«ビスマス» 관련 일본어 책
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ブルーカード2025: 近未来からのタイムテロリスト - 50 ページ
生するのは、電子線や中性子線ではないか。加速器?でも、鉑 210 がビスマス 210 になるのはべ—タ崩壊によるものだ。これらによって発て五日以内にこのビスマス 210 ができたというのか。まさか— —発生した原因は何だ。原子炉?載しなかったと思う。
線膨張係数ひ 0 一 6 /で) ( 0 でより 100 でまでの平均)線膨張係数(川— 6 / ^ : ) ( 0 でより 100 でまでの平均)物質物質カドミウム 32 ビスマス 13 も口 29 ニッケル 13 スズ 27 鉄 12 亜鉛 26 パラジウム 12 黄銅 21 アンチモン 11 銀 19 白金 9.0 銅 16 板ガラス ...
蛍石、水晶、雲母、蛍光鉱物や毒のある鉱物...ビフォスファマイトやビスマス、明礬のレシピ、岩絵の具や標本箱、鉱石スコープや人工琥珀ボトルのつくりかた.. ...
4
中学理科用語をひとつひとつわかりやすく。 - 205 ページ
8 ー〇 82 )83 〇 84 〇 85 '〇 86 ~ Pt Au Hg T ー Pb Bi P。 At Rn ー 95 ー 97 2。ー 2。4 2。7 2。g ( 2 ー。) ( 2 ー 0 ) (222)白金~〝金-」水銀プ J タリウム】響さ一ビスマス~〟ポロニウム”アスタチ離離ラドンーー。 6 ーーー〇ーー 2 〇ーー 4 〇ーー 6 〇 DS Rg ...
5
Journal of the Society of Organic Synthetic Chemistry, Japan:
彼らはパラモリブデン酸アンモンと硝酸ビスマスとから調製した Bi . Os - MoO 』系の化合物を、示差熱分析と X 線回折とにより分析し、次の三種の化合物の存在を確認した。(1) Bi.O』・3MoO』=Bi』(MoO)。 mp 676°C (2) Bi.O』・MoO=Bi,MoO,=(BiO).
Yūki Gōsei Kagaku Kyōkai,
1969
6
Nihon Genshiryoku Gakkaishi: Journal of the Atomic Energy ...
を視野に入れた鉛ビスマス冷却小型自然循環炉〖 5 万ぉ巧^ )の概念が紹介された。また,球形炉,し 45 炉(鉛ビスマス冷却小型炉) , 1 ^ ? 1 ? (鉛ビスマス冷却長寿命小型炉)についても紹介された。さらに,中性子束,核種密度,出力分布などの空間分布形状を ...
Nihon Genshiryoku Gakkai,
2004
7
日本金属学会誌 - 第 57 巻 - 159 ページ
日本金属学会. 趙 Table1 Temperature dependence of the electromotive forces for the cell、Pt/Ni(s)、NiO(s)|ZrO2(+Y2O3)|Te-Bi(1),. 活量を得ている。したがってこれら 2 つの測定方法どうしのそれぞれの両成分の一方の成分の活量値から、他方の成分 ...
8
Journal: Pure chemistry section - 第 91 巻 - 48 ページ
100 80 60 20 0 2 4 6 8 10 時 10 ゅ 0 試料: — — :グリセリン含有水酸化ビスマス:マンニット含有水敁化ビスマス溶出液: 3000 ? ^がめ— — 0: 2 ,ひ. 1 ,參: 0.1 図 4 水酸化ナトリウム水溶液による塩素イオンの洧出度の大きいほど溶出速度は大きい。溶出お度 ...
9
Journal - 第 6 巻、第 2 号 - 8 ページ
ビスマスに対する黒培の耐食性・ up 団( e などの拝栖かつ広堀な研究が液体金負ぬ科原子炉( LMFR )の II 発時になされ・梓二この目的に作られた黒鉛では・ 35hr の使 m で 0 ・ 59 /cc程度のビスマス uptake であることが示されたの。求た・長時間使用に対し ...
Nihon Genshiryoku Gakkai,
1964
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«ビスマス» 단어를 포함하는 뉴스 기사
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ビスマス半導体、50年の時を経てようやく実証
あるAnonymous Coward 曰く、 東京工業大学は9月4日、ビスマスの薄膜が半導体としての性質を持ち、次世代の高速電子デバイスとして可能性があることを発表した。金属元素ビスマス （Bi）は固体の状態でディラック電子を持つことは分かっていたが、半導体 ... «財経新聞, 9월 15»
半金属のビスマスを薄膜にすると半導体になる−東工大が確認、電気的 …
東京工業大学大学院理工学研究科の平原徹准教授らの共同研究チームは、半金属のビスマスを薄膜にすると半導体になることを突き止めた。高品質のビスマス薄膜を作り、電気的性質を測定して確かめた。次世代の高速電子デバイスの有力な材料になる可能 ... «日刊工業新聞, 9월 15»
東工大、半金属のビスマスが薄膜化によって半導体に変わることを実証
東京工業大学は9月4日、半金属であるビスマスを薄膜化すると、その電気的な性質を半導体に変えられることを実証したと発表した。 同成果は東京工業大学大学院理工学研究科の平原徹 准教授、東京大学の長谷川修司 教授、自然科学研究機構分子科学 ... «マイナビニュース, 9월 15»
広島大など、理論的に予言されていた液体ビスマス中の構造の実証に成功
広島大学は8月27日、理論的に予言されていた液体ビスマス中の原子が等間隔に整列した構造(パイエルス歪)の実証に成功したと発表した。 同成果は、同大の乾雅祝 教授、梶原行夫 助教、宗尻修治 准教授、熊本大学の細川伸也 教授、慶應義塾大学の千葉 ... «マイナビニュース, 8월 15»
住友電工、引っ張り強度４００ＭＰａの超高強度ビスマス系高温超電導 …
住友電気工業は許容引っ張り強度を同社従来品比で約５割増の４００メガパスカルレベルに高めた、超高強度ビスマス系高温超電導線材を開発した。磁束密度が２０テスラ程度の超高磁場領域でも使える。 開発した超電導線材. 「ＤＩ―ＢＳＣＣＯタイプＨＴ―ＮＸ」 ... «日刊工業新聞, 4월 15»
【モンスト攻略】ビスマス中尉登場「激闘のマッスル海戦！」に挑む【極 …
【モンスト攻略】ビスマス中尉登場「激闘のマッスル海戦！」に挑む【極&上級&中級】. 2015/04/18 15:25 ライター： maaai0813コメント：0. 今回は、【ビスマス中尉】をゲットするため「激闘のマッスル海戦！」の中級・上級・極を攻略しました。 20150417-MS-new - 5. «AppBank, 4월 15»
トポロジカル絶縁体の表面ディラック状態の量子化を実証
共同研究グループは、トポロジカル絶縁体の1つ「(Bi0.12Sb0.88)2Te3」（Bi：ビスマス、Sb：アンチモン、Te：テルル）の高品質薄膜の作製手法を確立し、ほとんど結晶欠陥のない（内部に電流が流れることがない）薄膜の作製に成功しました。これを用いて電界 ... «理化学研究所, 4월 15»
東工大、温めると縮む新材料を発見
東工大や中央大、京都大などの研究グループは、酸化物BiNi1-xFexO3(ビスマス・ニッケル・鉄酸化物)に着目、大型放射光施設SPring-8を使って精密な結晶構造や結晶の体積変化のしくみを調べ、負の膨張が起きる温度域や温度履歴をコントロールするため ... «ASCII.jp, 3월 15»
磁気メモリの新材料が登場か――ビスマスフェライトで新方向の電気分極 …
徳永准教授らの研究グループは、産総研で作成されたビスマスフェライトの単結晶試料を用いて、パルスマグネットを使った強磁場下で、磁気的な電気的応答を測定した。この結果、結晶のc軸と平行な電気分極とは別に、「これと垂直な電気分極が存在する」 ... «EE Times Japan, 1월 15»
産総研ら、未来の磁気メモリ材料開発で新たな電気分極成分を発見
その有力な候補物質として、磁性体であり強誘電体でもある「ビスマスフェライト」が注目されてきた。 東京大学物性研究所の徳永将史准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所、福岡大学、上智大学、青山学院大学と協力、瞬間的に大きな磁場を発生 ... «インターネットコム, 1월 15»