கொரியன்இல் 저마늄다이오드 இன் அர்த்தம் என்ன?
கொரியன் அகராதியில் «저마늄다이오드» இன்
அசல் வரையறையைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்.
தமிழ் இல் வரையறையின்
தானியங்கு மொழிபெயர்ப்பைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்
கொரியன் அகராதியில் 저마늄다이오드 இன் வரையறை
ஜெர்மானிய டையோட்கள் இது ஒரு பொருளைப் பயன்படுத்தி ஜெர்மனியைப் பயன்படுத்தி ஒரு குறைக்கடத்தி இருமுனையாக இருந்தது, இது எலெக்ட்ரான் குழாயை மாற்றுவதற்கு பல்வேறு அரைக்கடத்திகள் சாதனங்களின் வெளிப்பாட்டிற்கு ஒரு துல்லியமாக மாறியது, குறிப்பாக டிரான்சிஸ்டரின் கண்டுபிடிப்பிற்கு நேரடியாக பங்களித்தது. பயன்பாடு மற்றும் செயல்திறன் ஆகியவற்றைப் பொறுத்து, தொடர்புள்ள டையோட்கள், சந்திப்பு டையோட்கள் மற்றும் பலவற்றில் உள்ளன. 저마늄다이오드
저마늄을 소재로 사용한 반도체 다이오드이며 전자관을 대신하는 각종 반도체 소자 출현의 실마리가 되었고, 특히 트랜지스터의 발명에 직접적으로 기여하였다. 용도 및 성능에 따라 점접촉 다이오드, 접합 다이오드 등이 있다.
கொரியன் அகராதியில் «저마늄다이오드» இன்
அசல் வரையறையைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்.
தமிழ் இல் வரையறையின்
தானியங்கு மொழிபெயர்ப்பைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்
«저마늄다이오드» தொடர்புடைய கொரியன் புத்தகங்கள்
பின்வரும் புத்தக விவரத்தொகுப்புத் தேர்ந்தெடுப்பில்
저마늄다이오드 இன் பயன்பாட்டைக் கண்டறியுங்கள்.
저마늄다이오드 தொடர்பான புத்தகங்கள் மற்றும் கொரியன் இலக்கியத்தில் அதன் பயன்பாட்டுச் சூழலை வழங்குவதற்கு அதிலிருந்து பெறப்பட்ட சுருக்கமான சாரங்களைத் தொடர்புபடுத்துகின்றன.
1
Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
Using the singlemask lay-out of Figure 8.8, one can obtain a gated diode, using the same gate dielectric as for the fabrication of MOS capacitors present on the same mask. The resulting p–n junctions exhibit good characteristics, as can be ...
Cor Claeys, Eddy Simoen, 2011
2
Measurement of Weak Radioactivity - 117페이지
intrinsic carrier free region created by depletion of charge carriers when a reverse bias is applied to the diode. The higher the reverse bias is, the thicker the radiation sensitive depletion layer will become. When an energetic particle passes ...
3
DC/AC Circuits and Electronics: Principles & Applications - 125페이지
This barrier voltage and the actual forward bias voltage drop of a diode depend upon the material and construction of the diode. The barrier potential and the actual voltage drop in a live circuit of a germanium diode is about 0.2 Fand a silicon ...
4
Germanium-diode Negative-resistance Oscillators - 6페이지
Frederick Albert Kirsten. PART II : NEGATIVE-RTSTSTANCE PROPERTIES OF GERMANIUM DIODES. A. Electrical characteristics. Germanium diodes, operated in the reverse or back voltage direction possess an electrical characteristic of the ...
Frederick Albert Kirsten, 1952
5
Silicon Germanium Materials & Devices - A Market & ... - 121페이지
To a large extent the SiGe laser driver market will track that of diode lasers.With reference to the companion report, the market for these devices was worth US$ 5.7 billion in 2001. So from this it is a useful approximation to expect that the ...
6
Improved infrared response technique for detecting defects ... - 4페이지
That the above photovoltage effects are responsible for the diode IRR is supported by the following observations made on germanium diodes [6,9] and confirmed in work with silicon. Firstly, no spectral features that can be linked to impurity or ...
Alvin H. Sher, U.S. Atomic Energy Commission, 1975
7
BASIC ELECTRONICS: DEVICES, CIRCUITS AND IT FUNDAMENTALS
The reverse-bias saturation current for a p-n junction silicon diode is 2 uA at 300 K. Find its ac resistance at 150 mV forward bias. 17. Calculate the static and dynamic resistance of a p-n junction germanium diode at 27°C for an applied forward ...
8
Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and ...
Blankenship, J. L. and Borkowski, C. J. IMPROVED TECHNIQUES FOR MAKING P-I-N DIODE DETECTORS. IRE Trans. Nucl. ... A controlled quantity of lithium was diffused through a l- to 2-micron phosphorus-doped layer on the silicon diode.
9
Germanium diodes - 17페이지
GENERAL PROPERTIES OF THE GERMANIUM DIODE, COMPARED WITH THOSE OF THE THERMIONIC DIODE In comparison with the thermionic diode, the germanium diode has the following advantages: 1 . The absence of a filament is ...
10
Semiconductor Devices & Circuits - 174페이지
For a what voltage, will the reverse current in a p-n junction germanium diode reach 90 percent of its saturation value at room temperature. (Dec-2002) 2.9 1. A p-n junction diode has at a temperature of 125 °C a reverse saturation current of 30 ...
U.A.Bakshi A.P.Godse, 2008
