10 ЯПОНСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «ドレイン»
Дізнайтеся про вживання
ドレイン з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом
ドレイン та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в японська літературі.
インドネシア人の素顔がみえる!!お国柄がのぞく!!異文化コミュニケーションのための新しいガイドブック。マナーやエチケット、ことばやしぐさのタブーまでわかりやすく紹介 ...
テレビでニュース番組を見るとき、私たちは、カメラやリポーターの視点による印象を受け入れている。一つの問題をあらゆる方向から見ようとするドキュメンタリー番組でさえ ...
動作特性 n チャネル MOS トランジスターのドレイン電流とドレイン電圧の関係を見てみます。ソース電極を接地(アース)して、ドレイン電極をプラスにします。まず、ドレイン電圧を 0 ボルトの状態で、ゲート電圧にプラスの電圧をかけて反転層を作ります。そうすると ...
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実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 13 ページ
この時のキャリアである電子の流れはドレインに電圧を印加してありますので、電界によるドリフトになります。それを横軸にドレイン電圧 V 。、縦軸にドレイン電流 I 。をとって表しますと、図表 6 - 6 の線形領域(リ! ^打! " ^が。! ! )と示したようにドレイン電圧 V 。に ...
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ドラゴンの谷嵐を越えて: Arashi o koete - 60 ページ
Arashi o koete サラマンダ・ドレイク 60 喜ぶにはまだ早過ぎた。がんじょうな網に支えられたバーがゆらゆらと前後にゆれている。ホ—ょろこすつなささ「やった!」ドレインがさけんだ。「いいぞ、いい... ...いや、だめだ!」と、二本ともゆらゆらゆれているが、下に落ちて ...
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高校化学からはじめる半導体 - 168 ページ
ドレイン電圧印加によるチャネルの消滅(ピンチオフ)と電流の飽和 MOS 構造を利用して構成されたトランジスタが図 4 - 19 の MOS 電界効果トランジスタ(MOSFET)です.ここで電界効果とは、前項で説明したように(絶縁膜を介して)半導体中に電界( =バンドの ...
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図解入門よくわかる電気の基本としくみ: 身近な機器から学ぶ電気の基礎
するとゲー卜電極に挾まれたドレインとソース間の電流通路(チャネルつが狭くなり、ドレイン電流が流れにくくなります。逆バイアス電圧を小さくすると空乏層も小さくなつて通路が広くなり、多くの電流が流れるようになりますが、あるレベルに達すると飽和します。
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回路ｼﾐｭﾚｰﾀでｽﾄﾝとわかる!最新ｱﾅﾛｸﾞ電子回路のｷﾎﾝのｷﾎﾝ - 5 ページ
そして N チヤネル型 FET の場合、電子は図 3 - 7 -ー( a )のようにソースからドレインに流れますが電流は電子の流れとは逆向きになりますので、図 3 - 7 - 3 のようにドレインからソースに流れることになります。このドレインからソースに流れる電流をゲート ...
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基本を学ぶ アナログ電子回路: - 9 ページ
図ー~ 9 (a)はゲートーソース間電圧 Ves を変化したときのドレイン-ソース間電圧 VDs に対するドレイン電流 Zp です'また, VDs = Vss - V 縄を境界として,特性が変化しています' VDs 璽 Vgs 一巧〝では,ドレイン電流ルはドレイン-ソース間電圧 VDs によらず一定 ...
Logical Efort の考え方負荷容量を駆動する論理回路のトランジスタサイズを大きくしてやればドレイン電流が増えて速度は速くなる。しかし大きいトランジスタを使った論理回路は入力容量も増えるので,その前の論理回路の負荷容量が増えて前段の速度は遅く ...
НОВИНИ ІЗ ТЕРМІНОМ «ドレイン»
Дізнайтеся, що обговорювала національна та міжнародна преса, і як термін
ドレイン вживається в контексті наступних новин.
世界初、スーパー・ジャンクション型の1500V耐圧パワーMOSFETを発表
STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、システムの電力効率を最大化すると同時に、堅牢性・安全性を拡張する新しいパワーMOSFETファミリを発表しました。MDmesh(TM) K5は、スーパー・ジャンクション技術のメリットと、1500Vのドレイン・ ... «産経ニュース, Жовтень 15»
NMOSトランジスタのドレイン電流飽和
Ｅ検定で出題される問題例を紹介する本連載の問20は「半導体」の分野から、NMOSトランジスタのドレイン電流飽和の問題である。MOSトランジスタの動作領域には線形領域と飽和領域があり、NMOSトランジスタのドレイン電流飽和は、この飽和領域の動作の ... «日経テクノロジーオンライン, Квітень 15»
Vishay、最大ドレイン電流が200Aと大きい車載機器向け40V耐圧パワー …
米Vishay Intertechnology社は、連続時の最大ドレイン電流が200Aと大きい車載機器向け40V耐圧パワーMOSFET「SQJQ402E」を発売した。nチャネル品。パッケージは、外形寸法が8mm×8mm×1.8mmのPowerPAK 8x8Lである。既存のD2PAK封止品 ... «Tech On!, Квітень 15»
トイレの床掃除が楽になる？―座ってしたくない男性の味方「メインドレイン」
メインドレイン」を開発したのは、米国の Daniel Garvin さん一家。Garvin さんは、家庭に設置されている便器が男性の小用に向いていない点に着目。便器に簡易的な小便器を取り付けて、男性用に改良すれば良いと考え「メインドレイン」開発に取り組みました。 «えんウチ, Лютий 15»
多結晶ゲルマニウムトランジスタの性能を大幅に向上
無接合型のN型トランジスタは、チャネルとソース・ドレイン部をすべてN型とする必要がある。ところが、多結晶Geは通常はP型であるので、今回、多結晶Ge層を、品質を保ちながらN型化するために、結晶化のための第一のFLA法による熱処理後に、N型不純物（ ... «産業技術総合研究所, Грудень 14»
超低電圧で動作するトンネルトランジスタの高性能化と長寿命を実証
図2の長期寿命評価は、ゲートに電圧を加え、さらに、動作状態を想定しドレインに電圧を0.5 V加えた状態で加速試験を行っている。MOSFETとトンネルFETの長期寿命に及ぼす影響をまとめたものを図3に示す。まず、MOSFETの場合、主にソースからの電子 ... «産業技術総合研究所, Грудень 14»
iOS 7.1.2でバッテリーが減りやすくなっている場合の対処法
iOS 7.1.2にアップデートしてからバッテリーが減りやすい！そんなお悩みをお持ちの方は、この方法で解決できるかもしれません。 Appleサポートコミュニティにて、バッテリードレイン状態から抜け出す方法が掲載され、解決したとの声が上がっています。 «かみあぷ速報, Серпень 14»
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Intelの「Broadwell」を支える強力な …
一例を挙げると、3Dトランジスタでは、フィン型のソース-チャネル-ドレインの高さを制御することが難しい(特にバルク上のFinFETは難しい)。Intelは22nmプロセスではフィンの高さは34nmだったのを、14nmプロセスでは42nmと23%も高くした。そのため、個々 ... «PC Watch, Серпень 14»
アンガラ1.2PPロケット、再び発射台へ 7月9日に打ち上げ再挑戦
一方、ロシアのインタファクス通信は、第1段酸化剤タンクのドレイン・バルブが開放状態のままであったことが原因であったと報じた。アンガラの酸化剤である液体酸素は、タンクに充填するそばから気化してしまうため、そのままではタンクが破裂してしまう。 «sorae.jp, Липень 14»
みんなはどう？ ｢iOS 7.0.6｣の一部のiPhoneでバッテリードレインが発生 …
すんごい減るみたい。海外のニュースブログ「OS X Daily」によると、先日アップデートされた｢iOS 7.0.6｣をインストールした一部のユーザーから、バッテリーの減りが異常に早くなるという問題が報告されているようです。 症状としては、トップ画像のように残量20％ ... «ギズモード・ジャパン, Лютий 14»
