«カーバイド» 관련 일본어 책
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1
図解入門業界研究最新化学業界の動向とカラクリがよーくわかる本:
しかしこの方法では、電力需要と電力生産のタイミングがうまく合わず、細切れの余剰電力が常に生まれます。これを活用して生まれた電気化学工業がカーバイド工業でした一九〇一年、藤山{吊一は仙台郊外の三居沢でカーバイドの試験生産に成功し、一九〇 ...
当初の社名はカーバイドの製造を目的とした「日本カーバイド商会」であった。アセチレンランプ用としてのカーバイドの需要は少なく、翌年日本窒素肥料会社を設立して、カーバイド工場を日窒水俣工場と改めた。カーバイドに窒素を反応させ、化学肥料としての ...
3
新潟水俣病問題: 加害と被害の社会学 - 164 ページ
の復興期を迎え食糧増産のため化学肥料の需要が増大し、カーバイドからアセトアルデヒドを造る肥料カーバイドを生産する。しかし、食糧事情が安定してくるとカーバイド業界は徐々に肥料カーバイドから別の方向性へと生産の転換をせまられるようになる。
4
Tōhoku chihō denki jigyōshi - 38 ページ
当時はカーバイドの用途としては灯火用(灯台,鉱山の安全灯,漁船,自転車などの灯火)で,近代的大工業として発展しうる事情にはなかった。(注)仙台の三居沢は.わが国カーパイドエ業発祥の地であり,明治 34 年.藤山常一氏が宮城紡綾電灯会社の技師長として ...
Tōhoku Denryoku Kabushiki Kaisha, 1960
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日本の化学工業50年のあゆみ: 日本化学工業協会創立50周年記念
カーバイド工業の密閉式電 51 炉採用力喉ソーダ工業とともに電気化学工業を支えていたのはカーバイド工業であったが,戦前および戦後復興期の主力製品は石灰窒素であった。ところが,硫安工業の合理化に伴う肥料形態の多様化が進むなかで,石灰窒素の ...
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地方強化で減税 県関係3社が全国初認定
認定されたのは、住宅建材メーカー『YKKAP』と、化学品メーカー『日本カーバイド工業』、医薬品製造・販売『ダイト』のあわせて３社です。 県の提出していた地域再生計画が２日、総理大臣に認定されたことを受けて、知事から３社に認定通知書が交付されました。 «チューリップテレビ公式サイト, 10월 15»
日本カーバイド、４カ所の研究開発部門を集約
日本カーバイド工業は2015年9月8日、主力工場である早月工場（富山県滑川市）敷地内に新しい研究開発センターを建設すると発表した（図）。同年10月に着工し、2016年10月に竣工する予定だ。投資金額は約25億円を予定している。 新拠点は3階建てで、延 ... «日本経済新聞, 9월 15»
「未来の半導体」で省エネ
半導体メーカーのロームが、電装化が進む自動車向け事業を強化している。「次世代半導体の本命」とされるシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を使った製品の開発で世界をリードしており、ハイブリッド車（ＨＶ）の電気を制御する基幹部品などへの採用を目指す。（岸本英樹 ... «読売新聞, 9월 15»
鳥取県産業技術センター、耐食性と耐摩耗性を併せ持つコーティング技術 …
鳥取県産業技術センターの今岡睦明特任研究員は、耐食性と耐摩耗性を併せ持つコーティング技術を開発した。クロムと酸素、炭素の化合物であるクロムオキシカーバイドを物理的気相成長（ＰＶＤ）法の一種であるイオンプレーティング法で製膜する。 «日刊工業新聞, 6월 15»
これがGaNパワー素子を“生かす道”、Infineonが見解示す
現行のSi（シリコン）に続く次世代のパワー半導体としてInfineon社が注力していたのは、GaN（窒化ガリウム）ではなくSiC（シリコンカーバイド）だった。しかし、同社はIR社の買収によって、SiCとGaNの両方を手掛けるようになった。Infineon社は現在、GaN関係 ... «日経テクノロジーオンライン, 5월 15»
新日本理化が急伸、仕掛け的な動きが短期資金の関心を誘う
仕手系材料株として位置づけの高い銘柄であり、全般的に物色の手掛かり材料が乏しくなってきている中、仕掛け的な動きが短期資金の関心を誘っているものとみられる。なお、同社の急伸が刺激となる格好で、ルック<8029>やカーバイド<4064>など、一部の ... «株探ニュース, 2월 15»
日本カーバイド工業／子会社のニッセイを吸収合併
日本カーバイド工業／子会社のニッセイを吸収合併. 連結子会社の吸収合併（簡易合併・略式合併）に関するお知らせ. 当社は、平成26年9月26日開催の取締役会において、下記のとおり、当社の完全子会社であるニッセツ株式会社（以下「ニッセツ」）を平成26 ... «物流ニュースリリース, 9월 14»
SiC（シリコン・カーバイド）
SiC（シリコン・カーバイド）とは、次世代パワー・デバイス（パワー半導体）に用いられる材料のこと。SiCパワー・デバイスを、既存のSi（シリコン）パワー・デバイスの代わりに、インバータやDC/DCコンバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や ... «EDN Japan, 8월 14»
次世代パワーデバイスの理想性能に近づく絶縁膜材料作製手法を開発 …
ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業において、東京大学 大学院工学系研究科の喜多 浩之 准教授らは次世代のパワーデバイス注１）材料として期待されるシリコンカーバイド（ＳｉＣ）注２）上に形成される絶縁膜材料との間の「界面欠陥注３）」を大幅に低減し、理想性能 ... «科学技術振興機構, 7월 14»
丸くて薄い革命が起こっている
さきごろトヨタ自動車では、ハイブリッドの燃費を劇的によくするというシリコンカーバイドを使ったパワー半導体を近い将来導入すると発表した。記者発表会場に出かけてみると、「劇的」な製品は、小さくて薄いプリングルスのようなものにすぎなかった。こちらは、 ... «GQ JAPAN, 5월 14»
