Tegesé saka "じきていこう‐こうか" ing bausastra Basa Jepang

PANGOCAP SAKA じきていこう‐こうか ING BASA JEPANG

じき	て	いこ	う	‐	こう	か
ziki	te	iko	u		kou	ka

APA TEGESÉ じきていこう‐こうか ING BASA JEPANG?

Definisi saka じきていこう‐こうか ing bausastra Basa Jepang

[Efek tahan magnetik] A fenomena ing ngendi resistance listrik saka zat sing diganti dening medan magnet. Taun 1883, fisikawan Inggris Kelvin nemokake. Semikonduktor ing efek kasebut katon banget digunakake kanggo unsur magnetoresistif lan kaya. MR (magnetoresistance).

じきていこう‐こうか【磁気抵抗効果】 磁場により物質の電気抵抗が変化する現象。1883年、英国の物理学者ケルビンが発見。この効果が顕著に現れる半導体は磁気抵抗素子などに利用されている。MR（magnetoresistance）。

PERTALAN SAKA じきていこう‐こうか

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BUKU BASA JEPANG KAKAIT KARO «じきていこう‐こうか»

Temukaké kagunané saka じきていこう‐こうか ing pilihan bibliografi iki. Buku kang kakait dening じきていこう‐こうか lan pethikan cekak kang padha kanggo nyediyakaké panggunané ing sastra Basa Jepang.

Handōtai, IC yōgo jiten - 86 ページ

磁 91 光学効果(じきこうがくこう力リ)0&811610-01)1& 6 ^ 601 物質の光学的性質が磁界の影饕で変化する現象. ... ^7 も 17 〃/ノぞや平滑恻面む-電流 4 サンドプラスト镧面 1 ノじ磁気抵抗係数(じきていこうけいすう) !0116101-68181&1106 006 ^ 1016111 ...

飯田隆彥, ‎Hiroshi Kodera, ‎山賀威, 1977

電気工事基礎用語事典（第3版）: - 120 ページ

磁気回路のオーム則(じきかいろのおーむそく) Ohms law of magnetic Circuit 磁束 ó [ wb ]、起磁力 F= IV [ A ]、磁気抵抗 R, [ H 下" ] ... 磁気光学効果(じきこうがくこうか) magneto 一 Optic efect 物質の光学的性質が外部から加えた磁界によって変わる現象。

電気と工事編集部, 2014

ナノメタルの応用開発 - 33 ページ

5 ナノグラニュラ一薄膜の磁気抵抗効果高梨弘毅# 5.1 はじめに十ノグラニユラー薄膜は,ナノスケールの金^微粒子(グラニユール)が異種の金属あるいは絶縁体マトリックス中に高密度に分散した構造を有しており,通常スパッタ法などを用いて作製される。

井上明久, 2008

これで半導体のすべてがわかる!: - 88 ページ

磁性鹏料フエライ卜など、磁化特性を示す材料。強磁性体は、外部磁場がなくても、それ自身が大きな磁化をもっている。磁贫抵抗効果磁気抵抗効果とは、極薄絶緣腆をはさむ 2 っの強磁性金厲雇の相対的な磁化の方向(分極)によって、低抵抗值と离抵抗値の ...

西久保靖彦, 2007

世界に勝てる! 日本発の科学技術

GMR による磁気抵抗比は実用面で必ずしも十分ではなかったが、発見されてから一〇年後の一九九〇年代末には東芝がいち早く HDD の磁気ヘッドに採用、ハードディスクの記録密度の向上(年間二倍のペース)を促進した。 して、この場合も GMR 効果と同じ.

志村幸雄, 2011

図解入門よくわかる最新元素の基本と仕組み: 全113元素を完全網羅、徹底解説

コバル卜は、この磁気ヘッドに使われています。 1998 年に製品化された、巨大磁気抵抗効果^に! ^曰効果)を利用した八一ドデイスクには、磁気に敏感なコバル卜素子からできた磁気ヘッドである 61 ^ 1 = 1 ヘッドが利用されています。さらに最近、次世代の磁気 ...

山口潤一郎, 2007

磁気現象ハンドブック - 225 ページ

磁気抵抗効果はあらゆる物質でみられるが,半金属はキヤリャ密度が小さくて移動度が大きいため,大きな値を示す。半金属のビスマスは磁気抵抗効果が特に大きい。磁気抵抗効果は,熱いキヤリャが冷たいキヤリャよりも磁場によって,進行方向が大きく曲げ ...

バーク,H.E., ‎河本修, 1995

図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:

D円AM と比較して示しますように`基本的にートランジスタを介して、ワード線、ビット線に接続されるところは基本的には DRAM と同じ構成です。 TM円素子の TM 円とは Tunne ー ing Magnetic 円 eSiStanCe の略で` “磁気抵抗効果"という極薄膜絶縁膜を挟む ...

佐藤淳一, 2012

Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...

したがって磁気抵抗/ ? ^と/ ? ^の 2 つの磁性体を直列につなぎ合わせたものは^ ^十 7 ^ 2 ,並列につないだものは( / ? ^卜/ ? ^ 1 ) 1 という大きさの磁気抵抗をもつことになる.磁場による電気抵抗の変化は磁気抵抗効果とよばれる, 18-8:磁気抵抗効果(物理 813 ...

James L. Davis, 2002

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 76 ページ

ビッ卜線磁気抵抗(丁^闩)素:ロ 05 卜ランジスタヮード線丁! ^ ! ?素子の IV ^とは丁 111111611112 ^ 1 ^ X1尺68 ぉね! ^ 6 の略で、"磁^抵抗効果"という極薄膜絶縁膜を挟むふたっの強磁性金属膜の相対的な磁化の方向(分極)によって、その抵抗値が低抵抗値 ...

佐藤淳一, 2011