중국어 사전에서 "存储单元" 뜻

중국어 에서 存储单元 의 발음

存	储	单	元
cún	chǔ	dān	yuán

중국어에서 存储单元 의 뜻은 무엇인가요?

중국어 사전에서 存储单元 의 정의

한 단어 또는 수 바이트의 기본 단위는 메모리 장치의 메모리에 저장할 수 있습니다. 메모리의 메모리 위치를 구별하기 위해 각 메모리 위치에는 고유 한 주소 코드가 있습니다.

存储单元 存储器中可存放一个字或若干字节的基本单位。为区别存储器中的存储单元，每个存储单元都有唯一的一个地址编码。

存储单元 의 번역

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• 중국어: 存储单元
• 중국어 - 스페인어 번역기: La unidad de almacenamiento
• 중국어 - 영어 번역기: Storage unit
• 중국어 - 힌디어 번역기: भंडारण इकाई
• 중국어 - 아랍어 번역기: وحدة التخزين
• 중국어 - 러시아어 번역기: блок хранения
• 중국어 - 포르투갈어 번역기: unidade de armazenamento
• 중국어 - 벵골어 번역기: সংগ্রহস্থলের ইউনিট
• 중국어 - 프랑스어 번역기: unité de stockage
• 중국어 - 말레이어 번역기: Unit simpanan
• 중국어 - 독일어 번역기: Speichereinheit
• 중국어 - 일본어 번역기: ストレージユニット
• 중국어 - 한국어 번역기: 기억 부
• 중국어 - 자바어 번역기: Ing unit panyimpenan
• 중국어 - 베트남어 번역기: đơn vị lưu trữ
• 중국어 - 타밀어 번역기: சேமிப்பு அலகு
• 중국어 - 마라티어 번역기: स्टोरेज युनिट
• 중국어 - 터키어 번역기: depolama ünitesi
• 중국어 - 이탈리아어 번역기: Mobile contenitore
• 중국어 - 폴란드어 번역기: urządzenie pamięci masowej
• 중국어 - 우크라이나어 번역기: блок зберігання
• 중국어 - 루마니아어 번역기: unitate de stocare
• 중국어 - 그리스어 번역기: Η μονάδα αποθήκευσης
• 중국어 - 아프리칸스어 번역기: stoor eenheid
• 중국어 - 스웨덴어 번역기: lagringsenhet
• 중국어 - 노르웨이어 번역기: lagringsenhet

«存储单元» 관련 중국어 책

다음 도서 목록 항목에서 存储单元 의 용법을 확인하세요. 存储单元 에 관련된 책과 해당 책의 짧은 발췌문을 통해 중국어 서적에서 단어가 사용되는 맥락을 제공합니다.

计算机原理教程 - 第 25 页

而其余的存储单元选通线都是 0 ,这样被选择工作的存储单元只能是 010 号。 3 ) RAM 工作原理不论有多少个存储单元的 RAM ,只要控制线 M 。二 0 ,那么这个 RAM 就不能进行总线上的数据传输, RAM 要与总线上的其他设备进行数据交换,必须在 M ...

姜咏江, 2005

数字电路与系统: - 第 255 页

+c<十5V ) (a)单元写 1 ,则读写电路使 1 位线的电位降低为 0 · 7V ,而 0 位线仍为 1 · 4V (见图 11 · 1 · 7 ( & ) )。这样,无论存储单元原来处于什么状态·都将迫使 T ,截止、 T ,导通·存储单元进入 1 状态·即写入了数据 1 。若要对存储单元写 0 ,则 0 位线的 ...

刘宝琴, 1993

计算机科学概论 - 第 22 页

这个二进制位的容器称为主存储钨( mainmemo 叮) ,简称主存。 1 · 2.1 存储器结构在计算机主存储器中存放二进制位的电路是按称为存储单元( ce 们的可管理单位组织的,一个典型的存储单元的容量是 8 位。(一个 8 位的串称为一个字节( b 扦 e )。所以 ...

布鲁克希尔, 2005

C语言程序设计 - 第 2 页

内存储器是计算机的记忆设备,存储程序和数据。它常常涉及以下术语: ·位( bit )存储一个二进制代码 0 或 1 的最小单元称为位,简写为 b 。·字节( byte )连续的 8 个位组成的存储单元称为字节·简写为 B 。·字( word )连续多个字节组成的存储单元称为宇。

徐连信, 2005

超大规模集成电路设计导论 - 第 146 页

第二,在读放的两侧,各设置一个参考单元,它的存储电容值为 Q 胆,参考单元写入的内容是" 1 " ,即它的存储电容是处于充电状态。当某一个单元被选中进行读出时,总是使同一数据线与被选中单元线相对的一侧的参考单元也被选中,并对其进行读出。

蔡懿慈, ‎周强, 2005

数字电子技术基础 - 第 89 页

3 ·动态 RAM 的存储单元( DRAM )动态 RAM 存储数据的原理是基于 MOS 管栅极电容存储电荷效应。由于漏电流的存在,电容上存储的数据(电荷)不能长久保存,必须定期给电容补充电荷,以避免存储数据的丢失,这种操作称为再生刷新。早期采用的动态 ...

楚岩, ‎田莉娟, ‎林薇, 2006

程序设计教程(C/C++版) - 第 55 页

存储单元与数据长度内存区由若干存储单元构成,系统为每个存储单元分配了一个编号,称为地址。通常一个存储单元中存放一字节长度的数据,每个字节由 8 个二进制位构成,每个位可以用两个值表示,记作 0 和 1 。如果在程序中定义了一个变量,在编译 ...

彭旭东, ‎王成霞, ‎万红, 2005

计算机系统结构教程 - 第 113 页

( 4 )读写冲突当要读出的数据字和要写入存储器的数据字同处于一个存储字中时,读和写的操作就无法在同一个存储周期中完成。 4.2.2 低位交叉编址多体并行存储器一个存储器通常对存储单元是顺序编址的。由多个存储体(存储模块)组成一个更大容量 ...

尹朝庆, 2005

微机原理与接口技术习题与解析 - 第 113 页

lK 冯( U 单元数扩展:用上面的芯片组(每组 lKX8 位) 4 组,将容量最终扩展到 4KX8 位。即 2 片/组 X4 组二 8 片。注:这 8 片如作为 8088 系统或 8086 系统的存储容量的扩充,其拼放方式有所不同,如图工 4 所示。对 8088 系统对 8086 系统倔炎 lK 冯 4KB ...

温阳东, ‎鲍远慧, 2006

计算机信息技术基础教程 - 第 10 页

存储器是有记忆能力的部件,用来存储程序和数据,存储器可分为两大类:内存储器和外存储器。内存储器简称内存。也叫随机存储器( RAM4 ) ,这种存储器允许按任意指定地址的存储单元进行随机地读出或写入数据。由于数据是通过电信号写入存储器的, ...

邬建平, 2006

«存储单元» 단어를 포함하는 뉴스 기사

다음 뉴스 기사의 맥락에서 국내 및 국제 언론이 말하는 내용 및 存储单元 단어를 사용하는 방법을 알아보세요.

三星发布全新850 EVO：三代技术、业界最快

三星的实现方式很简单，每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash（简称CTF）结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术，通过18亿 ... «驱动之家, 9월 15»

存储结构从2D走向3D_\"黑科技\"怕了没小白如何搞懂3D Xpoint

3D Xpoint让存储变得立体化，那么在立体化的空间里排布存储单元就与在平面里排布有所不同。基于3D Xpoint技术的存储介质中，通过垂直导线连接着多达1280亿个 ... «中关村在线, 8월 15»

三星宣布量产最牛3D闪存：MLC颗粒好评

据悉，在新一代V-NAND闪存中，每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash（简称CTF）结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术， ... «cnBeta, 8월 15»

英特尔3D XPoint技术内存读写快千倍

此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储密度也提升高达10倍。 英特尔和 ... 可堆叠——除了紧凑的交叉点阵列结构之外，存储单元还被堆叠到多个层中。目前，现 ... «泡泡网, 7월 15»

高效存储单元三星EVO 16GB SD卡特卖

三星EVO 16GB SD存储卡拥有准专业的产品素质，高速接口、精品颗粒、高能防护等众多特点让这款存储卡在数码玩家中得到了广泛认可。如今这款SD卡在京东商城 ... «中关村在线, 4월 15»

NAND技术未来两个发展方向

然而，当制造工艺技术需要向更小的制程发展时，存储厂商们的更大的挑战发生了转移。制程的缩小意味着同样容量的存储单元需要占用更少的面积，各个存储单元之 ... «存储在线, 4월 15»

高效存储单元BIWIN Elite A816 SSD低价

BIWIN A816 60GB固态硬盘采用了2.5英寸标准规格打造，采用了较为入门的容量设置，出色的数据读写速度让其非常适合作为PC平台的高效存储单元和系统安装盘 ... «中关村在线, 4월 15»

泽云科技视频监控专用统一中心存储单元

泽云科技ZS1024E视频监控专用统一中心存储单元是深圳泽云科技专为视频监控存储而开发的一款核心级存储设备，其采用标准服务器型4U机架(机架本身具备24个 ... «比特网, 3월 15»

10TB固态硬盘要来了！

据悉，在过去的固态硬盘技术中，只能在平面方向上“挤入”更多的闪存存储单元，这种技术在闪存密度和存储容量上，已经接近“江郎才尽”。因此，英特尔和美光的技术 ... «驱动之家, 3월 15»

相伴十年牵手三星铸就消费级SSD典范

此前闪存芯片所采用的2D平面型NAND技术是众多SSD厂商所采用的，该技术最大的瓶颈就在于，临近存储单元的堆放密度极限，如何在同等面积下容纳更多的存储 ... «中关村在线, 2월 15»