கொரியன்இல் 노어플래시메모리 இன் அர்த்தம் என்ன?
கொரியன் அகராதியில் «노어플래시메모리» இன்
அசல் வரையறையைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்.
தமிழ் இல் வரையறையின்
தானியங்கு மொழிபெயர்ப்பைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்
கொரியன் அகராதியில் 노어플래시메모리 இன் வரையறை
NOR ஃபிளாஷ் நினைவகம் இது அமெரிக்காவில் இன்டெல் உருவாக்கப்பட்டது ஒரு ஃபிளாஷ் மெமரி சாதனம் ஆகும். வாசிப்பு வேகம் 100 ns போல வேகமாகவும், 1 பைட்டுக்கு (RW) படித்து எழுதவும் முடியும், இது பரவலாக ஒரு சிறிய சாதனத்தின் நிரல் நினைவக சாதனமாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. செயலாக்க வேகம் வேகமாக உள்ளது, ஆனால் சேமிப்பு திறன் குறைவாக உள்ளது மற்றும் மின் நுகர்வு அதிகமாக உள்ளது. 노어플래시메모리
미국의 인텔에서 개발한 플래시메모리 장치이다. 읽기 속도가 100ns로 빠르고, 1바이트 단위의 읽고 쓰기(RW)가 가능하여 휴대용 기기의 프로그램 기억장치로 널리 쓰인다. 처리 속도는 빠르나 저장용량이 적고 소비전력이 많이 든다는 단점도 있다.
கொரியன் அகராதியில் «노어플래시메모리» இன்
அசல் வரையறையைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்.
தமிழ் இல் வரையறையின்
தானியங்கு மொழிபெயர்ப்பைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்
«노어플래시메모리» தொடர்புடைய கொரியன் புத்தகங்கள்
பின்வரும் புத்தக விவரத்தொகுப்புத் தேர்ந்தெடுப்பில்
노어플래시메모리 இன் பயன்பாட்டைக் கண்டறியுங்கள்.
노어플래시메모리 தொடர்பான புத்தகங்கள் மற்றும் கொரியன் இலக்கியத்தில் அதன் பயன்பாட்டுச் சூழலை வழங்குவதற்கு அதிலிருந்து பெறப்பட்ட சுருக்கமான சாரங்களைத் தொடர்புபடுத்துகின்றன.
플래시메모리는 칩을 연결하는 방식에 따라 낸드형과 노어형으로 나뉘는데, 낸드형은 노어형에 비해 제조 단가가 싸고 용량이 크나, 노어 형은 속도가 빠르다는 장점이 있다. 그래서 노어플래시메모리는 주로 핸드폰의 메모리반 도체로 사용되고, 낸드 ...
플래시메모리는 칩을 연결하는 방식에 따라 낸드형과 노어형으로 나뉘는데, 낸드형은 노어형에 비해 제조 단가가 싸고 용량이 크나, 노어 형은 속도가 빠르다는 장점이 있다. 그래서 노어플래시메모리는 주로 핸드폰의 메모리반 도체로 사용되고, 낸드 ...
NOR와 NAND플래시 비교> NOR플래시메모리와 NAND플래시메모리의 차이는 마치 SRAM과 DRAM이 서로 다른 것과 유사하기도 한 데, SRAM 자리에 DRAM을 꽂으면 안 되는것처럼 NOR플래시메모리와 NAND플래시메모리는 서로 호 환이 되질 ...
2002년 삼성전자는 낸드플래시 부문에서도 세계 1위로 올 라섰다. 인텔, AMD와 같은 노어 플래시 메모리 제조회사로 부터 제2공급자 역할 제안을 거절당했으나 도시바로부터 공 급자 지위를 허락받으면서 낸드플래시 시장에 뛰어들었다. 그 리고 ...
5
삼성경영: 100문 100답 - 351페이지
냄드 플래시 는 적희 회샤 가 수종 샤업 으로 기 위온 핵심 프로 착트 얽 니다 . 독자적 으로 ... 황 사장 은 2006 년 에는 115 억 달러 규모 로 2 년 만 에 2 배 가까운 성장 을 달성 해 노어 플래시 메모리 시장 을 추월 할 것 으로 전망 하고 있다 . 시장 조사 ...
6
주식투자 - 유망종목 가이드 북: 주식투자 여기서만 해라!! - 40페이지
크게 낸드 플래시 와 노어 플래시 로 구분 된다 . ( 전체 % ) 낸드 플래시 는 다양한 모바일 기기 및 전자 제품 의 대표적인 메모리 100 저장 장치 로 , 기존 의 문제점 은 칩 이 점점 작아 지고 셀 과 의 간격 이 | 좁아 지게 되어 전자 가 누설 되는 간섭 현상 이 ...
1999 년 에 삼성 은 세계 플래시 메모리 시장 을 주도 하고 있던 인 텔 의 ' 노어 ( NOr ; 코 드 - 4 - 1 장용 ) ' 방식 에 비해 대용량 이 가능한 다른 방 식 의 플래시 메모리 를 개발 하여 향후 예상 되는 휴대용 메모리 시장 을 선점 하기 로 목표 를 정했다 .
8
High Performance Computing and Communications: Third ...
Journal Remap-Based FTL for Journaling File System with Flash Memory Seung-Ho Lim, Hyun Jin Choi, and Kyu Ho Park ... In nonvolatile memories, NOR flash memory provides a fast random access speed, but it has high cost and low ...
9
Inside NAND Flash Memories - 573페이지
He has 15 years experience in NAND/NOR Flash memory design, architecture and algorithms as well as the related intellectual property. Before IDT, he was senior principal for Flash and Director of Qimonda's design center in Italy, developing ...
Rino Micheloni, Luca Crippa, Alessia Marelli, 2010
10
Wireless Algorithms, Systems, and Applications: 9th ... - 12페이지
The lifespan of flash memory has a close connection with its wear-leveling level. However, YAFFS2, a popular ... Flash Memory, consisting of NOR Flash Memory and NAND Flash Memory, is increasingly used nowadays. Compared with NOR ...
Zhipeng Cai, Chaokun Wang, Siyao Cheng, 2014
«노어플래시메모리» வார்த்தையைக் கொண்டுள்ள புதிய உருப்படிகள்
பின்வரும் செய்தி உருப்படிகளின் சூழலில்
노어플래시메모리 என்ற வார்த்தையைப் பயன்படுத்துவது பற்றியும் எப்படிப் பயன்படுத்துவது என்பதைப் பற்றியும் தேசிய மற்றும் பன்னாட்டு அச்சகங்கள் என்ன பேசியிருக்கின்றன என்பதைக் கண்டறியுங்கள்.
마이크론 128M비트 상변화메모리 시연
상변화메모리(PCM)는 비휘발성 메모리분야에서 낸드와 노어플래시메모리 이후의 가장 강력한 경쟁자로서 각광받고 있는 차세대 메모리다. 이 메모리는 빠른 속도와 ... «ZD넷 코리아, டிசம்பர் 11»
