ЩО そうご‐コンダクタンス ОЗНАЧАЄ У ЯПОНСЬКА?
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Визначення そうご‐コンダクタンス у японська словнику
Отже провідність 【взаємна провідність】 У схемі підсилювача з використанням транзистора або вакуумної трубки, зміна вихідного струму щодо зміни вхідної напруги у випадку постійної вихідної напруги. Припускаючи, що вхідна напруга є Еі, а вихідний струм становить Io, взаємна провідність виражається як Io / Ei. そうご‐コンダクタンス【相互コンダクタンス】 トランジスターや真空管などを用いた増幅回路において、出力電圧一定の場合の入力電圧の変化に対する出力電流の変化。入力電圧をEi、出力電流をIoとすると、相互コンダクタンスはIo/Eiと表される。
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10 ЯПОНСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «そうご‐コンダクタンス»
Дізнайтеся про вживання
そうご‐コンダクタンス з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом
そうご‐コンダクタンス та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в японська літературі.
1
6日でマスター! 電子回路の基本66: - 64 ページ
ゲート・ソース間電圧の変化量 4 Vos とドレイン電流の変化量 47 の比例係数を「相互コンダクタンス」 y 〔 S 〕(ジーメンス. Q の逆数)と言います。、接合型 IFET の簡易的な等価回路この動きを「等価回路」でモデル化できます。本書は入門書ということで簡単な ...
2
無線教科書 第一級陸上特殊無線技士合格ガイド - 86 ページ
ミ※用語解説相互コンダクタンスゲート電圧を変化させるとドレイン電流が変化し、その度合いを相互コンダクタンスという。相互コンダクタンスが大きいほどゲート電圧によりドレイン電流を大きく変化させられるので、増幅度の指標になる。 MOS 形 FET 回路記号 ...
3
The Transactions of the Institute of Electronics and ...
さらに相当葺い聞波数まで相互コンダクタンスの周波数故存性が無視できることを利用して.ゲートとソース間およびゲートとト 0 レィシ齎のコンダクタンス分ガ霙無視できない周波数まで糖濃価画路定畑定法を咽した. 1.まえがきトランジスタにおける小信号パラメ一 ...
Denshi Tsūshin Gakkai, 1968
4
Denshi kōgaku no kiso - 第 1 巻 - 243 ページ
の重要点は, "良度指数びがで 6 0 ぞ^ V ^ ^ ) " (相互コンダクタンスと入力容量との比,第 5.13 節参照)を最大にすることであって,これは超高周波ひぱァヒおヒ&巧ル 611050 で働かすために必要なことである.表中下方 3 行の真空管は極超高周波(はな!む^化!
5
Denki Tsūshin Gakkai zasshi - 第 49 巻 - 64 ページ
... Na イオンを固定化すること,使用中に外部から Na イオンの入ることを防ぐことが必要で後の 2 つに M しては P を含ませることが ... としての相互コンダクタンスを大きくする点や雑音の点からも甫要でありまた,キャリアの界面における散乱に関してはやはり相互 ...
Denki Tsūshin Gakkai, 1966
そラこさじゆろき【倉庫起重機】仓库起重机そろごきよくかん【双五極管】双五极管そ 5 こクレーン【倉庫 0 " " ! 0 】仓库起重机そうごこうせい【相互.校正】互相梭准そろごコンダクタンス【相互^ 0I1 ( 1I1 ^ * 8 ^ - 006 】互导 1 そろごさよろ【相互作用】相互作用そ 5 ご ...
そうごアドミプタンス相互一ひ「 3115 - 3^1111113000^ ^極^流の正弦波交流分を,制御格子^圧の正弦波^流分で割った商をいう, ... これを格子陽極間相互コンダクタンスといい,さらに一般化して他の任意の一組の電^間でも同様な相互コンダクタンスを定義する ...
26 双安定。。。。。。。。。。。。。。。。。 177 相互コンダクタンス、、、 108 、 144 相互誘導、、、、、、、、、、、、、、、、、。 56 増幅、、、、、、、、、、、、、、、、、、、 ... 153 トランス、、、、、、、、、、、、、、。。 149 トランスコンダクタンス、、、、 144 二次電池、、、、、、、 207.
9
実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 13 ページ
しかし、ゲート酸化膜厚とシリコンゥェーハの不純物濃度は^ 05 トランジスタの基本特性に直接関係する相互コンダクタンスや^ 05 容量に関係してくるために自由に設定することはできません。また、ゲート酸化膜中や界面の電荷は製造プロセスによって決まる ...
10
Journal - 第 82 巻、第 886~890 号 - 150 ページ
... は弟からわかろように,べ一ス附流が一定ならばグリ笛正が正のときに辰大になり,その値は故千マイモ一に迂する。相互コンダクタンスの巾波放特佳故但体の拡放時間から制限され, 3dB 杭少する 600kc で,これはこの末子の勺叶しゃ斯岡破故いたい等しい。
Denki Gakkai (1888), 1962