ЩО トランジスター ОЗНАЧАЄ У ЯПОНСЬКА?
Транзистор
Транзистор (UK: транзистор) - напівпровідниковий пристрій, який виконує операцію підсилення або перемикання, і це є основним елементом сучасної електронної техніки. Це спотворене слово, що поєднує передачу (передачу) та резистор (опір). Існує також теорія про те, що це слово з "перетворювача сигналу через зміну опору". Існує "камінь", як так зване ім'я (це відповідає тому, що вакуумна трубка називається "кулькою"). Наприклад, у транзисторному радіо або т. Ін. Число використовуваних транзисторів підраховується і іноді називається шести кам'яними радіостанціями (радіо, що використовує шість транзисторів). ...
Визначення トランジスター у японська словнику
Транзистор 【транзистор】 Елемент з трьома або більше електродами з використанням напівпровідника, такого як германій · кремній. Вона має такі функції, як підсилення, коливання та модуляція. Він невеликий і легкий, він використовується для комп'ютера і т. Д.
10 ЯПОНСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «トランジスター»
Дізнайтеся про вживання
トランジスター з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом
トランジスター та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в японська літературі.
家庭で、臨場感のある音響とともに高解像度の画面を楽しんだり、地球の反対側の友人と携帯電話機で、遠くは宇宙探査船との通信というように、現代のエレクトロニクスを支え ...
トランジスターにより親しんでもらうための入門書としてまとめられたもの。初版が発行されてから15年以上が経ち、トランジスターの世界もすこし変わった。今回の改定にあた ...
(FET)接合型トランジスターは、通常、半導体表面から深さ方向(縦方向)に電流が流れるような構造になっています(図 2.7 a )。単純化してみると縦方向の一次元構造と考えることができます。一方、半導体表面に縦方向の電界(電気の力)をかけて、半導体の表面 ...
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図解入門よくわかる電気の基本としくみ: 身近な機器から学ぶ電気の基礎
... の大きさで変わる空乏層を利用して、ドレインとソース間の電流を制御します。接合型( ^丁の動作ゲ一卜—ソース間にかける電圧の変化で空乏層の大きさを変え、ドレイン一ソース間の電流を制御する。ドレイン電流 5&漏トランジスターの語源卜ランジスタ一は.
ダイオード・トランジスタを選び回路を構成するために必要な知識・解析方法を、回路図やその検討図、入出力特性および周波数特性などを使って解説。回路シミュレータを使う ...
連合政府情報省の美人スパイ、エイプリル・イーナス。彼女は人死にをださない特殊能力を持つことから女神(ヴィーナス)と呼ばれていた。そんな彼女の今回の任務は、正統政府 ...
国内各半導体メーカが製造・販売しているバイポーラ・トランジスタ製品の規格を一覧表形式に収集・整理したトランジスタ規格表と、JEITA登録製品に対する国内8社の互換品を一 ...
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実験で学ぶトランジスタ・アンプの設計: 1~11石の増幅回路を組み立てながら...
トランジスタによるオーディオ・アンプの設計法について、実際の回路を組み立てて、実験を交えながら解説。最初に製作するのは1石の増幅回路.. ...
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SPICEとデバイス・モデル: IC設計者に必須のバイポーラ・トランジスタの基礎知識
現在のIC回路設計はシミュレーションによって行われており、アナログ回路設計ではほとんどの場合SPICEが使用されている。そこで本書は、SPICEで使用されているトランジスタ・モ ...
ICやLSIの台頭で、トランジスタなどのディスクリート・デバイスは、徐々に使われなくなるといわれながらも、簡単なスイッチング回路、増幅回路、機能回路などの脇役として、 ...
НОВИНИ ІЗ ТЕРМІНОМ «トランジスター»
Дізнайтеся, що обговорювала національна та міжнародна преса, і як термін
トランジスター вживається в контексті наступних новин.
Freescale、250W出力の2.45GHz対応RFパワートランジスター
米Freescale Semiconductor社は、約250Wの連続出力が可能なRFパワートランジスター「MRF7S24250N」を発売した。LDMOS（Laterally Diffused MOS）構造のパワートランジスターで、2.4G〜2.5GHzの周波数帯域に対応する。産業用加熱/乾燥機や溶接 ... «nikkei BPnet, Жовтень 15»
新しいトランジスター技術の実証
従来のトランジスター技術は、その基本限界に急速に近づいており、次世代の高密度低消費電力チップエレクトロニクスでは、二硫化モリブデン（MoS2）などの二次元半導体材料がシリコンの代わりになると考えられている。特に有望なのは、従来型のシリコン ... «Nature Asia, Вересень 15»
Infineon、5Gの無線インフラに向けたGaNパワートランジスター
独Infineon Technologies社は、第5世代（5G）の無線インフラ装置などに向けたGaN（窒化ガリウム）パワートランジスターを開発し、サンプル出荷を開始した。SiC（炭化ケイ素）基板上にGaN素子を成長させたRFパワートランジスターである。HEMT構造を採用 ... «日経テクノロジーオンライン, Вересень 15»
ソニー「トランジスターラジオ ICF-110B」
私の高校進学祝いとして姉が買ってくれたラジオです。一日中ラジオを聴いていました。 当時はFM局がNHK含め2局しかなく、民放でも平日18:30～21:00には通信高校講座を放送していた時代……。なんて言ってもわからないでしょう。 «家電 Watch, Серпень 15»
イギリス人男性、14000個のトランジスターを使ってコンピューターを完全 …
ケンブリッジに住むイギリス人男性、ジェームズ・ニューマン（James Newman）さんが、14,000個のトランジスターと3,500個のLEDを使ってコンピューターを自作してしまったことが、BBCでもニュースとなる程の話題を集めている。 集積回路を使わず、14,000個 ... «Business Newsline, Червень 15»
GaNシステムズがシリーズCの資金調達で2000万米ドルを確保
GaNシステムズの顧客は、当社のGaNトランジスターを採用した多数の消費者・企業向け製品をリリースしているので、今回の資金調達によって、急成長する海外の顧客基盤向けの販売およびマーケティングのサポートを強化し、今後も継続的に製造ラインを拡大 ... «Business Wire, Травень 15»
界面分極ゆらぎの緩和による有機強誘電体トランジスターメモリーの …
有機強誘電体電界効果トランジスター（Fe-OFET）は、不揮発性メモリーデバイス用として関心を集めている。Fe-OFETの重要課題の1つとして、半導体チャネルのキャリア移動度の向上が挙げられる。我々は本論文で、強誘電体ポリマー層と有機半導体層の間に ... «Nature Asia, Січень 15»
極めて低い消費電力で動くトンネル電界効果トランジスターを開発 …
ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業において、東京大学 大学院工学系研究科の高木 信一 教授らは、極低電圧での動作が可能な新しい構造のトンネル電界効果トランジスター注１）を開発しました。 ＩＴ機器の消費エネルギーの増大は、国際的にも重大な課題であり、 ... «科学技術振興機構, Грудень 14»
ガリウムでＣＭＯＳトランジスタ実現 米大学
Geトランジスタは、1947年に世界で初めて作製されたトランジスタでもある。しかし、nチャネルMOSFET（電界効果トランジスタ）の作製が難しく、CMOS型にできなかったことなどから後発のSi（シリコン）トランジスターに取って代わられた経緯がある。 ただしGe ... «日本経済新聞, Грудень 14»
次世代パワーデバイスの理想性能に近づく絶縁膜材料作製手法を開発 …
しかし、理想的な材料であるＳｉＣを用いてパワーデバイスの構成素子であるトランジスターを作成しても、現状では電気抵抗が大きい、動作信頼性が低いなどの課題が生じており、原因であるＳｉＣと、その表面に形成されるゲート絶縁膜注４）材料（二酸化 ... «科学技術振興機構, Липень 14»