KSIĄŻKI POWIĄZANE ZE SŁOWEM «ランダム‐アクセス‐メモリー»
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ランダム‐アクセス‐メモリー w następujących pozycjach bibliograficznych Książki powiązane ze słowem
ランダム‐アクセス‐メモリー oraz krótkie ich fragmenty w celu przedstawienia kontekstu użycia w literaturze.
半導体デバイスの中でも半導体メモリーは、携帯電話やデジカメなどの記憶媒体として身近な存在です。さまざまな半導体 ... 揮発性メモリの代表格は、パソコンの作業用メモリーとして使われる RAM (ランダム・アクセス・メモリー)です。もっとも普及している ...
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Shōkai Linux kāneru - 34 ページ
V プログラマは、物理メモリの構成について配慮せずに済むため、マシンに依存しないコードを書くことができる仮想記憶サブシステムで ... 8.2 ランダムアクセスメモリの使用すべてのオペレーティングシステムでは、 I ?八 VI を 2 つの部分に明確に分けています。
スピントロニクス化する次世代メモリースピントロニクスの原理をそのまま不揮発性メモリーに取り込んだのが、「磁気記録式ランダムアクセスメモリー(MRAM)」である。現在実用化されているメモリーには、電源を切るとデータが消える揮発性メモリーと、電源を切っ ...
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OHM電気電子情報英和・和英辞典 - 489 ページ
ランダムアクセスデイスクリートアドウレスラム(ランダムアクセスメモリー)ラムカ一ドウ(ランダムアクセスメモリートドウ)ラムデイスク(ランダムアクセスメモリーデイスク)ラムドライブ(ランダムアクセスメモリードライブ)ラムポードウ(ランダムアクセスメモリーボードウ) ...
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コンピュータグラフィックス理論と実践 - 852 ページ
その理由は、水平と垂直のラインを追跡し直している問、ピクセルが走査されないためである正脚日 1 丁 84 ] o これに対して、単純なダイナミツクランダムアクセスメモリ(口只八肌)のシステムは、サイクルタイムが約 200 ナノ砂であり、要求スピードよりも随悟 ...
James D. Foley, Andries van Dam,
2001
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Iwanami kagaku hyakka - 1226 ページ
どのロケーションにたいしても,一定の時間でランダムアクセスをおこなうことができる記憶装匿を,ランダムアクセスメモリ一'ユニットとよぶ。主記憶装置がその代表的な例である。外部記憶装置のうちの磁気ディスク装置なども,近似的にはそれぞれのロケーシヨン ...
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スタート！基本情報技術者問題集2015(情報処理技術者試験): 最新5期の午前問題400問を完全収録
不揮発性メモリとは、電力を供給しなくても格納した情報を保持できるメモリのことです。 DRAM(Dynamic Random ... SRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)は、コンピュータのキャッシュメモリなどに利用される揮発性メモリです。 ROMとHDDが不揮発性 ...
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ガベージコレクションのアルゴリズムと実装 - 271 ページ
111111 叩はフアイルの内容をまるごとメモリにマッピングしてしまうシステムコールです。メモリはフアイルよりもランダムアクセスが得意ですので、先ほどのプログラムは非常に高速に動作します。! ! ! ! ! !叩を使えば先ほどのプログラムは次の処理が実行される ...
また 1 ^ &り II 八 0 夏八 1-3030111300033 ^0011111611111136X111^ 3113 1 - 611 - 1 ^ 31 ランダムアクセスドクメント ... 社の製品- 3VI1-30^0111-300638 11160101- ^ラ厶;ランダムアクセスメモリー:任意のアクセスが" I 能なコンピュータ用^憶装置.
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科学立国日本を築く: 極限に挑む気鋭の研究者たち - 217 ページ
WIADOMOŚCI, KTÓRE ZAWIERAJĄ SŁOWO «ランダム‐アクセス‐メモリー»
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ランダム‐アクセス‐メモリー w wiadomościach.
3D XPoint、SSD市場の早期奪取は困難だが装置産業に恩恵
NANDフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、1000倍書き換え寿命が長く。しかもNANDフラッシュと異なり、ランダムアクセスメモリーとして利用可能で、同様の性質を持つDRAMに比べて記録密度が10倍高いという、抜けた性能をたたき出す技術だという。 «日経テクノロジーオンライン, Paz 15»
スピン・トランスファー・テクノロジーズ、業界ベテランのネルソン・チャンを …
米カリフォルニア州フリーモント--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 画期的な垂直スピン注入磁気抵抗ランダムアクセスメモリー技術（OST-MRAM™）を開発するリーダー企業のスピン・トランスファー・テクノロジーズ（STT）は本日、ネルソン・チャンを ... «Business Wire, Paz 13»
スピンRAM（MRAM）の大容量化につながる新構造のTMR素子
ギガビット(Gbit)級の次世代磁気抵抗ランダムアクセスメモリー（MRAM）の実現のため、スピントルク磁化反転と呼ばれる情報書き込み技術を用いたMRAM（スピンRAM）の開発競争が激化している。スピンRAMでは、情報はトンネル磁気抵抗（TMR）素子中の ... «産業技術総合研究所, Sty 10»
超低消費電力・高速動作を兼ね備えた不揮発性抵抗変化メモリー素子 …
RRAMは、遷移金属酸化膜を金属電極で挟んだ構造で、その酸化膜の電気抵抗変化を記憶情報とするメモリー素子であり、低消費 ... ナノ秒(1/100,000,000秒)程度であり、これは高速動作を特徴とする磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)に匹敵する。 «産業技術総合研究所, Wrz 08»