மலாய் அகராதியில் germanium இன் வரையறை
ஜெர்மானியம் அல்லாத உலோக உறுப்பு, செமிகண்டக்டர், ஊக்கியாக பயன்படுத்தப்படும் மற்றும் டிரான்சிஸ்டர் சாதனங்கள் செய்ய. germanium unsur bukan logam, bersifat semikonduktor, digunakan sbg mangkin dan utk membuat peranti transistor.
மலாய் அகராதியில் «germanium» இன்
அசல் வரையறையைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்.
தமிழ் இல் வரையறையின்
தானியங்கு மொழிபெயர்ப்பைப் பார்க்க கிளிக் செய்யவும்
«GERMANIUM» தொடர்புடைய மலாய் புத்தகங்கள்
பின்வரும் புத்தக விவரத்தொகுப்புத் தேர்ந்தெடுப்பில்
germanium இன் பயன்பாட்டைக் கண்டறியுங்கள்.
germanium தொடர்பான புத்தகங்கள் மற்றும் மலாய் இலக்கியத்தில் அதன் பயன்பாட்டுச் சூழலை வழங்குவதற்கு அதிலிருந்து பெறப்பட்ட சுருக்கமான சாரங்களைத் தொடர்புபடுத்துகின்றன.
1
Silicon-germanium Heterojunction Bipolar Transistors
A treatment of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBT), a technology that is expected to revolutionise communications.
John D. Cressler, Guofu Niu, 2002
2
Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
The contributing authors are international experts with a world-wide recognition and involved in the leading research in the field. The book also covers applications and the use of Ge for optoelectronics, detectors and solar cells.
Cor Claeys, Eddy Simoen, 2011
3
Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures: ...
Written for both students and senior researchers, the 2nd edition of Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures provides an essential up-date of this important topic, describing in particular the recent developments in ...
M. Willander, Suresh C. Jain, 2003
4
Extended Defects in Germanium: Fundamental and ... - Halaman 15
Fundamental and Technological Aspects Cor Claeys, Eddy Simoen. Slip (or glide) during plastic deformation can occur between the {111} planes 1 and 2 in Fig. 1.9 or between planes 2 and 3. In the latter case, three times more bonds have to ...
Cor Claeys, Eddy Simoen, 2008
5
Epitaxial Growth of Nitrides on Germanium
A comprehensive guide to the formation of epitaxial III-Nitrides and epitaxial Ge3N4 on germanium substrates--and solid phase epitaxy of germanium on silicon substrates--this work presents a simple but effective method for growing epitaxial ...
6
Phase Equilibrium Studies of Germanium and Silicon at ...
Extension of this work into the Ge-Si system enabled onstruction of a 150C isothermal section and a 10 mole % Si isoplethal section through the P-T-X-volume for the system. (Author).
7
Silicon Germanium: Technology, Modeling, and Design - Halaman 28
Technology, Modeling, and Design Raminderpal Singh, Modest M. Oprysko, David Harame. shrinkage for the SiGe layers used in this experiment would have predicted about 90 meV (75 meV for 10% Ge [24]), but poor material quality and ...
Raminderpal Singh, Modest M. Oprysko, David Harame, 2004
இல் உள்ள வார்த்தைகளில் மறைக்கப்பட்டிருக்கும் எல்லாவற்றையும் கண்டறியுங்கள் 
