ЩО センス‐アンプ ОЗНАЧАЄ У ЯПОНСЬКА?
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Визначення センス‐アンプ у японська словнику
Сенсовий підсилювач "сенсорний підсилювач" Схема, яка підсилює надзвичайно низьку напругу при читанні збережених даних у елементі напівпровідникової пам'яті, такої як комп'ютер. センス‐アンプ 《sense amplifier》コンピューターなどの半導体記憶素子において、記憶されたデータを読み取る際の極めて低い電圧を、増幅させる回路。
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10 ЯПОНСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «センス‐アンプ»
Дізнайтеся про вживання
センス‐アンプ з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом
センス‐アンプ та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в японська літературі.
1
BIOS/UEFI 完全攻略 ［Windows 8/7 対応］ - 320 ページ
FR A S センスアンプ(3) ○ CAS |「士-三日口> 0 ○ -図 16 メモリーの読み出しプロセス CLK 内部クロックコマンドアドレス DQS :出力データ○ロ図 17 DDF2 SDFAM の Row CycleTime ー-タイミングチャー○まず、行方向のアドレスを指定する信号「 RAS ...
2
Denki Tsūshin Kenkyūjo Kenkyū Jitsuyōka Hōkoku [Electrical ...
圓 13 回路-化つク別許 1^1 きい値電圧標準偏差表 2 03 八 3 IX ビット II 八 VI 諸特性語構成基本回路使用素子ゲート長ゲートパターンライン/スペースセル| -ドライパ一トランスファ一負荷ビ'ノト線ブルアヅブセンスアンプアクセス時間消費電力回路 I 回路 II 1 ...
Nihon Denshin Denwa Kōsha. Musashino Denki Tsūshin Kenkyūjo, 1984
3
よくわかる最新電子デバイスの基本と仕組み: 組み込みシステムにおける基本デバイス : ものづくりの精華
プリチャージ電源ラインの電圧はセンスアンプのしきい値電圧に設定する。 9 プリチャージスイッチを〇 FF する。信号線には浮遊容量(寄生容量)と呼ばれるキャパシタが存在するため、内部データ線にプリチャージされた電圧はしばらくの間保持される。
列方向にも信号を増幅して読み出すセンスアンプの前に 8 : 1 のマルチプレクサがあり,データ出力の各ビット(D0, D1, ...)に対して列アドレスに従って 8 組のビット線ペアの中から読み出すビット線ペアを選択する。密度を高めるためメモリセルはできるだけ小さく ...
5
エレクトロニクス重要用語集: 最先端キーワード 1000 - 210 ページ
VI において,センスアンプの差動入力であるビット線対 8 し, ^ 17 がセンスアンプのところで折り返された形にレイアウトされたセルで,ビット線折り返し形セルぼ 013 お 8 ; 1 し; 116 ひのともいわれる.これに対し,図のようにビット線対 8 し, ^ 17 がそれぞれセンス ...
6
情報・通信マイクロコンピュータ辞典 - 206 ページ
後退復旧^ができない場合などに使用される.センス[ 86086 ]信号を検知すること.通常,微小な信号をディジタル的に検知する意味で用いる.センスするための增幅器をセンスアンプ,という.センスアンプ[ 86086 31111)11^161-]微小な信号を検知して増幅する回路.
7
教えて？わかった！ ディジタル電子回路 - 175 ページ
メモリセルレアレイは周辺回路のアドレスバッファ, R / V 制御回路,およびセンスアンプを経由した出力バッファに接続されている.アドレス番地は DRAMI ほど多くなく,そのままメモリセルを要素とするマトリックスの行と列のアドレス指定により,特定のメモリセルが ...
8
Denkigakkai zasshi: The Journal of the Institute of ...
0 乂さらに周辺回路のトランジスタマトリクスとセンスアンプ回路を開発して集積回路化した。このマトリクス回路は非選択状態では電力を消费せず,選护、時には 1115 くらいの遅れ時間で 1 ^ 105 レペルの信号を伝達する特性を持っている。また,センスアンプは ...
9
応用情報技術者スーパー合格本: 共通キャリア・スキルフレームワークレベル3 2009年版
... を基に,行アドレスを指定して 1 行分のデータを一括して行バッフア(センスアンプ)に送り,次に列アドレスを指定して読み出す。口キャッシュメモリメモリへのアクセスを高速化するために, ( ^リとメモリとの間に設置される高速な記憶領域をキャッシュメモリという。
10
The Transactions of the Institute of Electronics and ...
裏 4 1 トランジスク形蘭 05 醸人蘭の不良モ―ト:不良麗敢鞠齷ブロフクモ一ド載豆デークアクトププトパフファ 6 マルチプレクジデークィンブフトノ寒フファ 2 鐚マルチプレクサ 12 センスアンプアドレスバフファ 3 デコ一ダ 16 ワ一ドドライバ 4 クミ一セル用デコー夕- ...
Denshi Tsūshin Gakkai, 1979
НОВИНИ ІЗ ТЕРМІНОМ «センス‐アンプ»
Дізнайтеся, що обговорювала національна та міжнародна преса, і як термін
センス‐アンプ вживається в контексті наступних новин.
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（16）～次世代メモリへの期待
周辺回路のカラム部（ビット線対とセンスアンプ列）が消費電力の約7割、クロック回路が消費電力の約4分の1を占める。両者の合計で動作時消費電力の9割を超える。 周辺回路のカラム部は、待機時でも消費電力の約3分の1を占める。全体の消費電力を低減 ... «EE Times Japan, Червень 15»
Samsung、第2世代の128Gbit 3D NANDフラッシュの技術概要を公表
開発した128Gbitチップでは、シリコンダイ面積を縮小するために、センスアンプやビット線デコーダなどの周辺回路を1カ所にまとめている。このため、周辺回路とワード線との距離のばらつきが大きい。同じ層のワード線でも、センスアンプに近い箇所のワード線と ... «PC Watch, Березень 15»
東芝とSanDiskが75平方mmと小さな64Gbit NANDチップを開発
そこで昇圧回路によって読み出しセンス用の電源電圧を1.8Vから適切な値に上げることで、電圧マージンを維持した。一方、昇圧回路を ... ビット線の電荷を放電するには従来、ビット線の一端にあるセンスアンプから電流として電荷を逃していた。今回のチップ ... «PC Watch, Березень 15»
TI、三相モータを簡単に制御可能な25ドルのローンチパッドを発表
... で、240Wの三相ブラシレスDCモータを使ったモーション制御ソリューションを構築できる。「DRV8301」は、高機能ゲートドライバ、1.5A降圧コンバータ、NexFETパワーMOSFETテクノロジを使用したパワーMOSFET、電流センスアンプを小さな基板実装面積で ... «マイナビニュース, Січень 15»
ルネサス、16nm FinFETを用いたSRAMを開発
そのため、読出し時のセンスアンプマージンが確保できず、デバイスが誤動作する可能性があり、この電流差を十分に考慮したマージン設計を行う必要がある。 ルネサスでは、この電流オフセットを試作したテストチップで実測することで定量的に確認。その上で、 ... «EE Times Japan, Грудень 14»
東芝とSanDiskが128GビットNANDフラッシュを開発、サイズは1セント …
プレーンの下側には、SanDisk独自のメモリアレイ構成「ABL（All Bit Line）」に対応したセンスアンプ回路が組み込まれている。従来はプレーンの両側に分けて配置していたセンスアンプ回路を片側にまとめたことや、チャージポンプ回路を見直したことにより、 ... «EE Times Japan, Лютий 12»
【ISSCC 2011レポート】 低コスト64Gbit大容量NANDフラッシュの実現技術
メモリチップの内部はおおまかには、記憶部であるメモリセルアレイと、機能部(デコーダやセンスアンプなど)であるペリフェラルに分けられる。シリコンダイ面積に占めるメモリセルアレイの比率(セル比率)が高いほど、高密度なメモリだとみなせる。 通常のメモリ ... «PC Watch, Лютий 11»
特許は生むだけでなく、育ててこそ強くなる
その具体例が、通称「2交点、ハーフプリチャージ、CMOSセンスアンプ」特許である。CMOS（complementary metal oxide semiconductor）のDRAM（dynamic random access memory）関連の私の特許網の一つで、大当たりした特許である。 特許網とはある ... «Tech On!, Вересень 10»
低消費電力で高速動作するRRAM素子の集積化を半導体製造プロセス …
チップのサイズはおおよそ5 mm角であり、チップ上に形成されたメモリーアレイに加えて、アドレスデコーダー、イコライザー、センスアンプ、書き込み回路が搭載されている。アドレスデコーダーや書き込み回路を用いて情報の書き込みを行い、センスアンプを用い ... «産業技術総合研究所, Травень 10»
ISSCC 2009レポート
例えばセンスアンプ当たりのビット線数は64Mbitチップでは4本、ビット線当たりのメモリセル数は256個であったのに対し、128Mbitチップではビット線を8本に増やし、ビット線当たりのメモリセル数を128個に減らしている。これでビット線容量が半分に減る。 «PC Watch, Лютий 09»
