APAKAH MAKSUD ショットキー‐しょうへき dalam JEPUN?
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Definisi ショットキー‐しょうへき dalam kamus Jepun
Schottky barrier 【Schottky barrier】 Antara muka dengan kesan pembetulan yang berlaku pada antara muka antara logam dan semikonduktor. Perbezaan antara fungsi kerja kedua adalah sepadan dengan ketinggian halangan. Menggunakan tindakan membetulkan ini, satu diod Schottky dibuat. Penghalang Schottky. ショットキー‐しょうへき【ショットキー障壁】 金属と半導体との接触面に生じる、整流作用をもつ界面。両者の仕事関数の差が障壁の高さに相当する。この整流作用を利用し、ショットキーダイオードがつくられた。ショットキーバリア。
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JEPUN BUKU YANG BERKAIT DENGAN «ショットキー‐しょうへき»
Ketahui penggunaan
ショットキー‐しょうへき dalam pilihan bibliografi berikut. Buku yang berkait dengan
ショットキー‐しょうへき dan ekstrak ringkas dari yang sama untuk menyediakan konteks penggunaannya dalam kesusasteraan Jepun.
1
実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 13 ページ
ショッ卜キ一障壁(バリア)このような約束ごとを元に以下に話を進めます。ここではショットキー障壁(バリア)を学びます。表記はショットキー障壁、ショットキーバリアなどがあります力、 4 - 8 で、これを応用したダイオードを通常ショットキーバリアダイオードと呼ぶ ...
またオーム性接合は,逆に電圧低下を最小限に抑え,効率よく半導体側に電流注入する機能が求められる電極である。従って,できる限りショットキ一障壁を小さくするかドーピング濃度を上げることによつて空乏層幅を狭くする界面構造を形成しなければならない。
3
高校化学からはじめる半導体 - 162 ページ
一方,半導体の伝導帯の電子は,金属側に移るには y 』の障壁を越えなければいけません.この y 』は pn 接合で定義したのと ... 導出は省略しますがショットキー接触の電流電圧特性は次の式で与えられま* 7.2 7 = 4 * 7 '。一 y ( cy - 1 ) , 4-# (4・36)ここで 4*を ...
4
白色LED照明システム技術と応用 - 120 ページ
ぉゾ^)は同じ高さになり,金属側には 03 なるショットキー障壁が形成され半導体内部には拡散電位《V ^が形成される。 4 「 X 依―ん5 (2) 6\^0~^~^5 い)このショットキー桉触は,順方向に電圧!/が印加されると半導体のフエルミレベルの変化により半導体側の障壁 ...
またゲート電極には、たとえばアルミニウム電極がガリウムヒ素半導体とショットキー接触(金属ー半導体接合)でつながっているショット ... このような整流作用が生じるのは、金属と半導体の界面に電気的な壁(モデル提唱者にちなんでショットキー障壁と呼ぶ)が ...
金属から半導体へはなる電位障壁があり,これを越えて半導体へ流入するわずかな電子が電流となって流れる.これが逆方向バイアスの状態である.したがって,ショットキー障壁には,順方向バイアスで電流が流れやすく,逆方向バイアスで電流が流れにくいという ...
層幅を狭くする界面構造を形成しなければならない:金属とひ型及びロ型半導体を接触させた界面には,図 2 に示すようにショットキー障壁が形成され,半導体側に空乏層が存在している:この障壁を含むショットキー接合は整流性を持っ。ここで,空乏層はキャリア ...
8
Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...
界面相,格子欠陥,界面準位などが存在しないとしたときの金属,半導体界面の電子準位模型(ショットキ一の模型)では,ショットキ一障壁は金属の仕事関数ん,半導体の仕事関数ん電子親和カズとバンドギャップ凡で記述される.ならば,接触後の金属のフェルミ面の ...
この障壁をショットキー障壁といい,そのような接合をショットキー接合という。金属の仕事関数を",半導体の仕事関数を^とすると, 11 型半導体の場合, ?^〉^ならショットキー障害を形成し,んく^ならオーム性となる。 1)型半導体の場合は逆に"ぐんでショットキー障壁を ...
ショットキー障孽では.噸方向電^は多 8 :キャリアによって折われる.ショットキー障壁の動作には少&キャリアが圉与しないために.蓄铕効果などがなし動作速度が速い.したがって,高速動作や;まい口 0 接合を作りにくいデバイスには.ショットキー障^が用いられる。
