10 ЯПОНСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «メモリー‐セル»
Дізнайтеся про вживання
メモリー‐セル з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом
メモリー‐セル та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в японська літературі.
戦時の回想から、仕事、家族、世の移り変わりまで、普遍的なテーマを親しみやすい表現と個性的な切り口で綴ったエッセイ集。
半導体デバイスの中でも半導体メモリーは、携帯電話やデジカメなどの記憶媒体として身近な存在です。さまざまな ... DRAM はメモリーセル(記憶単位)がトランジスターとコンデンサが各 1 個と小さいので、集積度が高くでき、低価格で大容量メモリーがつくれる ...
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図解入門よくわかる最新無線工学の基本と仕組み: - 92 ページ
悪ワ 3 個製ンスムサ埴製芝陳例の一リモメユシッラフ電源を切ってもデータが~~消えない、書き換え可能~ ~〝な半導体メモリ。 ... httD ご/ / jaDan ' Cnet ' c 。 m /サムスン製 m DRAM の仕組み図 3 ' 7 ' 4 は、 DRAM のメモリ一・セルという部分の構造図です。
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図解入門よくわかる最新半導体の基本と仕組み: 半導体/LSIテクノロジー入門
し 31 メモリの基本構造や動作はどうなっているか? ^ 1(^111(0110 メモリセル、ワード線、ビット線、電荷、選択卜ランジスタ、リフレッシュ動作代表的な半導体メモリ(記憶素子)に、 08 八! VI ( : ^门 3 巾^ ^ ! ^ )があります。 0 8 / XIV !のメモリセルは、^ 03 卜 ...
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これで半導体のすべてがわかる!: - 76 ページ
動作メモリセル記憶素子を構成する基本単位。メモリはメモリセルの集合体と考える。ワード線メモリセルブロック(メモリは、ワード行 X ビッ卜列のマ卜リクスからできている)の中からワード行の 1 列を選択するための制御信号線。ビッ卜線メモリセルブロックの中 ...
822 - 1 メモリーアレイ 016010 ひ 3 び 3 ゲメモリ一セルアレイまたは記憶アレイ, ,杞憶セルアレイともよぶ. ,メモリ一セルを产?方向,列方向または行列方向に規則的にお列したメモリ一. 80 \ 1 ,尺八\ 1 などの,半導体メモリ一では,メモリ一セルを行列方向に規則 ...
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エッセンシャル18000メディカル語日本語辞書: Essential 18000 Medical Words ...
メモリは、抗原特異CBまたはT細胞クローンにおいて増加サイズによって与えられるだけでなく、クローン内の個々の細胞の機能を向上させることができます。 10826 メモリセル B細胞リンパ球から産生され、それらは以前に遭遇した抗原、長期的に認識する ...
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Mac Fan 2014年9月号: - 169 ページ
また、SSD にはそれらのフラッシュメモリを制御する「SSDコントローラ」と、データを一時記憶するキャッシュメモリとしてRAM(ランダム ... メモリセルにはフローティングゲートと呼ばれる絶縁膜で囲まれた場所があり、ここに電子が入っている状態と、いない状態とを ...
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Write Great Code〈Vol.1〉 ハードウェアを知り、ソフトウェアを書く:
このことから、フラッシュメモリ方式は、 PDA やデジタルカメラ、 MP3 プレーヤ、ポータブルレコーダといったバッテリ駆動のポータブルデバイスには ... つまり、フラッシュメモリモジュール内にある各メモリセルには、ある一定の回数しか書き込むことができません。
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教えて？わかった！ ディジタル電子回路 - 175 ページ
アドレスの確定で,読み/書き(R/V)信号が入力され,実行条件が成立すれば,メモリデータにアクセスできる. ○ SRAM SRAM1 個のメモリセルを図 10 ・ 6 に示す。同図の FET ○ , Qc は NAND 素子で RS - FF を構成する.アドレス線- -が正論理で「 1 」と 10・6 ...
НОВИНИ ІЗ ТЕРМІНОМ «メモリー‐セル»
Дізнайтеся, що обговорювала національна та міжнародна преса, і як термін
メモリー‐セル вживається в контексті наступних новин.
米Intelと米Micronが新不揮発性メモリー「3D XPoint」を発表、NANDより …
これまでのフラッシュメモリーが、メモリーセルに「電荷」を蓄えることでデータを表していたのに対して、新世代不揮発性メモリーはメモリーセルの「抵抗値」を変えることでデータを表す。その方式としては、「相変化膜」をヒーターによって加熱することで抵抗値を変化 ... «ITpro, Липень 15»
東芝がついに3次元NANDをサンプル出荷、年内量産
サンプル出荷を始めたのは、メモリーセルを48段積層した128Gビット品。2ビット/セル（MLC：multi-level cell）の多値化技術を導入した。128Gビットというメモリー容量は、現行の平面構造のNANDフラッシュメモリーの最大容量に相当。チップ面積は同じメモリー ... «Tech On!, Березень 15»
ルネサス、車載マイコンを狙って200MHzでアクセス可能な28nm …
同社は1年前に、車載マイコンへの搭載を狙って開発した28nmフラッシュメモリーIPについて一度発表している（日経テクノロジーオンライン関連記事）。SG-MONOS（split gate metal-oxide-nitride-oxide-silicon）と呼ぶ独自のメモリーセル構造を持つ、埋め込め ... «Tech On!, Лютий 15»
半導体メモリー、この1年――微細化へ原点回帰、新メモリーは停滞
NANDでは、市場シェア首位の韓国Samsung Electronics社が2013年に3次元NANDの量産を開始（関連記事1）。3次元NANDは、多段積層したメモリーセル（記憶素子）を一括プロセスで形成するという方法で、微細化に頼らずに大容量化と低コスト化を実現 ... «Tech On!, Грудень 14»
32層積層へ進化した「V-NAND」、そのコスト競争力はいかに？
[画像のクリックで拡大表示]. 第2世代のV-NANDでは、第1世代と同様に設計ルールが30～40nmのメモリーセルを積層しているとみられる。設計ルールの値は明らかにしていないが、現行の露光装置の1回露光の解像限界である38nm程度に設定しているようだ ... «Tech On!, Липень 14»
半導体、微細化もう限界 高性能化のカギ握る「３次元」
現在最も微細化が進んでいるICはNANDフラッシュメモリーである。トランジスター1個で構成するメモリーセルの寸法（ハーフピッチ）はわずか16nmという水準である。これ以上に微細化を進めることは、技術的にもコスト的にも難しく、次の世代ではメモリーセルを ... «日本経済新聞, Лютий 14»
NANDフラッシュメモリー
従来のNANDフラッシュメモリーは、電子を蓄積するメモリーセルの寸法を平面（2次元）方向に縮小する方法で、大容量化と低コスト化を進めてきた。現在、メモリーセルの最小加工寸法は16nm世代まで縮小されている。ところがこれ以上微細化しようとすると、 ... «Tech On!, Січень 14»
微細化に頼らずに半導体を進化させる
現在最も微細化が進んでいるICはNANDフラッシュメモリーであり、トランジスタ1個で構成するメモリーセルのハーフピッチはわずか16nmという水準である。これ以上微細化を進めることは技術的にもコスト的にも難しく、次の世代ではメモリーセルを立体的に積層 ... «Tech On!, Січень 14»
サンディスク、1Ynmプロセスフラッシュメモリーのサンプル出荷開始
サンディスクは5月21日（米国現地時間）、1Ynmプロセス技術に基づくフラッシュメモリー製品の顧客向けサンプルの出荷を開始した。 19nm製造技術の第2世代となる1Ynmプロセス技術によって、メモリーセルのサイズを19nm×26nmから、19nm×19.5nm ... «ASCII.jp, Травень 13»
慶應義塾大学
同チームは、今回、１）フラッシュメモリー注２）の寿命を最大１０倍（実験値）に延ばすことができる誤り訂正回路、２）メモリー ... また記憶媒体としてのＳＳＤの大容量化は研究開発上の大きな目的ですが、これを果たすためにメモリーセルの実装密度を高めようと ... «科学技術振興機構, Лютий 12»