ЩО 栅极 ОЗНАЧАЄ У КИТАЙСЬКА?
Визначення 栅极 у китайська словнику
Електрод воріт Електрод, найближчий до катода в багатополюсній електронній трубці, має форму тонкої дротяної сітки або спіралі і має ефект контролю сили струму пластини, р, щоб змінити продуктивність електронної трубки.
10 КИТАЙСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «栅极»
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栅极 з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом
栅极 та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в китайська літературі.
(一 15V )图 5 - 37 其型的 IGBT 栅极驱动电路( 2 )栅极驱动电压开通时,建议使用一个 15V 士 10 %的正栅极电压。这个值足够令 IGBT 完全饱和导通,并使通态损耗减至最小,同时也限制了短路电流和它所带来的功率应力。在任何情况下,开通时的栅极 ...
7 · 5 · 2 电容的估算 MOS 电路系统的动态响应,如开关速度深受 MOS 元件的寄而连线电容是由 MOS 元件与电阻制造中的金属、多晶硅与扩散逻辑门而盲,输出端的总负载电容为下列电容之和: e 栅极电容:来自其他连接该栅输出的栅极。 e 扩散电容: ...
如果栅极的电位比阴极低许多时,那么带负电的自由电子运动至栅极附近时将易被栅极弹回到阴极附近区域,因为处于负电位的栅极一定要推斥飞来的自由电子的。栅极电位越低(相对于阴极来说),能够通过栅极到达阳极的电子越少,也就是通过管子的 ...
量可节省一半;而且,与通常的双线栅极方式相比,在栅极线节距相同的条件下,像素节距可减小一半。这无疑对提高图像分辨率是有利的。目前,像素节距为 0 ·屹 75 一 0 · 28mm 的 640X480 点的产品正在开发中。 5 · 7 · 2 多矩阵方式如图 5 - 25 所示, ...
当漏极 D 与源极 S 之间加 L 电源电压 VDD ( VD, = VDD )、栅极电压 Vn 为 0 时,漏极 D 与 P 型衬底之间的 PN 结处于截止态,漏极 D 与源极 S 之间没有通路,漏源电流 fDs = 0 , NMOS 管处于"截止"状态。当栅极电压 VG 卜 0 时,靠近栅极的 P 型衬底 ...
栅极的散弹噪声在结型场效应管中有 PN 结存在,栅极的散弹噪声。由流过栅源之间 PN 结的反向电流 I 。产生。的功率谱密度为 S 。(广) = 2gIc (2-115)式中, q 为电子电荷。因为 J 。很小( 10 丁” ~ 10 丁° A ) ,所以的功率谱密度 S 。(广)也很小,一般情况下 ...
(l)UVEPROM 早期 UVEPROM 的基本存储单元采用浮栅雪崩注人型 MOS 臂( f ... FAMOS 管是一个 P 沟道增强型的 MOS 管,但其栅极"浮置"在 S ... 漏极和源极间的高电压去掉以后,由于注人到浮置栅上的电荷没有放电回路,因此能长久保存下来。在栅 ...
适当增加讲区与讲外器件源极的距离,增加横向寄生双极晶体管的基区宽度,从而减小电流增益。电源/地的接触孔应尽可能多地安排在靠近讲的边缘处,并使电源/地接触孔相互对应。 3 ·靖入 ESD 保护电路 M( ) S 电路的输人端多为栅极,当栅极上电压过高 ...
叭 O 匠比 O 二 O 对绝缘栅 FET ,吼 Rp ,是使绝缘层击穿的电压。击穿会造成短路现象,使管子损坏。 4 ·场效应管的测试( 1 )判别 J 旺 T 的电极和沟道类型在 J 旺 T 的栅极 G 与源极 S 、栅极 G 与漏极 D 之间各有一个 PN 结,栅极对源极和漏极呈对称结构 ...
2 ·在[ t , , z , ]期间在 z =叫时刻,栅极电压达到栅极间值电压,器件开始导通。随着栅电压上升·漏极电流砧受转移特性的制约而成比例地上升,而整流管 D 中电流成比例地下降,直到名二 t .时刻,漏极电流达到输出的稳态值,即 iD =砧。在这过程中,只是栅极 ...
НОВИНИ ІЗ ТЕРМІНОМ «栅极»
Дізнайтеся, що обговорювала національна та міжнародна преса, і як термін
栅极 вживається в контексті наступних новин.
东芝推出高侧N-Channel功率MOSFET栅极驱动器，用于汽车应用中的 …
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO: 6502)旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出高侧N-Channel功率MOSFET栅极驱动器，该驱动器配有内置电池反向保护 ... «中华网, Вересень 15»
TI发布半桥栅极驱动器可提升混合动力车中的电源系统性能
日前，德州仪器(TI)宣布推出业界最快的120V汽车用半桥栅极驱动器。该驱动器具备强大的处理功能，可为12V至48V的DC/DC电源提供15ns的传播延迟，并迅速的 ... «电子产品世界, Липень 15»
TI面向可扩展设计推出业内首款具有可调节电流驱动能力的刷式直流 …
日前，德州仪器(TI)宣布推出一款集成式栅极驱动器，该器件提供了可调节的栅极驱动设置，可在更为宽泛的范围内，灵活的驱动外部场效应晶体管(FET)，从而支持多种 ... «电子产品世界, Липень 15»
ADI推出ADuM4135隔离式IGBT栅极
北京2015年5月26日电/美通社/ -- Analog Devices, Inc.(ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出ADuM4135 隔离式IGBT 栅极驱动器，其可提高 ... «集微网, Травень 15»
具可调5V 至10V 栅极驱动的60V 双输出同步降压型控制器在备用模式 …
LTC3892 / LTC3892-1 的可调5V 至10V 栅极驱动器允许使用逻辑或标准电平MOSFET，以最大限度提高效率。该器件以50kHz 至900kHz 的可选固定频率工作，可 ... «电子产品世界, Квітень 15»
实现太阳电池超细栅电极喷印制造
目前，90%以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制造金属栅极。但丝网印刷存在几点不足：一是印刷过程中丝网与基底（硅片）接触，容易造成硅片的破损；二是丝网 ... «人民网, Березень 15»
CISSOID推出高集成的隔离式栅极驱动器HADES
HADES® v2 栅极驱动器包括在隔离式高压半桥中驱动功率开关栅极所需的所有功能。 ... 硅(SiC) 快速开关功率组件的隔离式栅驱动器解决方案，是于2011 年发布的。 «赛迪网, Березень 15»
Diodes全新MOSFET栅极驱动器提升转换效率
Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高 ... «电子产品世界, Січень 15»
深深走入苹果A7：我们来研究晶体管
苹果的A7 处理器不仅在技术上非常先进，同时也是优秀的工程代表。它采用三星28nm 低功耗(LP)、前栅极(Gate First)、高K金属栅极(HKMG)工艺制造，拥有九个铜 ... «驱动之家, Січень 14»
英特尔为什么牛X——后栅极工艺浅谈（二）
很多人知道28nm制程比40纳米先进，耗电更低、发热更少、集成的晶体管更多。更进一步，不少人还知道HKMG（high-k绝缘层+金属栅极）是实现更先进制程的必备 ... «cnBeta, Листопад 13»