Значення "金属氧化物半导体集成电路" у китайська словнику

ВИМОВА 金属氧化物半导体集成电路 У КИТАЙСЬКА

金	属	氧	化	物	半	导	体	集	成	电	路
	shǔ	yǎng	huà	wù	bàn	dǎo	tǐ	jí	chéng	diàn	lù

ЩО 金属氧化物半导体集成电路 ОЗНАЧАЄ У КИТАЙСЬКА?

Визначення 金属氧化物半导体集成电路 у китайська словнику

Металевий оксидний напівпровідникова інтегральна схема, що називається "інтегрованою схемою". Інтегральна схема, що складається з металевих, оксидних та напівпровідникових транзисторів. Процес простий, вхідний опір високий, інтеграція висока, а споживана потужність низька, але робоча частота низька. В основному використовується для цифрових схем. Існує два види інтегральних мікросхеми p-channel mos та інтегральні мікросхеми n-channel mos. Ці два доповнюють один одного, створюючи додаткову інтегральну схему. Широко використовується.

ПЕРЕКЛАД 金属氧化物半导体集成电路

Дізнайтесь, як перекласти 金属氧化物半导体集成电路 на 25 мов за допомогою нашого китайська багатомовного перекладача.

Переклад слова 金属氧化物半导体集成电路 з китайська на інші мови, представлений в цьому розділі, було зроблено шляхом автоматичного статистичного перекладу; де основною одиницею перекладу є слово «金属氧化物半导体集成电路» в китайська.

• китайська: 金属氧化物半导体集成电路
• Перекладач з китайська на іспанська: Metal oxide semiconductor IC
• Перекладач з китайська на англійська: Metal oxide semiconductor IC
• Перекладач з китайська на гінді: धातु ऑक्साइड सेमीकंडक्टर आईसी
• Перекладач з китайська на арабська: المعادن IC أكسيد أشباه الموصلات
• Перекладач з китайська на російська: Металл оксид-полупроводник СК
• Перекладач з китайська на португальська: IC metal oxide semiconductor
• Перекладач з китайська на бенгальська: মেটাল অক্সাইড অর্ধপরিবাহী ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট
• Перекладач з китайська на французька: Metal Oxide Semiconductor IC
• Перекладач з китайська на малайська: litar logam oksida semikonduktor bersepadu
• Перекладач з китайська на німецька: Metalloxid-Halbleiter- IC
• Перекладач з китайська на японська: 金属酸化物半導体IC
• Перекладач з китайська на корейська: 금속 산화물 반도체 IC
• Перекладач з китайська на яванська: Circuit semikonduktor Metal oxide Integrasi
• Перекладач з китайська на в’єтнамська: Kim loại IC bán dẫn oxit
• Перекладач з китайська на тамільська: உலோக ஆக்சைடு குறைக்கடத்தி ஒருங்கிணைக்கப்பட்ட சுற்று
• Перекладач з китайська на маратхі: मेटल ऑक्साईड सेमीकंडक्टर इंटीग्रेटेड सर्किट
• Перекладач з китайська на турецька: Metal oksit yarı-iletken entegre devre
• Перекладач з китайська на італійська: Metal Oxide Semiconductor IC
• Перекладач з китайська на польська: Tlenek metalu półprzewodników IC
• Перекладач з китайська на українська: Метал оксид - напівпровідник СК
• Перекладач з китайська на румунська: Metal oxide semiconductor IC
• Перекладач з китайська на грецька: Οξείδιο του μετάλλου ημιαγωγού IC
• Перекладач з китайська на африкаанс: Metaaloksied halfgeleier IC
• Перекладач з китайська на шведська: Metal Oxide Semiconductor IC
• Перекладач з китайська на норвезька: Metal Oxide Semiconductor IC

10 КИТАЙСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «金属氧化物半导体集成电路»

Дізнайтеся про вживання 金属氧化物半导体集成电路 з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом 金属氧化物半导体集成电路 та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в китайська літературі.

集成电路设计VHDL教程 - 第 5 页

目前,集成电路的发展规模与技术水平己成为衡量一个国家综合实力的标志。 1 · 1 · 2 集成电路的分类早期生产的集成电路都是双极型的· 1962 年后出现了金属-氧化物-半导体( M ( ) 5 )场效应管组成的 MOS 集成电路。此后·双极型和 MOS 型集成电路 ...

史小波, ‎程梦璋, ‎许会芳, 2005

数字电子电路 - 第 57 页

上述是 CMOS 集成电路的优点, CMOS 集成电路的缺点是速度较慢。通常 CMOS 门电路的平均传输时间砧约为 5Ons ~ llOns ,随电源电压 VDD 的高低而异, VDD 高,砧值小。 2 · 3 · 1MOS 臀结构和开美特性 MOS 管是金属氧化物半导体场效应管的 ...

唐竞新, 2003

微型计算机原理及应用实验指导 - 第 17 页

章 2 第计算机基础知识及微机基本电路实验 2 · 1 逻辑电路的甚本知识集成电路按其集成度可分为小规模集成电路( SSI )、中 ... 晶体管-晶体管逻辑集成电路; ( 2 ) CMOS :互补对称金属氧化物半导体逻辑集成电路; ( 3 ) ECI , :发射集藕合逻辑集成电路。

郑学坚, 2001

逻辑设计与数字系统 - 第 69 页

数字集成电路按其内部有源器件的不同可分为两类:一类为双极型晶体管集成电路;另一类为绝缘栅场效应管集成电路,或称金属-氧化物-半导体( MOS )集成电路。两者相比,前者工作速度快、驱动能力强,但功耗大、集成度低;后者集成度高、功耗低。

刘宝琴, ‎王德生, ‎罗嵘, 2005

电子电路的计算机辅助分析与设计方法 - 第 68 页

3 · 3MOS 场效应晶体管模型 MOS 晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是目前集成电路中最常用的半导体器件。最初集成电路中 MOS 晶体管模型采用一种较为简单的一维近似模型,随着集成电路规模的不断增大和 IC 工艺的迅速发展, MOS ...

王志华, 1996

数字电路逻辑设计 - 第 28 页

上 2 其咆裘理均双极理鼻床电路在双极型集成电路中, ... 发射极辅合逻辑电路 ECL 又称电流开关型逻辑电路 CMI , ,就是一种非饱和型高速数字集成电路。 ... 2 Z Z 2 · 3MOS 宾农门电路 M ( ) S 集成门电路是以金属氧化物半导体场效应管( meIa ...

朱正伟, ‎何宝祥, ‎刘训非, 2006

数字设计基础与应用 - 第 38 页

艾缩写,是由双极型晶体三极管构成的数字集成电路, TTL 电路在 20 世纪 70 年代和 80 年代占据统治地位: ECL ( em ... 是金属-氧化物-半导体场效应晶体管( meta ... 在数字集成电路中, MOS 器件通过隔离的栅极电压控制沟道导电,实现开关功能。

邓元庆, ‎关宇, ‎贾鹏, 2005

电子电路测试与实验 - 第 206 页

概括来说,集成电路按制造工艺,可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和由二者组合而成的混合集成电路。 ... 目前,已经成熟的集成逻辑技术主要有三种, TTL 逻辑(晶体管-晶体管逻辑)、 CMOS 逻辑(互补金属-氧化物-半导体逻辑)和 ECL 逻辑(发射极藕 ...

朱定华, 2004

邮票上的物理学史 - 第 409 页

仍年代初,硅平面型晶体管问世,它作为分立器件和双极型集成电路的基础器件应用最为广阔。场效应晶体管的基本理论是肖克菜于 1952 年提出的, 19 仍年,出现了硅 MOSFET (金属-氧化物-半导体场效应管) ,它作为 MOS 集成电路器件用得也很广泛。

秦克诚, 2005

电子设计从零开始 - 第 10 页

TTL ( Transistor - TransistorLogic ,晶体管-晶体管逻辑电路) :集合了 74 系列 TTL 集成电路。 CMOS ( ComplementaryMetal - Oxide - SemiconductorTransistor ,互补型金属氧化物半导体电路) :集合了 74 和 4000 等系列的 CMOS 集成电路。

杨欣, ‎王玉凤, ‎刘湘黔, 2005