மலாய்அகராதியில் "inas" இன் பொருள்

மலாய்இல் INAS இன் உச்சரிப்பு

inas

மலாய்இல் INAS இன் அர்த்தம் என்ன?

மாணிக்கம்

Inas

க்வால Pilah மாவட்டத்தில் மாவட்ட இடையில் அமைந்துள்ள பேட்ஜர் Inas கர்ப்ப மற்ற பேட்ஜர் ஒப்பிடுகையில் பழமையான பேட்ஜர் ஒன்றாகும். மாநில அமைக்க ஒன்பது சிறிய மாநிலங்களில் இந்த இணைப்பின் போது பேட்ஜர் Inas பார்லி அறியப்படுகிறது. இந்த லாகக் மீது ஒரு பெரிய நதியின் பெயருடன் இது இணைந்துள்ளது. இதன் மக்கள்தொகை மேற்கு சுமத்ரா பகுதியில் Minangkabau இடம் பெயர்ந்துள்ளனர் நிலம், குடியுரிமை ஆராய்வதற்காகவும் பகுதியில் அந்தந்த உள்நாட்டு குடிமக்களால்விளையாடப்பட்டதற்கான கொண்டு திருமணம் செய்து என்று கொண்டுள்ளது. Inas பேட்ஜர் பேட்ஜர் பேட்ஜர் மிக உயர்ந்த ஒரு பாரம்பரிய தலைவர் டத்தோ Penghulu தலைமையில். பண்டைய காலங்களில் ஏனெனில் பேட்ஜர் அதே சட்டத்தின் தனது அதிகாரத்தை சட்டம் அழைத்து, ஆனால் அரசிடம் இருந்து பெற்ற படிகள் வடிவத்தில் ஒரு வெகுமதி மிகவும் குறைவாக உள்ளது, எனவே உள்ளூர் மக்கள் அவரை பார்த்து அல்ல டத்தோ Penghulu பேட்ஜர் மாணிக்கம் சட்ட தலைப்பு ஒரு 'டத்தோ ஜோகன் Pahlawan Walat கோலா Dioh' இது போன்ற வெறும் இன்னும் அந்த பதவியில் டத்தோ penghulu பேட்ஜர் மாணிக்கம் சேமித்து என்று 1760 ஆம் ஆண்டில் ஜொகூர் சுல்தான் அங்கீகரிக்கப்பட்டுள்ளது என்று ஒரு முத்திரை கூறப்பட்டதைப் போல.

Luak Inas yang terletak di antara daerah Kuala Pilah dan daerah Tampin merupakan antara Luak yang tertua dibandingkan dengan lain-lain Luak di Tanah Mengandung. Semasa penggabungan sembilan negeri-negeri kecil untuk membentuk Negeri Sembilan, Luak Inas dikenali sebagai Jelai. Ianya adalah bersempena dengan nama sebatang sungai utama yang merentangi Luak ini. Penduduknya pula terdiri daripada penghijrah dari Daerah Minangkabau di Sumatera Barat yang telah meneroka tanah, bermastautin serta berkahwin dengan Orang Asal di daerah ini. Luak Inas diketuai oleh Datuk Penghulu Luak iaitu sebagai ketua adat yang tertinggi di dalam Luaknya. Pada masa dahulu disebut juga Undang kerana kekuasaannya dalam Luaknya sama seperti Undang, tetapi kerana ganjaran berupa elaun yang diterima dari kerajaan agak rendah, maka masyarakat setempat memandang beliau tidak sama seperti Undang Gelaran bagi Datuk Penghulu Luak Inas ialah 'Datuk Johan Pahlawan Walat Kuala Dioh' seperti terakam dalam cop mohor yang diakui oleh Sultan Johor pada tahun 1760 yang masih tersimpan oleh sesiapa penyandang Datuk penghulu Luak Inas.

மலாய் அகராதியில் inas இன் வரையறை

நான் தான்; நுரையீரல் ~ எஸ்.ஜே. எல்லை நடுத்தர பிரிவின் நடுவில்.

inas I; pekung ~ sj bisul pd tengkuk.
inas II Kl bahagian tengah drpd kisaran.

INAS இன் மொழிபெயர்ப்பு

எமது மலாய் பன்மொழி மொழிபெயர்ப்பாளர் மூலம் 25 மொழிகளில் inas இன் மொழிபெயர்ப்பைக் காணுங்கள்.

இந்தப் பிரிவில் வழங்கப்பட்டுள்ள மலாய் லிருந்து மற்ற மொழிகளுக்கான inas இன் மொழிபெயர்ப்புகள் தானியங்கி புள்ளிவிவர மொழிபெயர்ப்புகள் வாயிலாகப் பெறப்பட்டுள்ளன; இதில் அத்தியாவசியமான மொழிபெயர்ப்பு அலகு மலாய் இல் «inas» வார்த்தை ஆகும்.

• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - சீனம்: 痈
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ஸ்பானிஷ்: carbunco
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ஆங்கிலம்: carbuncle
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - இந்தி: मसा
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - அரபிக்: جمرة
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ரஷ்யன்: карбункул
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - போர்ச்சுகீஸ்: carbúnculo
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - வங்காளம்: পদ্মরাগমণি
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ஃபிரெஞ்சு: escarboucle
• மலாய்: inas
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ஜெர்மன்: Karbunkel
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ஜாப்பனிஸ்: カーバンクル
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - கொரியன்: 옹
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ஜாவனீஸ்: carbuncle
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - வியட்னாமீஸ்: hồng ngọc
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - தமிழ்: மாணிக்கம்
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - மராத்தி: माणिक
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - துருக்கியம்: kan çıbanı
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - இத்தாலியன்: carbonchio
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - போலிஷ்: karbunkuł
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - உக்ரைனியன்: карбункул
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ருமேனியன்: carbuncul
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - கிரேக்கம்: ρουμπίνι
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ஆஃப்ரிக்கான்ஸ்: smarag
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - ஸ்வீடிஷ்: böld
• மொழிபெயர்ப்பாளர் மலாய் - நார்வீஜியன்: karbunkel

«INAS» தொடர்புடைய மலாய் புத்தகங்கள்

பின்வரும் புத்தக விவரத்தொகுப்புத் தேர்ந்தெடுப்பில் inas இன் பயன்பாட்டைக் கண்டறியுங்கள். inas தொடர்பான புத்தகங்கள் மற்றும் மலாய் இலக்கியத்தில் அதன் பயன்பாட்டுச் சூழலை வழங்குவதற்கு அதிலிருந்து பெறப்பட்ட சுருக்கமான சாரங்களைத் தொடர்புபடுத்துகின்றன.

Current-phase Relationship of Nb-InAs(2DES)-Nb ...

NbO25 Gate Nb Nb Depletion layer a20nm» 2DES p-Type InAs (a) Nb a 120 nm » Nb SiO 2 p-Type InAs 2DES Depletion layer Nb (b) Gate GaAs substrate (c) Figure 2.1: Schematic cross sections of SNS Josephson junctions: (a) overlap ...

Mark Ebel, 2004

Scanning Probe Microscopy of Inas/Inp Nanowires

Bachelor Thesis from the year 2011 in the subject Physics - Other, grade: 1,0, LMU Munich, language: English, abstract: In this thesis the InAs(111)B surface and III-V semiconductor nanowires are investigated using scanning tunneling ...

Stephan Pröller, 2013

Solid State Physics: Advances in Research and ... - Halaman 59

tal measurements, the major exceptions being the predictions of early theories for the GaSb/AlSb and InAs/AlSb valence-band offsets. Theoretical band offset values for the InAs/GaSb/AlSb material system are summarized in Fig. 18 and Table ...

Gerard Meurant, 1992

Handbook of Crystal Growth: Fundamentals - Halaman 493

Due to the 7% lattice mismatch between InAs and GaAs, many shapes of self-assembled QDs can be fabricated depending on growth orientations. The InAs on the GaAs(001) produces a three-dimensional island shape on the InAs with ...

Tatau Nishinaga, 2014

MOCVD Growth and Electrical Characterisation of InAs ...

It is the aim of this book to contribute towards a better understanding of the fundamental material characteristics and in particular to improve on the current understanding of the growth dynamics of InAs.

Precious Shamba, 2011

Migration from the Russian Empire: June 1889-July 1890 - Halaman 90

3NI3H3S 'QNI)IH3Sia 62 d iNAS iMzzzzyy 3nva39 'zvdos 12 J iNAS iMzzzzaa 3NVH0 '3i3na 22 d iNAS ANZzzzyy vyvs 'AXSN3yiSv fr2 d iNAS ANZZZZdd vNzrwiwa 'vxsMOiawva ZI d iNAS ANZzzzyy 3H3Si3 'NNVWiilNHOS ZZ d iNAS ...

Ira A. Glazier, 1998

Nano-Optoelectronics: Concepts, Physics and Devices - Halaman 102

4.3.1 Overview Extensive studies have been performed investigating the initial stages of InAs growth on GaAs(001) surfaces using RHEED and STM. It is widely accepted that InAs growth on GaAs(001) proceeds in a Stranski-Krastanow (SK) ...

Marius Grundmann, 2002

Semiconductor Nanostructures - Halaman 51

An early study on chemical-beam epitaxy of strained InAs quantum wells in InP matrix indicated the existence of respective growth parameters [31]. Introduction of a growth interruption after InAs deposition and prior to InP cap layer growth was ...

Dieter Bimberg, 2008

Handbook of Lasers - Halaman 240

... 128,129 InSb 5.085-5.28 J p 10 215 Optically Pumped Lase AIGaAs/AlGaAs -0.636 H p 300 77 GaAs 0.83 crystal p 300 HI GaAi 0.8365 crystal p 77 113 GaAs/AlGaAs -12.5 QW p 77 244 GaAs/InAs -0.84-0.86 SCHSSQW p, cw 77 118 GaSb ...

Marvin J. Weber, 2000

Atomistic Aspects of Epitaxial Growth - Halaman 323

Gerard, J.M., Marzin, J.Y., Zimmermann, G., Ponchet, A., Cabrol, O., Barrier, D., Jusserand, B., and Sermage, B. (1996) InAs/GaAs quantum boxes obtained by self-organized growth: Intrinsic electronic properties and applications, Solid St.

Miroslav Kotrla, 2002