중국어 사전에서 "晶体管" 뜻

중국어 에서 晶体管 의 발음

晶	体	管
jīng	tǐ	guǎn

중국어에서 晶体管 의 뜻은 무엇인가요?

트랜지스터

晶体管

트랜지스터 (트랜지스터)는 증폭, 스위칭, 조정, 신호 변조 및 기타 많은 기능에 사용할 수있는 견고한 반도체 소자입니다. 1947 년 John Barteen, Walter Brighton 및 William Shockley가 발명했습니다. 그 당시, Barteen, Bruton은 반도체 triode를 주로 발명했으며 Xiao Keli는 1956 년 노벨 물리학상의 반도체 및 트랜지스터 효과로 PN 다이오드를 발명했습니다. 트랜지스터는 반도체 재료로 구성되며 적어도 3 개의 단자 (극이라고 함)를 외부 회로에 연결할 수 있습니다. 트랜지스터는 입력 전류 또는 전압에 따라 출력 임피던스를 변경함으로써 출력을 통해 전류를 제어하므로 트랜지스터는 전류 스위치의 역할을 할 수 있고 트랜지스터 출력 신호의 전력은 입력 신호의 전력보다 커질 수 있기 때문에 트랜지스터는 전자 증폭기의 역할을 할 수있다. 트랜지스터는 개별 부품으로 사용될 수 있지만 상위 집적 회로의 트랜지스터 수는 개별 트랜지스터의 수보다 훨씬 많습니다. 적어도 10,000 개의 트랜지스터를 가진 초대형 집적 회로 (VLSI)와 같은. ...

晶体管（英语：transistor）是一种固体半导体器件，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體；肖克利則是發明PN二極體，他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 晶体管由半導體材料組成，至少有三個端子（稱為極）可以連接外界電路。晶体管基于输入的電流或电压，改變輸出端的阻抗 ，從而控制通過輸出端的电流，因此晶體管可以作為電流開關，而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率，因此晶体管可以作為电子放大器。 晶体管可作為分立元件使用，但應用有上積體電路中的晶体管數量遠大於分立晶体管的數量。例如超大規模積體電路（VLSI）其中至少有一萬個晶体管。...

중국어 사전에서 晶体管 의 정의

게르마늄, 실리콘 및 전자관으로 만들어진 기타 트랜지스터가있는 트랜지스터. 작은 크기, 충격을 두려워하지 않는 장점, 낮은 전력 소비, 라디오 기술 정류, 검출, 증폭 등에 사용.

晶体管 用锗、硅等晶体制成的电子管。优点是体积小、不怕震、耗电少，在无线电技术中用来整流、检波、放大等。

晶体管 의 번역

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«晶体管» 관련 중국어 책

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晶体管电路设计:

本书主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识与基本实验,涉及FET放大电路、功率放大器、模拟开关电路、振荡电路等。

铃木雅臣, 2004

邮票上的物理学史 - 第 409 页

体管打开了微型化的大门" ,右下角的缩微印刷文字是"贝尔实验室由肖克菜、巴丁和布拉顿组成的团队于 1948 年开发出晶体管" ,邮票画面的左部是他们的第一只晶体管的实验装置一片三角形塑料布用弹簧压在锗片表面上。同一装置也表示在图 62 - 5 ...

秦克诚, 2005

功率电子学: 原理与应用 - 第 178 页

大的功率,您可能无法使晶体管冷却到放大器可以工作的程度。如呆有适当的措施可以使它们保持冷却,那么单对 MOSFET 不可能发送远大于 30W 的功率。为了提供更大的功率,可以把几个 N 沟道 MOSFET 并联放置,而不是使用单个 N 沟道 MOSFET 。

雅各布, 2005

电子技术实践基础教程 - 第 69 页

具有卜 PN 和 PrP 结构的"标准"晶体管称为双极晶体管,即为通常意义上的半导体三极管,它采用两种不同极性的 PN 结进行工作;单极晶体管采用相同极性的 PN 结进行工作,也称为场效应晶体管。下面分别进行介绍。下文分别用半导体三极管和场效应 ...

杨圣, ‎江兵, 2006

市场调查手册 - 第 236 页

(四)晶体管标准规格化产品的大量应用,纵使其产品发展仍维持日新月异的研发改良,晶体管的市场生命周期已进人成熟阶段。 1948 年美国贝尔实验室的三位科学家,正式宣告发明晶体管,全球随之迈人微电子时代,自此固态化电子科技的发展一日千里。

中华征信所, 2003

电路与设备测试检修技术及仪器 - 第 299 页

( 3 )电容器 C ,短路电容器 C ,短路时,发射极电阻 R 。被短路,所以发射极电压为零。这时晶体管处于深饱和状态,有很大的饱和电流流过集电极,然而由于它的电流受到负载电阻 R ,的限制,最大值为 E , / R "这样就防止了晶体管损坏。此时基极电压必定比 ...

朱锡仁, 1997

晶体管原理

本书主要包括双极型晶体管和场效应晶体管两部分内容,重点阐述这两类器件的基本工作原理及其各种特性和参数。另外,还介绍了常用的器件模型 ...

刘永, ‎张福海, 2002

现代电力电子技术基础 - 第 9 页

乓= / p7 ,若定义晶体管共基极接法时的电流放大系数为"二邱则有公= HE 很显然,此,五和叮应遵守下列原则: fE =叮十垢即叮= ( 1 一 o ) fE 斤订,那么现定义 f 一( 1 一 0 ) E ( 1 一 Q )尸一一冗兰- ,1 (1.5) (1.6) (1.7) (1.8) (1.9)则尸就是晶体管共射极接法时 ...

赵良炳, 1995

现代电力电子器件及其应用 - 第 89 页

GTR 和 GTO 是用电流控制的自关断器件,虽然一个属晶体管类型,一个属晶闸管类型,但仍有很多共同之处,因而合并于本章讨论。其他自关断器件属于电压控制型,将于第 5 章中讨论。我们把 GTR 和 GTO 归并于一类,不仅是因为它们都属于电流控制型双 ...

华伟, ‎周文定, 2002

机电控制工程 - 第 88 页

提高晶体管的耐压,以避免击穿晶体管。随着半导体技术的发展,已出现多种类型的功率元件,其性能越来越好,使用越来越方便。目前常用的功率器件主要有三种类型:双极结型晶体管( GRT ) ,金属氧化物场效应晶体管( MOSFET )以及绝缘栅双极晶体管( ...

高钟毓, 2002

«晶体管» 단어를 포함하는 뉴스 기사

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NVIDIA帕斯卡核心恐怖曝光：170亿个晶体管

当然啦，帕斯卡有16nm FinFET新工艺的加持，核心面积应该能控制住，毕竟新工艺支持立体晶体管，体积可以大大缩小，据可靠消息称只有平面型的差不多1/3，因此 ... «驱动之家, 7월 15»

0.167nm晶体管达成：摩尔定律到此为止

来自英国卫报的消息，德国PDI固体电子学研究所、日本NTT基础研究实验室、美国海军等单位，近日研制出了目前最小的晶体管，直径是167皮米（0.167nm）。 «驱动之家, 7월 15»

IBM制成7纳米芯片晶体管数量超200亿

该公司表示，他们已经开发了一种测试芯片，使用的电路尺寸远小于市面上的产品，可以在硅片上的放入更多的晶体管。分析师表示，IBM的芯片原型采用了市场期待已 ... «新浪网, 7월 15»

可生物降解的柔性硅晶体管

美国威斯康星大学的研究者们基于一种从木质中提取出来的材料，研制出了一种可生物降解的硅晶体管，为未来绿色廉价的柔性便携式电子器材打开了一扇门。 «Scientific American, 7월 15»

世界最薄晶体管：厚度仅相当于3个原子

世界最薄电子产品”的有力竞争者来了，因为它竟然只有3个原子厚。根据今日出版的《自然》杂志上的一篇论文所述，研究人员们已经发现了一种制作超薄晶体管的新 ... «cnBeta, 4월 15»

未来CPU就靠它了：只有一个原子厚的晶体管

德州大学的科学家们创造出了世界上第一个硅烯晶体管，厚度只有一个原子。利用这种晶体管，科学家未来可能有一天会制造出耗能更少、功率更快的芯片。 随着石墨 ... «驱动之家, 2월 15»

集成19亿晶体管英特尔第五代酷睿发布

【IT168 资讯】北京时间1月6日，据国外媒体报道，英特尔正式在2015年CES展会上发布了第五代酷睿处理器系列，全面升级至最新的Broadwell架构，采用最先进 ... «IT168, 1월 15»

晶体管不用硅？美国让60年前的技术复活了

近日，美国普渡大学宣布，该校研究人员成功制造出了沟道采用锗(zhe)的CMOS晶体管。世界上第一个锗晶体管诞生于1947年。但是，由于n沟道MOSFET的制作较难、 ... «cnBeta, 12월 14»

晶体管继任者大步走来忆阻器或成计算机领域新宠

普通晶体管的替代者或许能在这个10年后进入市场，这预示着传统计算机功能结构将出现彻底性的重新设计。忆阻器——过去6年间大量研究的主题——将成为一系列 ... «人民网, 7월 14»

IGBT芯片科普：中文名“绝缘栅双极型晶体管”

IGBT是一种新型功率半导体器件，中文全名“绝缘栅双极型晶体管”。它是电力电子器件中技术最为先进、应用最为广泛的第三代器件。与微电子技术中芯片技术（CPU） ... «TechWeb, 6월 14»