«シラン‐ガス» 관련 일본어 책
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化学実験における事故例と安全: - 127 ページ
いて広く利用されており,おおむね気相状態で用いるが,特殊材料ガスは燃焼性(爆発性),毒性および腐食性の高いものが多く,半導体の製造・研究等に使用 ... シランは不活性ガスの添加により爆発下限界濃度が低くなり,通常の可燃性ガスの爆発性とは異なる.
アモルファスシリコンの代表的な製造法が、シランガス( SiH4 )を用いたプラズマ化学気相成長法(プラズマ CVD)です。シランガスが導入された真空装置の中でガラス基板と上部電極板の間に高電圧をかけて放電し、シランガスを分解します。シラン分子から分解 ...
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メイド・イン・ジャパンの逆襲: 注目技術の核心
一 HQ 〟凵 C ヾ用審囁怯一 Q パ州多韓晶シリコンの製造フロー(園豪 2 - 2 - 2 )流動層反応五水素還元譬〝~野ニ~一量管野袖~ご~ ~ ~ーー珪石( Si02)金属シリコントリクロルシランガス多結晶シリコンロッドラ王) Siemens 法と言われる方法これは、まず金属 ...
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Bungei shunjū - 第 60 巻、第 3～4 号 - 102 ページ
ヌでシランガスを分解して、幕板の上にァモルファス^シリコンを薄く出させる、というやり方である。桑野室長の案内で、これもほとんど外部の人には見学させないという淀川分室のパィ 0 プト.ブラントを見せてもらったが、ブラント(ステンレス製)は長さ六メ I トル、髙 ...
あるという。そうすると、水素ガスが過剰になってしまう。水素ガスは酸素ガスあるいは空気と混合しい粉末の酸化ケィ素が生成されてしまう。実際にこれができてパイブ内に目づまりを起こすことがよく不調で未反応のシランガスがパー一一ング装置に流れてくれ ...
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Journal: Pure chemistry section - 第 89 巻、第 7～12 号 - 74 ページ
4 セシウム,メチルフエニルテトラフルオルシリケ一ト:メチルフュニルジフルオルシランし 58 8 (り. ... ふフッ化水^酸 638 とを室温でかきまぜ,発生するジメチルジフルオルシランの気体を水を入れた洗浄ビンを; I して塩化水素ガスを除き,ついで水酸化ナトリゥム ...
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図解入門業界研究最新化学業界の動向とカラクリがよーくわかる本:
第一次大戦後のドイツ化学業界での大統 A ロー G 設立にも巻き込まれるこ*クロルシランケイ素に水素 4 つ付いた化合物がシランで半導体用ガスです。ケイ用語解説素に塩素やメチ丿レ墓が付いた化合物が 4 塩化ケイ素やメチルクロルシランです。
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実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 2 ページ
0 多結晶シリコンの作り方の模式図(図表 2 - 2 〉返兀赢^水#遂兀贫珪石( 5102 )金属シリコン 0 シリコン系ガス多 ... 法と言われる方法この方法は、まず硅石を還元して金属シリコンにし、それを流動層反応(約 30010 を用いて、トリクロルシラン(ィ匕学式; ^ !
... 六弗化ウラン、フルトニゥム、クセノン、クリフトン、アルゴン、弗素その他放射性流体原子力工業多目的高温ガス炉、ウラン濃縮、 ... シリコン製造装置超高純度ガス( ( ^、吣、お電子工業シラン、ドウビング、ホスフィン等ガス重電機工業発電機、タービン、変圧器 ...
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高校化学からはじめる半導体 - 132 ページ
基本的には,図 3 - 25 に示すように加熱した反応管(石英などの管)内に基板を置き,そこに原料ガスを供給して膜を作製します.これは ... シリコンの CVD では,四塩化シリコン SiCl ,シラン SiH 』またはその中間物(トリクロロシラン SiHCl 』など)が用いられます.
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太陽光エネルギーをより手頃な価格で– REC、革新的な粒状多結晶 …
当社は粒状多結晶シリコン、浮遊帯域法（高純度多結晶シリコン）による多結晶シリコン、シランガスの生産でナンバーワンの地位にあり、業界をリードしている企業です。 RECについて. RECは太陽エネルギー業界における有数の垂直統合企業です。RECは ... «Business Wire, 9월 11»
「垂直統合化」と「水平分業化」の「両立」を目指す？---シャープ記者懇談 …
シランガスを使いますから，ガスの供給プラントからガラス基板など，さまざまなハンドリングを共有化できます。つまり，液晶パネルと薄膜太陽電池の工場を同時につくることでインフラのトータルコストを抑えられると考えています」。 なるほど，液晶パネルと太陽 ... «Tech On!, 8월 07»