Значення "저마늄다이오드" у корейська словнику

ВИМОВА 저마늄다이오드 У КОРЕЙСЬКА

저	마	늄	다	이	오	드
jeo	ma	nyum	da	i	o	deu

ЩО 저마늄다이오드 ОЗНАЧАЄ У КОРЕЙСЬКА?

Визначення 저마늄다이오드 у корейська словнику

Германій діоди Це був напівпровідниковий діод з використанням германію як матеріалу, і це стало ключем до появи різних напівпровідникових приладів, що заміняють електронну трубку, що безпосередньо сприяє винаходу транзистора. Залежно від програми та продуктивності, є точкові контактні діоди, перехресні діоди тощо.

저마늄다이오드 저마늄을 소재로 사용한 반도체 다이오드이며 전자관을 대신하는 각종 반도체 소자 출현의 실마리가 되었고, 특히 트랜지스터의 발명에 직접적으로 기여하였다. 용도 및 성능에 따라 점접촉 다이오드, 접합 다이오드 등이 있다.

ПЕРЕКЛАД 저마늄다이오드

Дізнайтесь, як перекласти 저마늄다이오드 на 25 мов за допомогою нашого корейська багатомовного перекладача.

Переклад слова 저마늄다이오드 з корейська на інші мови, представлений в цьому розділі, було зроблено шляхом автоматичного статистичного перекладу; де основною одиницею перекладу є слово «저마늄다이오드» в корейська.

• Перекладач з корейська на китайська: 锗二极管
• Перекладач з корейська на іспанська: Diodo de germanio
• Перекладач з корейська на англійська: Germanium diode
• Перекладач з корейська на гінді: जर्मेनियम डायोड
• Перекладач з корейська на арабська: الجرمانيوم الصمام الثنائي
• Перекладач з корейська на російська: Германий диод
• Перекладач з корейська на португальська: Diodo de germânio
• Перекладач з корейська на бенгальська: জার্মেনিয়াম ডায়োডের
• Перекладач з корейська на французька: Diode Germanium
• Перекладач з корейська на малайська: diod germanium
• Перекладач з корейська на німецька: Germaniumdiode
• Перекладач з корейська на японська: ゲルマニウムダイオード
• корейська: 저마늄다이오드
• Перекладач з корейська на яванська: germanium diode
• Перекладач з корейська на в’єтнамська: Germanium diode
• Перекладач з корейська на тамільська: ஜெர்மானிய டையோடு
• Перекладач з корейська на маратхі: जर्मेनियम diode
• Перекладач з корейська на турецька: Germanyum diyot
• Перекладач з корейська на італійська: Germanio diodo
• Перекладач з корейська на польська: Dioda German
• Перекладач з корейська на українська: Германій діод
• Перекладач з корейська на румунська: Diode germaniu
• Перекладач з корейська на грецька: Γερμάνιο δίοδος
• Перекладач з корейська на африкаанс: Germanium diode
• Перекладач з корейська на шведська: Germanium diod
• Перекладач з корейська на норвезька: Germanium diode

10 КОРЕЙСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «저마늄다이오드»

Дізнайтеся про вживання 저마늄다이오드 з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом 저마늄다이오드 та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в корейська літературі.

Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices

Using the singlemask lay-out of Figure 8.8, one can obtain a gated diode, using the same gate dielectric as for the fabrication of MOS capacitors present on the same mask. The resulting p–n junctions exhibit good characteristics, as can be ...

Cor Claeys, ‎Eddy Simoen, 2011

Measurement of Weak Radioactivity - 117페이지

intrinsic carrier free region created by depletion of charge carriers when a reverse bias is applied to the diode. The higher the reverse bias is, the thicker the radiation sensitive depletion layer will become. When an energetic particle passes ...

Páll Theodórsson, 1996

DC/AC Circuits and Electronics: Principles & Applications - 125페이지

This barrier voltage and the actual forward bias voltage drop of a diode depend upon the material and construction of the diode. The barrier potential and the actual voltage drop in a live circuit of a germanium diode is about 0.2 Fand a silicon ...

Robert J. Herrick, 2003

Germanium-diode Negative-resistance Oscillators - 6페이지

Frederick Albert Kirsten. PART II : NEGATIVE-RTSTSTANCE PROPERTIES OF GERMANIUM DIODES. A. Electrical characteristics. Germanium diodes, operated in the reverse or back voltage direction possess an electrical characteristic of the ...

Frederick Albert Kirsten, 1952

Silicon Germanium Materials & Devices - A Market & ... - 121페이지

To a large extent the SiGe laser driver market will track that of diode lasers.With reference to the companion report, the market for these devices was worth US$ 5.7 billion in 2001. So from this it is a useful approximation to expect that the ...

R. Szweda, 2002

Improved infrared response technique for detecting defects ... - 4페이지

That the above photovoltage effects are responsible for the diode IRR is supported by the following observations made on germanium diodes [6,9] and confirmed in work with silicon. Firstly, no spectral features that can be linked to impurity or ...

Alvin H. Sher, ‎U.S. Atomic Energy Commission, 1975

BASIC ELECTRONICS: DEVICES, CIRCUITS AND IT FUNDAMENTALS

The reverse-bias saturation current for a p-n junction silicon diode is 2 uA at 300 K. Find its ac resistance at 150 mV forward bias. 17. Calculate the static and dynamic resistance of a p-n junction germanium diode at 27°C for an applied forward ...

SANTIRAM KAL, 2009

Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and ...

Blankenship, J. L. and Borkowski, C. J. IMPROVED TECHNIQUES FOR MAKING P-I-N DIODE DETECTORS. IRE Trans. Nucl. ... A controlled quantity of lithium was diffused through a l- to 2-micron phosphorus-doped layer on the silicon diode.

I. C. Brownridge, 2012

Germanium diodes - 17페이지

GENERAL PROPERTIES OF THE GERMANIUM DIODE, COMPARED WITH THOSE OF THE THERMIONIC DIODE In comparison with the thermionic diode, the germanium diode has the following advantages: 1 . The absence of a filament is ...

Simon Dirk Boon, 1956

Semiconductor Devices & Circuits - 174페이지

For a what voltage, will the reverse current in a p-n junction germanium diode reach 90 percent of its saturation value at room temperature. (Dec-2002) 2.9 1. A p-n junction diode has at a temperature of 125 °C a reverse saturation current of 30 ...

U.A.Bakshi A.P.Godse, 2008