«かくさん‐でんりゅう» 관련 일본어 책
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高校化学からはじめる半導体 - 157 ページ
順方向電流である再結合電流 V は導出がむずかしいので省略し,ここでは最終的な結果を式( 4 ・ 28 )に示します.拡散電流が式(4・25)に示すように c'''という電圧依存性であるのに対し,再結合電流の電圧依存性は c ' ' 'となります。一般に pn 接合を流れる電流 ...
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よくわかる最新さびの基本と仕組み: 腐食・防食の常識 - 142 ページ
イオンは、拡散、泳動、対流によって移動鉄イオンは土壌の電解質溶液中を主に拡散で移動漏れ電流とは、電解質溶液中の鉄イオンの移動地中を流れる漏れ電流の駆動力レ I ルから漏れた電流は、変電所へ向かって土壌中を流れます大地の土壌は、砂と ...
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実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 13 ページ
13 - 11 接合に電圧を印加した時の電流-電圧の変化を電流-電圧特性といい、英語表記では 1 - V 特性ともいいます。かひ接合の場合は電流が ... この時に発生するのはキャリアの生成電流と中性 II 型領域で発生する拡散電流です。まずは空乏層で発生する ...
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Handōtai, IC yōgo jiten - 40 ページ
これを拡散電位という.すなわち,卩領域から^ [領域への正孔の拡散及び X 領域から I3 領域への電子の拡散とを阻止する方向に電位差が現われて熱平衡が保たれる.拡散電流(かくさんでんりゅう)ポ^ 18100 011 ) - ^ ! ! (半導体中のキヤリャ密度が不均ーな場合 ...
飯田隆彥, Hiroshi Kodera, 山賀威, 1977
し 0 のキャリア輸送において,ドリフト過程の利用に加えて拡散過程の効果的利用が考えられる。これは傾斜ポテンシャルの空間プロフィ一ルを制御することによって効果が上がるかもしれない。拡散によるホール電流ムの定義は,ん二ゴ'^'き(ァ) 061 ここで!
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図解入門よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み: - 74 ページ
そのためには不純物の濃度も変わりますし、不純物領域(以下、拡散層と呼びます)の深さも異なります。 ... 0 加速エネルギーやビーム電流が異なるイオン注入プロセスこのような拡散層(イオン注入領域)は不純物の濃度や拡散の深さ(接合の深さ)が異なります。
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よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み: プロセスの全体を俯瞰する : あなたの知らない半導体の秘密がわかる
そのためには不純物の濃度も変わりますし、不純物領域(以下、拡散層と呼びます)の深さも異なります。 ... 型〝理速エネ縄ヒギーやビ`〝プム電流が異なるイオン注入プ旦督ス~~このような拡散層(イオン注入領域)は不純物の濃度や拡散の深さ(接合の深さ)が ...
これが拡散寬位である.かくさんでんりゅう拡散電流〔( !ほひ 5 〖 011 0111 * 1 - 6110 半導体 5 ( 1 の中の^子,正孔#等のキヤリアは,電場によって運動するば力、りではなく,それ自身の澳度の勾配によって流れる.これを拡散電流という.トランジスタのペース領域 ...
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最新電気・電子用語中辞典: JIS & 学術用語最新版に基づく - 109 ページ
0( 6 は 0 『拡散接合形半導体検出器〔かくさんせつごうがたはんどうたいけんしゅつき〕〔 8224001 '原子力]ほト 1 拡散光〔かく ... 011 001181&111 拡散疋数〔力 1 くさんていすう〕〔 79 学術'電気] ^1^1181011 011 ひ 6111 拡散電流〔かくさんでんりゅう〕〔 79 ...
Keisuke Fujioka, Intā Puresu, 1987
拡散^とは.问一の相での濃度差に基づく移動のこと.拡敗電位かくさんでんい〔 78 化] &「?113:00 110 ( 6111131 組成または澳度の ... 拡散電流かくさんでんりゆう[電化] ^1^11810110111-1-001 窗 14 反に、において, 1 お極界面〜の物質の供給が電啄反応 ...
