARO «ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター»

Temukaké kagunané saka ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター ing pilihan bibliografi iki. Buku kang kakait dening ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター lan pethikan cekak kang padha kanggo nyediyakaké panggunané ing sastra Basa Jepang.

Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...

バイポーラートランジスターのコレクタ一電流がベース領域を通り抜けてきた少数キヤリヤーであるのに対して,電界効果トランジスターのドレイン電流はチャネル ... 22-3: 1 ^ 105 電界効果卜ランジスター(物理 2119 〉絶縁ゲート電界効果トランジスタ一の一種で, !

James L. Davis, 2002

パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際: MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は、MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのよ ...

五十嵐征輝, 2011

高度情報化社会を読む - 83 ページ

は、ゲートが絶緣されたバイポーラトランジスタである。ゲートが絶縁されているのでパワー! ^ 05 ? 27 0^61;31 0X1(16 ^ ! ! ! !〜! ^ひは。! " 2 は丁! " 308 おね! " )の高速スィッチング特性をもち、エミッタコレクタがバイポーラ構造であるためバイポーラトランジスタ ...

伊藤利朗, ‎市川照久, ‎尾形仁士, 1996

現代商品大辞典 - 333 ページ

電界効果トランジス夕は電子または正孔の,どちらか一方のキヤリアで勦作するので,バイポーラ形トランジスタに対してュニポ―ラ形トランジスタ 0 " ; ? 0121 0 りとも呼ばれる.構造により,接合ゲート形? 6 丁 0 リ II ひ; 00 ^^"^(:" 1110515100 と絶縁ゲ—ト开さ?

Yoshirō Iijima, ‎Takashi Mukaibō, 1986

Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo kenkyū hōkoku

測される/ひには,ゲート電極から注入された正孔電流成分の一部に含まれてしまい,また/,幼にはゲート電極から注入された正孔電流の一部しか含まれない結果となる。したがって ... 誘起接合法による測定時には,絶縁膜をヱミッタ、反転層をベース,基板をコレクタとしたバイポーラトランジスタと見倣すことができる。したがって ... 6 丁が設けられた場合には,同一デパイスによって,両ゲート極性でのキヤリァ分離測定が可能となる。この方法は ...

Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo, 1984

いまからはじめる電子工作 - 33 ページ

... 樺(プラス極)を当てて、ゲート 6 に手を触れると針が振れていくのが正常です o 皿○ 8 ―宜耳丁ではゲート 6 が酸化膜○によつて絶縁されている ... ゲート 6 に手を触れて数ヒ 9 まで変化すれば正常です o (3)最大定格トランジスタにはさまざまな最大定格がありますが、設計上どうしても必要 ... パイポーラトランジスタに対して、ドレイン一ソ一ス問電圧除軍がコレクターエミ、ンタ間電圧恥切に、ドレイン電流ノぱ:灯魔〆がコレクタ電流徳 ...

町田秀和, 2006

電験三種合格一直線　理論: - 153 ページ

... F=eE=m・dp/dt IN]静電エネルギー: eW [ J ]・磁界中円運動(方向変更のみ) F=eoB=mp"/r IN] ( r は回転半径)口バイポーラトランジスタ(npn, ... 個/ m "・金属での移動速度 p=uEIm/sl u は移動度電流密度 J = nep = neuE = oELA / m "・エネルギー帯半:半導体、絶:絶縁体[伝導]金属は[充]と ... ゲート電圧バイポーラの回路 IE=la +lc ・ベース接地 o=AIc/AIE=0.95〜0.995 ・エミツタ接地 B=4Ic/Alg=o /(1-o)口各種の効果・熱電効果 ...

菅原　秀雄, 2011

共立総合コンピュータ辞典〔第4版〕 - 538 ページ

日本ユニシス, 1994

最新半導体のしくみ:

本書では、半導体の動作原理から、半導体の基本形であるダイオードとトランジスタ、すでに第一線で活躍している半導体デバイスなどを、精度の高い図版やイラストで解説しま ...

西久保靖彦, 2010

タウア・ニン最新VLSIの基礎

半導体分野の権威による著書の最新翻訳版

Yuan Taur, ‎Tak H. Ning, 2002