ЩО GUNN EFFECT ОЗНАЧАЄ У АНГЛІЙСЬКА?
Діод ганча
Діод Ганна, також відомий як переносний електронний пристрій, є формою діода, напівпровідникового електронного компонента, що використовується в високочастотній електроніці. Найбільше його використовують в електронних генераторах для створення мікрохвиль, у таких додатках, як радіолокаційні пістолети та мікрохвильові передавачі реле. Його внутрішня конструкція, на відміну від інших діодів, полягає в тому, що вона складається тільки з N-легованого напівпровідникового матеріалу, тоді як більшість діодів складається з як P, так і N-легованих областей. У діоді Ганна існують три регіони: два з них сильно N-допінг на кожному терміналі, з тонким шаром легковагового матеріалу посередині. Коли на пристрій подають напругу, електричний градієнт буде найбільшим у тонкому середньому шарі. Проведення буде відбуватися як у будь-якому провідному матеріалі, при цьому струм буде пропорційно застосованій напрузі. Зрештою, при більш високих значень поля проводять властивості середнього шару змінюються, збільшуючи його питомий опір, запобігаючи подальшій провідності, і струм починає падати. Це означає, що діод Ганна має область негативного диференціального опору.
Визначення Gunn effect у англійська словнику
Визначення ефекту Гунна в словнику є явищем, яке спостерігається в деяких напівпровідниках, в яких стійке електричне поле на величині більше, ніж порогове значення, створює електричні коливання з мікрохвильовими частотами.
10 АНГЛІЙСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «GUNN EFFECT»
Дізнайтеся про вживання
Gunn effect з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом
Gunn effect та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в англійська літературі.
1
Microwave Engineering: (as Per UPTU Syllabus)
This effect was named as Gunn effect and devices which rely on Gunn effect are
known as Gunn devices/diodes. Kromer showed that the experimental Gunn
effect (microwave oscillation of current in bulk semiconductor) and transfer-
electron ...
M. L. Sisodia, V. L. Gupta,
2005
2
Electronic characteristics of a quenched mode
Gunn effect ...
The theoretical work is based on a large signal analysis and a computer program is used to simulate the Gunn diode in a resonant circuit to predict the domain dynamics, the i-v characteristics and the overall electrical behavior of a ...
3
GaAs Devices and Circuits
H. Yanai and T. Sujeta, Some features and characteristics of the Gunn effect
digital device, Jpn. IECE Nat. Conv. Rec. No. 717, September 1969. 86. T.
Sugeta, H. Yanai, and K. Sekido. Schottky-gate Gunn effect digital device, Proc.
IEEE 59 ...
4
High Pressure Semiconductor Physics I
through the change in high electric field current—voltage characteristics with
hydrostatic pressure. A much more spectacular demonstration, however. came in
the identification of the source of the transferred electron, or Gunn effect. This
effect ...
5
Nonlinear Wave Methods for Charge Transport
Oshio, K. and Yahata, H. Chaotic current oscillations in the Gunn-effect device
under the dc and rf bias voltages. J. Phys. Soc. Japan, 62, 3639–3650 (1993).
Oshio, K. and Yahata, H. (1995) Non-periodic current oscillations in the Gunn
effect ...
Luis L. Bonilla, Stephen W. Teitsworth,
2009
6
Solid-State Physics: Introduction to the Theory
However, lattice damage may result, see Streetman [6.40, p128ff], but this can
often be re- moved by annealing. 6.3.2 Gunn Effect (EE) The Gunn effect is the
generation of microwave oscillations in a semiconductor like GaAs or ...
James Patterson, Bernard Bailey,
2010
7
Electronic Devices and Circuits
5.9 GUNN DIODE In 1963, Gunn discovered the transferred electron effect which
is now commonly referred to as Gunn effect. This effect is effectively utilised in the
Gunn diode for generation of microwave oscillations. It was the first instance of ...
8
Basic Microwave Techniques and Laboratory Manual
What follows is a brief description of the Gunn effect and the principle of
operation of ( "mini effect oscillators. 5.2 GUNN EFFECT Ridby and Wattkins (
1961) and Hilsum (1962) had predicted the possible occurrence of bulk negative
differential ...
M. L. Sisodia, G. S. Raghuvanshi,
1987
9
The Britannica Guide to Electricity and Magnetism
The high-frequency oscillation of electrical current flowing through certain
semiconducting solids is called the Gunn effect. The effect is used in a solid-state
device, the Gunn diode, to produce short radio waves called microwaves. The
effect ...
10
Semiconductor Research: Experimental Techniques
[16] who found that the Gunn effect disappeared at high pressure as would be
expected if it is due to the transferred electron effect. Careful measurements of
the pressure variation of the threshold field for the Gunn effect were undertaken
and ...
Amalia Patane, Naci Balkan,
2012
НОВИНИ ІЗ ТЕРМІНОМ «GUNN EFFECT»
Дізнайтеся, що обговорювала національна та міжнародна преса, і як термін
Gunn effect вживається в контексті наступних новин.
Retrotechtacular: Radar Jamming
In CW Doppler, you transmit a constant frequency, and in the case of police radar it is most commonly from a gunn effect diode, which is the ... «Hackaday, Квітень 15»
How Tim Gunn Has Kept Project Runway From Having A True …
Call it the Tim Gunn effect or don't, but with all of the infighting, I seriously expected a full-blown, dastardly character this season. I wanted a person to constantly ... «Cinema Blend, Вересень 13»
Racer Ian Gunn, RIP
The Gunn effect, as this became known, led to the Gunn diode, the first cheap source of microwave power that did not require vacuum tubes. «RoadracingWorld.com, Грудень 08»
An organic thyristor
... known as the Gunn effect. The oscillation period of 40 Hz is determined by the switching frequency between the low- and high-current states. «Nature.com, Вересень 05»