Japonca sözlükte "じきていこう‐メモリー" sözcüğünün anlamı

JAPONCA DİLİNDE じきていこう‐メモリー SÖZCÜĞÜNÜN OKUNUŞU

					めもりー
じき	て	いこ	う	‐	メモリー
ziki	te	iko	u		memori-

じきていこう‐メモリー SÖZCÜĞÜ JAPONCA DİLİNDE NE ANLAMA GELİR?

Japonca sözlükte じきていこう‐メモリー sözcüğünün tanımı

Jijiki Hafızası [Magnetoresistive Memory] Manyetizma ile bilgileri depolayan geçici olmayan anılardan biridir. Manyetizasyon yönüne göre elektrik direncini değiştiren magnetoresistif etkisi kullanılır. MRAM (magnetoresistive RAM).

じきていこう‐メモリー【磁気抵抗メモリー】 磁気によって情報を記憶する不揮発性メモリーの一つ。磁化の方向によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用する。MRAM（magnetoresistive RAM）。

じきていこう‐メモリー SÖZCÜĞÜNÜN ÇEVİRİSİ

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• Japonca - Çince Çevirmen: 磁阻内存
• Japonca - İspanyolca Çevirmen: Memoria magneto
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• Japonca - Hintçe Çevirmen: Magnetoresistive स्मृति
• Japonca - Arapça Çevirmen: ذاكرة Magnetoresistive
• Japonca - Rusça Çevirmen: Магниторезистивная памяти
• Japonca - Portekizce Çevirmen: Memória Magnetoresistive
• Japonca - Bengalce Çevirmen: Magnetoresistive মেমরির
• Japonca - Fransızca Çevirmen: Mémoire magnéto-
• Japonca - Malezya Dili Çevirmen: memori magnetoresistive
• Japonca - Almanca Çevirmen: Magnetoresistive Speicher
• Japonca: じきていこう‐メモリー
• Japonca - Korece Çevirmen: 자기 저항 메모리
• Japonca - Cava Dili Çevirmen: memori Magnetoresistive
• Japonca - Vietnamca Çevirmen: Bộ nhớ từ điện
• Japonca - Tamil Çevirmen: magnetoresistive நினைவக
• Japonca - Marathi Çevirmen: Magnetoresistive स्मृती
• Japonca - Türkçe Çevirmen: Magnetoresistive bellek
• Japonca - İtalyanca Çevirmen: Memoria MAGNETORESISTIVO
• Japonca - Lehçe Çevirmen: Pamięć magnetyczny
• Japonca - Ukraynaca Çevirmen: Магніторезистивному пам´яті
• Japonca - Romence Çevirmen: Memorie magneto
• Japonca - Yunanca Çevirmen: Magnetoresistive μνήμη
• Japonca - Afrika Dili Çevirmen: Magnetoresistive geheue
• Japonca - İsveççe Çevirmen: Magnetoresistiva minne
• Japonca - Norveççe Çevirmen: Magnetoresistiv minne

«じきていこう‐メモリー» İLE İLİŞKİLİ JAPONCA KİTAPLAR

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01 の半導体メモリと大きく異なる 1 ^ 10 八 I は強磁性体層を使用したメモリで磁性材料と半導体をミックスしたことが特徴です。 06 八りのキャパシタ ... 動作原理は磁気抵抗効果 155 による抵抗の差異を検出して、メモリセルとしてのデータで"と" " ! "を記録させる ...

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図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:

抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたつの状態を示す現象を利用し、前述の P 円 AM とも似ています。その原理を図表 384 に示しておきます。 MRAM のメモリの原理(図表 3 - 8 - 4 )磁気抵抗( TMR )素子強磁性金属膜仲一(矢印は磁化の方向) '極薄膜絶縁膜 ...

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これで半導体のすべてがわかる!: - 86 ページ

3 崩八 1X655 リ 6 ( X1017 スピン現象磁気抵抗効果( 88 ページ参照)のひとつの現象。图鳩^1680610 「 651511 リ 6 ^611(30^1 1 奪情帮せ赛に!ま、. ^ :や木齊曩さモリがき 1 現状のメモリは、 08 八^ !、 5 [ ^八 V そしてフラッシュが全盛を迎えています。

西久保靖彦, 2007

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 76 ページ

どちらかをそれぞれ" 0 \ 1 "とするわけです。抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたっの状態を示す状態を示す現象を利用するのは前述の? ! ^八^とも似ています。その原理を図表 8 - 29 に示しておきます。 0 众! \ ; 1 のメモリの原理(図表 8 - 29 〕磁気抵抗(丁ロ^ ! ) ...

佐藤淳一, 2011

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磁気 19 叩し。脚ビ(日○ 8 )と○リのィンテグレーシヨン技術の開発仰 19 鉛(米)磁気抵抗幼果を利用する不攫発メモリ(蘭蜻八川)飽 z 遭○はヌ 808 (じ 6 血 0U 欧 U10 じ咽エ 6 咽 6 :ビ二 2.7 )高最近.磁性体のトンネル接合の磁気抵抗幼果を分子の繭熱性を ...

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どちらのメモリも不揮発性で DRAM よりも集積度が高い。これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在のフラッシュメモリを置き換えるかもしれないが、DRAM を置き換えるのはもっと大変だ。

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フラッシュメモリのましたが、これらは電子を蓄えるコンデンサを薄膜卜いはリ 3 巳メモリ)や 30 力 I ドなどが普通になり線状に拡げたものです。近頃は ... 強磁性体と緑性体の組最近では卜ンネル磁気抵抗(丁 2 闩)を利用した層構造の薄膜です。を制御した強 ...

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