CINA BUKU YANG BERKAIT DENGAN «失性»
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3 ·可靠性要好对于易失性存储器,在供电期间数据在未修改的情况下存储要稳定;对于非易失性存储器,非易失性要好,非易失性是指当断开电源后,存储器存储的数据仍然保持完好而不丢失的性能。只要对存储的内容不进行修改就可以一直保存,能完整 ...
6 · 1 · 1 · 2 可现场改写的非易失性存储器储器 FRAM 尺枷,也因在存储器市场上,最近几年新发展的那些非 ROM 型可现场改写的非易失性存储器的需求增长速度最快。这种芯片技术正在迅速地改变着存储器世界的面貌。常用的芯片主要包括可电 ...
4 · 2 · 1 半导体存储器的分类随机存取存储器由于大多数随机存取存储器在断电后会丢失其中存储的内容,故这类随机存取存储器又被称为易失性存储器。由于随机存取存储器可读可写,有时它们又被称为可读写存储器。随机存取存储器分为三类:静态 ...
它是一种具有“易失性”的存储设备,易失性是指只有在正常供电的情况下才能保存信息,一旦停止供电,保存在其内部的信息就会消失(易失性)。外形如图 39 所示。前面讲到的 CMOS 芯片内的存储器,也是随机存取存储器。 BIOS 芯片是另一种半导体存储 ...
3 )存储容量存储容量是指 PC 系统中所包含的易失性存储器容量和非易失性存储器容量的总和。易失性存储器主要是指系统内存(或主存)的容量,包括由各种 DRAM 芯片构成的内存条容量、高速缓冲存储器( cache )的容量;非易失性存储器主要是指 PC ...
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嵌入式Linux系统开发详解: 基于EP93XX系列ARM - 第 97 页
不同于旺的一致性架构,嵌入式系统是千差万别的,而 B 叨之卜挝 ermlu 是严重地依赖于硬件而实现的。 ... 为使系统正常启动,必须将非易失性存储器(如 ROM 、旺 PROM 或几 ASH 等)映射到这个地址上, B 叨山 Oader 就固化在这些非易失性存储器里。
... PROM 方式)不支采用桌面编持程器 HW-130/MutiPRO (为易失性器件, HW-130/MutiPRO 掉电数据消失)表 6 - 3 实验室配置产品可选配置方法 EEPROM 和 FLASH | SRAM 工艺的可选配置方法 PROM 工艺 FPGA FPGA iMPACT 工具嵌入式解决 ...
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数据库原理与设计/: 习题与解析 - 第 81 页
0 易失性存储器,如内存和 Cache 存储器。在系统发生故障时,存储器的信息会立即丢失。访问速度最快。┓这一类存储器受制于本身的故障,会导致信息的丢失。访问速度要比易失性存储器满几个数量级。 0 稳定存储器,这是一个理论上的概念。存储的 ...
它的存储位元电路是在 CMOS 单晶体管 EPROM 存储位元基础上制造的,因此它具有非易失性,在断电时它也能保留存储内容·这使它优于需要持续供电来存储信息的易失性存储器,如静态和动态 RAM 。由于闪速存储器具有随机存取的特点,又具有 ...
发生系统故障时,一部分尚未完成的事务的结果可能己经写入物理数据库,为保证数据的一致性,需要清除这些事务对数据库的所有修改,强行撤销( undo )这些事务 ... 在当前的技术中,非易失性存储器的访问速度要比易失性存储器慢 120 教据库原理与应用.
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纯光型非易失性存储器为打造更快更高效的计算机铺平了道路
来自卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）和明斯特（Münster）、牛津（Oxford）、埃克塞特（Exeter）大学的研究人员，已经打造出了一款全新的非易失性光存储器。这项成果借助了 ... «cnBeta, Sep 15»
IIC参展商预告（七）：Kilopass为物联网提供最好的非易失性存储器技术
Kilopass是嵌入式非易失性存储器（NVM）IP的领导厂商，它的在OTP NVM方案有着强大的能力，以升级到更先进的CMOS工艺。晶圆代工和IDM厂商可以更灵活地 ... «电子工程专辑, Ogo 15»
内存硬盘合体！Intel全球首创非易失性内存
这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案，读取延迟10纳秒级别，使用寿命即全盘写入1000万次级别，均介于传统DRAM、NAND之间。它的定位并不是取代DRAM ... «驱动之家, Ogo 15»
本土公司首创非易失性FPGA芯片，拥有完全自主知识产权
GW1N家族是基于世界领先的嵌入式闪存工艺—台积电55nm嵌入式闪存工艺的非易失性单一芯片FPGA器件，目前包括GW1N-1K与GW1N-9K两款产品。是以降低 ... «电子工程专辑, Ogo 15»
英特尔和美光明年量产新一代非易失性存储器
英特尔等对3D XPoint做了如下介绍：(1)是基于2层以上交叉点结构的电阻变化型非易失性存储器，(2)材料以化合物为基础，(3)名为“选择器(Selector)”的取代晶体管的 ... «电子产品世界, Ogo 15»
英特尔和美光明年量产新一代非易
英特尔等对3D XPoint做了如下介绍：（1）是基于2层以上交叉点结构的电阻变化型非易失性存储器，（2）材料以化合物为基础，（3）名为“选择器（Selector）”的取代晶体管 ... «集微网, Ogo 15»
英特尔-美光3D XPoint全面解析：下一代非易失性内存方案
英特尔-美光3D XPoint全面解析：下一代非易失性内存方案. 摘要：目前的主流内存技术分别为DRAM（能够由处理器快速访问的内存）以及NAND（即固态存储方案），二 ... «至顶网, Ogo 15»
一种新型非易失性存储器的原理及应用
德国ZMD公司研发了采用另外一种方式的非易失性存储器nvSRAM，它采用了全新的SRAM+EEPROM方式，实现无须后备电池的非易失性存储，芯片接口、时序等与 ... «光电新闻网, Jul 15»
女士时兴下体整形漂白肛门阴道打针恐失性觉
现今世代整容风气盛行，除经常听到男性可做手术隆大生殖器官外，英国近年更兴起女性下体整形手术。惟专家警告胡乱施下体整形手术，随时会令男女下体肿痛流血、 ... «加拿大家园网, Jun 15»
男子自称患罕见疾病100次性高潮后将失性功能
【环球网综合报道】据英国《每日邮报》2月6日报道，美国一名34岁男子声称医生诊断出他患有罕见疾病，使其每次射精都会导致阴茎内形成疤痕组织，在其永久性失去 ... «新浪网, Feb 15»
