일본어 사전에서 "ショットキー‐しょうへき" 뜻

일본어 에서 ショットキー‐しょうへき 의 발음

しょっときー
ショットキー	‐	しょう	へ	き
syottoki-		syou	he	ki

일본어에서 ショットキー‐しょうへき 의 뜻은 무엇인가요?

일본어 사전에서 ショットキー‐しょうへき 의 정의

쇼트 키 장벽 [쇼트 키 장벽] 금속과 반도체의 접촉면에 생기는 정류 작용을 갖는 계면. 양자의 일 함수의 차이가 장벽의 높이에 해당한다. 이 정류 작용을 이용한 쇼트 키 다이오드가 만들어졌다. 쇼트 키 배리어.

ショットキー‐しょうへき【ショットキー障壁】 金属と半導体との接触面に生じる、整流作用をもつ界面。両者の仕事関数の差が障壁の高さに相当する。この整流作用を利用し、ショットキーダイオードがつくられた。ショットキーバリア。

ショットキー‐しょうへき 의 번역

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• 일본어 - 중국어 번역기: 肖特基势垒
• 일본어 - 스페인어 번역기: Barrera Schottky
• 일본어 - 영어 번역기: Schottky barrier
• 일본어 - 힌디어 번역기: Schottky बाधा
• 일본어 - 아랍어 번역기: حاجز شوتكي
• 일본어 - 러시아어 번역기: Барьер Шоттки
• 일본어 - 포르투갈어 번역기: Barreira Schottky
• 일본어 - 벵골어 번역기: Schottky বাধা
• 일본어 - 프랑스어 번역기: Barrière de Schottky
• 일본어 - 말레이어 번역기: halangan Schottky
• 일본어 - 독일어 번역기: Schottky-Barriere
• 일본어: ショットキー‐しょうへき
• 일본어 - 한국어 번역기: 쇼트 키 장벽
• 일본어 - 자바어 번역기: Schottky alangi
• 일본어 - 베트남어 번역기: Hàng rào Schottky
• 일본어 - 타밀어 번역기: ஷாட்கி தடை
• 일본어 - 마라티어 번역기: Schottky अडथळा
• 일본어 - 터키어 번역기: Schottky
• 일본어 - 이탈리아어 번역기: Barriera di Schottky
• 일본어 - 폴란드어 번역기: Schottky´ego
• 일본어 - 우크라이나어 번역기: Бар´єр Шотткі
• 일본어 - 루마니아어 번역기: Barieră Schottky
• 일본어 - 그리스어 번역기: Φράγμα Schottky
• 일본어 - 아프리칸스어 번역기: Schottky versperring
• 일본어 - 스웨덴어 번역기: Schottky-barriär-
• 일본어 - 노르웨이어 번역기: Schottky

«ショットキー‐しょうへき» 관련 일본어 책

다음 도서 목록 항목에서 ショットキー‐しょうへき 의 용법을 확인하세요. ショットキー‐しょうへき 에 관련된 책과 해당 책의 짧은 발췌문을 통해 일본어 서적에서 단어가 사용되는 맥락을 제공합니다.

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 13 ページ

ショッ卜キ一障壁(バリア)このような約束ごとを元に以下に話を進めます。ここではショットキー障壁(バリア)を学びます。表記はショットキー障壁、ショットキーバリアなどがあります力、 4 - 8 で、これを応用したダイオードを通常ショットキーバリアダイオードと呼ぶ ...

佐藤淳一, 2011

傾斜機能材料の技術展開 - 271 ページ

またオーム性接合は,逆に電圧低下を最小限に抑え,効率よく半導体側に電流注入する機能が求められる電極である。従って,できる限りショットキ一障壁を小さくするかドーピング濃度を上げることによつて空乏層幅を狭くする界面構造を形成しなければならない。

上村誠一, ‎野田泰稔, ‎篠原嘉一, 2009

高校化学からはじめる半導体 - 162 ページ

一方,半導体の伝導帯の電子は,金属側に移るには y 』の障壁を越えなければいけません.この y 』は pn 接合で定義したのと ... 導出は省略しますがショットキー接触の電流電圧特性は次の式で与えられま* 7.2 7 = 4 * 7 '。一 y ( cy - 1 ) , 4-# (4・36)ここで 4*を ...

市村　正也　, 2011

白色LED照明システム技術と応用 - 120 ページ

ぉゾ^)は同じ高さになり,金属側には 03 なるショットキー障壁が形成され半導体内部には拡散電位《V ^が形成される。 4 「 X 依―ん5 (2) 6\^0~^~^5 い)このショットキー桉触は,順方向に電圧!/が印加されると半導体のフエルミレベルの変化により半導体側の障壁 ...

田口常正, 2008

半導体が一番わかる - 81 ページ

またゲート電極には、たとえばアルミニウム電極がガリウムヒ素半導体とショットキー接触(金属ー半導体接合)でつながっているショット ... このような整流作用が生じるのは、金属と半導体の界面に電気的な壁(モデル提唱者にちなんでショットキー障壁と呼ぶ)が ...

内富直隆, 2014

半導体基礎用語辞典 - 58 ページ

金属から半導体へはなる電位障壁があり,これを越えて半導体へ流入するわずかな電子が電流となって流れる.これが逆方向バイアスの状態である.したがって,ショットキー障壁には,順方向バイアスで電流が流れやすく,逆方向バイアスで電流が流れにくいという ...

米津宏雄, 1989

ナノメタルの応用開発 - 237 ページ

層幅を狭くする界面構造を形成しなければならない:金属とひ型及びロ型半導体を接触させた界面には,図 2 に示すようにショットキー障壁が形成され,半導体側に空乏層が存在している:この障壁を含むショットキー接合は整流性を持っ。ここで,空乏層はキャリア ...

井上明久, 2008

Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...

界面相,格子欠陥,界面準位などが存在しないとしたときの金属,半導体界面の電子準位模型(ショットキ一の模型)では,ショットキ一障壁は金属の仕事関数ん,半導体の仕事関数ん電子親和カズとバンドギャップ凡で記述される.ならば,接触後の金属のフェルミ面の ...

James L. Davis, 2002

写真用語辞典 - 196 ページ

この障壁をショットキー障壁といい,そのような接合をショットキー接合という。金属の仕事関数を",半導体の仕事関数を^とすると, 11 型半導体の場合, ?^〉^ならショットキー障害を形成し,んく^ならオーム性となる。 1)型半導体の場合は逆に"ぐんでショットキー障壁を ...

日本写真学会. 写真用語委員会, 1988

半導体基礎用語辞典 - 58 ページ

ショットキー障孽では.噸方向電^は多 8 :キャリアによって折われる.ショットキー障壁の動作には少&キャリアが圉与しないために.蓄铕効果などがなし動作速度が速い.したがって,高速動作や;まい口 0 接合を作りにくいデバイスには.ショットキー障^が用いられる。

Hiroo Yonezu, 1989