Значение слова "バイポーラー‐トランジスター" в словаре японский языка

ПРОИЗНОШЕНИЕ СЛОВА バイポーラー‐トランジスター

ばい	ぽーらー		とらんじすたー
バイ	ポーラー	‐	トランジスター
bai	po-ra-		toranzisuta-

ЧТО ОЗНАЧАЕТ СЛОВО バイポーラー‐トランジスター

Значение слова バイポーラー‐トランジスター в словаре японский языка

Биполярный транзистор - транзисторы, которые используют дыры и электроны в качестве носителей для переноса электрических зарядов. Полупроводник p-типа и полупроводник n-типа соединены в порядке PNP или NPN. Биполярный транзистор.

バイポーラー‐トランジスター【bipolar transistor】 電荷を運ぶ担体として、正孔と電子を用いるトランジスター。p型半導体とn型半導体を、PNPまたはNPNの順序で接合する。双極性トランジスター。

ПЕРЕВОД СЛОВА バイポーラー‐トランジスター

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КНИГИ НА ЯПОНСКИЙ ЯЗЫКЕ, ИМЕЮЩЕЕ ОТНОШЕНИЕ К СЛОВУ «バイポーラー‐トランジスター»

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SPICEとデバイス・モデル: IC設計者に必須のバイポーラ・トランジスタの基礎知識

現在のIC回路設計はシミュレーションによって行われており、アナログ回路設計ではほとんどの場合SPICEが使用されている。そこで本書は、SPICEで使用されているトランジスタ・モ ...

新原盛太郎, 2005

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 22 ページ

なぜバイポーラ卜ランジス夕に触れるのか? 1 ^ 105 トランジスタを中心とする本書ですが、バイポーラトランジスタにっいて触れておくのは、\ 405 トランジスタとの比較をすることで、より^ 05 トランジスタの原理を理解していただく目的と、第 7 章のじ^ 105 に寄生 ...

佐藤淳一, 2011

電験三種合格一直線　理論: - 167 ページ

2.2 バイポーラトランジスタ 1.トランジスタの作用バイポーラトランジスタ(bipolar transistor )は、 npn または pnp の 3 層構造の 3 端子素子である。 pn 接合が 2 箇所あり、伝導には、電子、正孔の両方が関与するバイポーラ形である(バイポーラは双極性の意) ...

菅原　秀雄, 2011

Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...

コレクター接合にかかる電圧と接合を流れる電流との積をコレク夕一損失とよび,負荷のィンピーダンス整合を行えばコレクター損失と同じ電力を負荷に取り出すことができる.バイポーラ一トランジスターの動作には半導体中の多数キヤリャ一および少数キヤリャ一, ...

James L. Davis, 2002

メイド・イン・ジャパンの逆襲: 注目技術の核心

ー- 5 パワー半導体の種類この後に触れますが、 M0S トランジスタは電圧駆動のデノヾイスなのに対して、バイポーラトランジスタは電流駆動のデバイスであり、 nDn または DnD 型があり、それぞれの型にふたつの pn 接合を有するところが特徴です。 Dn 接合 ...

佐藤淳一, 2012

電気教科書 電験三種 出るとこだけ！専門用語・公式・法規の要点整理 第2版

交流回路の半導体スイッチとして多用されている。バイポーラトランジスタ pnp または npn トランジスタのように n 形と p 形の 2 種類の半導体(キャリアが 2 種類)からなるトランジスタをバイポーラトランジスタ(Bipolar transistor)という。また、電界効果トランジスタ ...

早川義晴, 2013

半導体が一番わかる - 84 ページ

トランジスター( HBT )ヘテロ接合バイポーラトランジスターは、その頭文字を取って HBT と呼ばれます。 HBT は 1982 年にアメリカのクレーマーによって提案され、バイポーラトランジスターのエミッター層をベース層よりもバンドギャップの大きな半導体材料で形成 ...

内富直隆, 2014

[改訂版]電子機器組立の総合研究 - 60 ページ

大別すると、バイポーラトランジスタとユニポーラトランジスタがあり、単にトランジスタという場合はバイポーラトランジスタを表す場合が多い。ユニポーラトランジスタは一般には FET (電界効果トランジスタ)と呼ばれている。○点接触トランジスタ:トランジスタの歴史 ...

ものづくり技能強化委員会, 2014

高校化学からはじめる半導体 - 164 ページ

バイポーラトランジスタは三端子の半導体素子で 3 つの端子に対応して内部は 3 つの領域エミッタ(E),ベース(B),コレクタ(C)に分かれています。図 4 - 14 に示すように,エミッタとコレクタは同じ型,それらに挟まれたベースは異なる型でしたがってエミッタ・ベース・ ...

市村　正也　, 2011

電気教科書 電験三種合格ガイド 第2版 - 232 ページ

電力用のパワートランジスタには、バイポーラパワートランジスタ、MOS 形 FET(モス形電界効果トランジスタ)、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などがあります。 I B I C R L VCC 図6-1-8○スイッチング回路ベースエミッタコレクタ図6-1-9○ダーリントン ...

早川義晴, 2014