मलय शब्दकोशामध्ये "inas" याचा अर्थ

मलय मध्ये INAS चा उच्चार

inas

मलय मध्ये INAS म्हणजे काय?

इनस

Inas

कुआला पिलह आणि टँपिनच्या जिल्ह्यादरम्यान असलेला लूक इनास गर्भवती भूमीतील इतर ल्युकच्या तुलनेत सर्वात जुना लूक आहे. नर्गरी सेम्बीलान बनवण्यासाठी नऊ लहान राज्यांचे विलीनीकरण करताना लुक इनास जेलाई म्हणून ओळखले जात होते. हे या लुकला पसरलेल्या प्रमुख नदीचे नाव आहे. त्याचे रहिवासी पश्चिम सुमात्रा मधील मिनांगकाबाउ जिल्ह्यातील स्थलांतरित आहेत, ज्याने जमीन शोधून काढली आहे, या परिसरात ओरांग असलीशी विवाह केला आहे आणि विवाह केला आहे. लयुक इनस यांच्या नेतृत्वाखाली दूतुक पेन्गुलू लुक आहेत जो आपल्या ल्युकमधील सर्वोच्च परंपरागत नेता आहे. भूतकाळात, कायदा कायदा म्हणून त्याच्या शक्ती कारण म्हटले होते, पण सरकारकडून प्राप्त भत्ता तुलनेने कमी होते कारण, स्थानिक समुदाय Datuk Penghulu Luak Inas साठी शीर्षक कायदा विपरीत होते 'Datuk योहान Pahlawan Walat कुला Dioh' जो 1750 च्या सुलतान ऑफ जोहर यांनी मान्य केलेली सीलमध्ये नोंद झाली आहे, जो अद्याप विद्यमान मेयर लुक इनस यांच्याकडून संग्रहित आहे.

Luak Inas yang terletak di antara daerah Kuala Pilah dan daerah Tampin merupakan antara Luak yang tertua dibandingkan dengan lain-lain Luak di Tanah Mengandung. Semasa penggabungan sembilan negeri-negeri kecil untuk membentuk Negeri Sembilan, Luak Inas dikenali sebagai Jelai. Ianya adalah bersempena dengan nama sebatang sungai utama yang merentangi Luak ini. Penduduknya pula terdiri daripada penghijrah dari Daerah Minangkabau di Sumatera Barat yang telah meneroka tanah, bermastautin serta berkahwin dengan Orang Asal di daerah ini. Luak Inas diketuai oleh Datuk Penghulu Luak iaitu sebagai ketua adat yang tertinggi di dalam Luaknya. Pada masa dahulu disebut juga Undang kerana kekuasaannya dalam Luaknya sama seperti Undang, tetapi kerana ganjaran berupa elaun yang diterima dari kerajaan agak rendah, maka masyarakat setempat memandang beliau tidak sama seperti Undang Gelaran bagi Datuk Penghulu Luak Inas ialah 'Datuk Johan Pahlawan Walat Kuala Dioh' seperti terakam dalam cop mohor yang diakui oleh Sultan Johor pada tahun 1760 yang masih tersimpan oleh sesiapa penyandang Datuk penghulu Luak Inas.

मलय शब्दकोशातील inas व्याख्या

मी माझ्याशी लग्न केले आहे. मान मध्ये फुफ्फुसाचा ~ sj बोल्डर. श्रेणी मधल्या विभागातील मध्यभागी

inas I; pekung ~ sj bisul pd tengkuk.
inas II Kl bahagian tengah drpd kisaran.

INAS चे भाषांतर

आमच्या मलय बहुभाषी भाषांतरकर्त्यासह inas चे 25 भाषांमधील भाषांतर शोधा.

या विभागात सादर केलेल्या मलय चा inas इतर भाषेतली भाषांतरे स्वयंचलित सांख्यिकीय भाषांतराद्वारे प्राप्त झाली आहेत; जिथे आवश्यक भाषांतर युनिट मलय चा «inas» हा शब्द आहे.

• भाषांतरकर्ता मलय - चीनी: 痈
• भाषांतरकर्ता मलय - स्पॅनिश: carbunco
• भाषांतरकर्ता मलय - इंग्रजी: carbuncle
• भाषांतरकर्ता मलय - हिन्दी: मसा
• भाषांतरकर्ता मलय - अरबी: جمرة
• भाषांतरकर्ता मलय - रशियन: карбункул
• भाषांतरकर्ता मलय - पोर्तुगीज: carbúnculo
• भाषांतरकर्ता मलय - बंगाली: পদ্মরাগমণি
• भाषांतरकर्ता मलय - फ्रेंच: escarboucle
• मलय: inas
• भाषांतरकर्ता मलय - जर्मन: Karbunkel
• भाषांतरकर्ता मलय - जपानी: カーバンクル
• भाषांतरकर्ता मलय - कोरियन: 옹
• भाषांतरकर्ता मलय - जावानीज: carbuncle
• भाषांतरकर्ता मलय - व्हिएतनामी: hồng ngọc
• भाषांतरकर्ता मलय - तमिळ: மாணிக்கம்
• भाषांतरकर्ता मलय - मराठी: माणिक
• भाषांतरकर्ता मलय - तुर्की: kan çıbanı
• भाषांतरकर्ता मलय - इटालियन: carbonchio
• भाषांतरकर्ता मलय - पोलिश: karbunkuł
• भाषांतरकर्ता मलय - युक्रेनियन: карбункул
• भाषांतरकर्ता मलय - रोमानियन: carbuncul
• भाषांतरकर्ता मलय - ग्रीक: ρουμπίνι
• भाषांतरकर्ता मलय - अफ्रिकान्स: smarag
• भाषांतरकर्ता मलय - स्वीडिश: böld
• भाषांतरकर्ता मलय - नॉर्वेजियन: karbunkel

«INAS» संबंधित मलय पुस्तके

खालील ग्रंथसूची निवडीमध्ये inas चा वापर शोधा. मलय साहित्यामध्ये वापराचा संदर्भ देण्यासाठी inas शी संबंधित पुस्तके आणि त्याचे थोडक्यात उतारे.

Current-phase Relationship of Nb-InAs(2DES)-Nb ...

NbO25 Gate Nb Nb Depletion layer a20nm» 2DES p-Type InAs (a) Nb a 120 nm » Nb SiO 2 p-Type InAs 2DES Depletion layer Nb (b) Gate GaAs substrate (c) Figure 2.1: Schematic cross sections of SNS Josephson junctions: (a) overlap ...

Mark Ebel, 2004

Scanning Probe Microscopy of Inas/Inp Nanowires

Bachelor Thesis from the year 2011 in the subject Physics - Other, grade: 1,0, LMU Munich, language: English, abstract: In this thesis the InAs(111)B surface and III-V semiconductor nanowires are investigated using scanning tunneling ...

Stephan Pröller, 2013

Solid State Physics: Advances in Research and ... - Halaman 59

tal measurements, the major exceptions being the predictions of early theories for the GaSb/AlSb and InAs/AlSb valence-band offsets. Theoretical band offset values for the InAs/GaSb/AlSb material system are summarized in Fig. 18 and Table ...

Gerard Meurant, 1992

Handbook of Crystal Growth: Fundamentals - Halaman 493

Due to the 7% lattice mismatch between InAs and GaAs, many shapes of self-assembled QDs can be fabricated depending on growth orientations. The InAs on the GaAs(001) produces a three-dimensional island shape on the InAs with ...

Tatau Nishinaga, 2014

MOCVD Growth and Electrical Characterisation of InAs ...

It is the aim of this book to contribute towards a better understanding of the fundamental material characteristics and in particular to improve on the current understanding of the growth dynamics of InAs.

Precious Shamba, 2011

Migration from the Russian Empire: June 1889-July 1890 - Halaman 90

3NI3H3S 'QNI)IH3Sia 62 d iNAS iMzzzzyy 3nva39 'zvdos 12 J iNAS iMzzzzaa 3NVH0 '3i3na 22 d iNAS ANZzzzyy vyvs 'AXSN3yiSv fr2 d iNAS ANZZZZdd vNzrwiwa 'vxsMOiawva ZI d iNAS ANZzzzyy 3H3Si3 'NNVWiilNHOS ZZ d iNAS ...

Ira A. Glazier, 1998

Nano-Optoelectronics: Concepts, Physics and Devices - Halaman 102

4.3.1 Overview Extensive studies have been performed investigating the initial stages of InAs growth on GaAs(001) surfaces using RHEED and STM. It is widely accepted that InAs growth on GaAs(001) proceeds in a Stranski-Krastanow (SK) ...

Marius Grundmann, 2002

Semiconductor Nanostructures - Halaman 51

An early study on chemical-beam epitaxy of strained InAs quantum wells in InP matrix indicated the existence of respective growth parameters [31]. Introduction of a growth interruption after InAs deposition and prior to InP cap layer growth was ...

Dieter Bimberg, 2008

Handbook of Lasers - Halaman 240

... 128,129 InSb 5.085-5.28 J p 10 215 Optically Pumped Lase AIGaAs/AlGaAs -0.636 H p 300 77 GaAs 0.83 crystal p 300 HI GaAi 0.8365 crystal p 77 113 GaAs/AlGaAs -12.5 QW p 77 244 GaAs/InAs -0.84-0.86 SCHSSQW p, cw 77 118 GaSb ...

Marvin J. Weber, 2000

Atomistic Aspects of Epitaxial Growth - Halaman 323

Gerard, J.M., Marzin, J.Y., Zimmermann, G., Ponchet, A., Cabrol, O., Barrier, D., Jusserand, B., and Sermage, B. (1996) InAs/GaAs quantum boxes obtained by self-organized growth: Intrinsic electronic properties and applications, Solid St.

Miroslav Kotrla, 2002