在"日语"词典里ていこうへんか‐メモリー}的意思

在日语中ていこうへんか‐メモリー的发音

					めもりー
てい	こう	へん	か	‐	メモリー
tei	kou	hen	ka		memori-

ていこうへんか‐メモリー在日语中的意思是什么？

在日语 词典里ていこうへんか‐メモリー的定义

内存【电阻变化记忆】“电阻记忆”是一种利用电压施加时电阻变化大的效应储存信息的非易失性记忆体。 它具有低功耗和短时间读取数据的优点。 ReRAM中。 RRAM。

ていこうへんか‐メモリー【抵抗変化メモリー】 《resistance RAM》電圧を印加したときに電気抵抗が大きく変化する効果を利用して情報を記憶する不揮発性メモリーの一種。消費電力が小さく、データを読み出す時間が短いという長所がある。ReRAM。RRAM。

ていこうへんか‐メモリー的翻译

通过我们的日语多语言翻译器,找到ていこうへんか‐メモリー的25种语言翻译

该章节所呈现的将ていこうへんか‐メモリー由 日语向其他语言的翻译是通过自动统计翻译获得的；在日语中基本的翻译单位是单词«ていこうへんか‐メモリー»。

• 翻译者日语 - 中文: 我们已经走会改变内存
• 翻译者日语 - 西班牙语: Que vayamos cambiará memoria
• 翻译者日语 - 英语: Have us go will change memory
• 翻译者日语 - 印地语: हमें स्मृति बदल जाएगा जाना है
• 翻译者日语 - 阿拉伯语: وقد نذهب سيغير الذاكرة
• 翻译者日语 - 俄语: У нас идут изменится память
• 翻译者日语 - 葡萄牙语: Nós já ir mudará memória
• 翻译者日语 - 孟加拉语: স্মৃতিতে পরিবর্তন করা যাক
• 翻译者日语 - 法语: Avons- nous aller va changer la mémoire
• 翻译者日语 - 马来语: Mari kita menukar memori
• 翻译者日语 - 德语: Haben uns gehen Speicher ändern
• 日语: ていこうへんか‐メモリー
• 翻译者日语 - 韩语: 가자 변화 메모리
• 翻译者日语 - 印尼爪哇语: Ayo kang ngganti memori
• 翻译者日语 - 越南语: Chúng tôi đã đi sẽ thay đổi bộ nhớ
• 翻译者日语 - 泰米尔语: நினைவகத்தில் அடியோடு மாற்றட்டும்
• 翻译者日语 - 马拉地语: स्मृती बदलू द्या
• 翻译者日语 - 土耳其语: belleğini değiştirelim
• 翻译者日语 - 意大利语: Che andiamo cambierà memoria
• 翻译者日语 - 波兰语: Czy nam iść zmieni pamięć
• 翻译者日语 - 乌克兰语: У нас йдуть зміниться пам´ять
• 翻译者日语 - 罗马尼亚语: Au mergem va schimba de memorie
• 翻译者日语 - 希腊语: Μας έχουν πάει θα αλλάξει μνήμη
• 翻译者日语 - 布尔语(南非荷兰语): Het ons gaan sal geheue verander
• 翻译者日语 - 瑞典语: Har oss gå kommer att ändra minne
• 翻译者日语 - 挪威语: Har oss gå vil endre minnet

与 «ていこうへんか‐メモリー»相关的日语书籍

在以下的参考文献中发现ていこうへんか‐メモリー的用法。与ていこうへんか‐メモリー相关的书籍以及同一来源的简短摘要提供其在 日语文献中的使用情境。

これで半導体のすべてがわかる!: - 89 ページ

などの量産化が進むデイスク製造ェ程での相変化膜の研究進展が後押しをしています。? 6 ム^メモリセルは、相変化膜、抵抗素子とセル選択のトランジスタから成ります。構造は、シリコン基板上にトランジスタを形成し、その上に抵抗素子と相変化膜を形成する ...

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このように、ゼロを基準にして針がどのぐらい振れて変化するかをメモリで読む測定方法を偏位法(へんいほう)といいます。 ... 図 5.11 で可変抵抗 RY 〔Ω〕を変化させて、検流計の針がゼロになるとき、未知抵抗 6 RX 〔Ω〕を、 RZ―― RW RX = RY と求めること ...

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集積回路の種類 CPU:中央処理装置 RAM :読み書きできるメモリ ROM :読み出しメモリ LED :発光ダイオード CCD:電荷結合素子= * *一その他の素子サーミスタ:温度で抵抗値変化バレッタ:温度で抵抗値増加バリスタ:日叩加電圧で抵抗値変化 CdS :光量で ...

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ウ命令のデコードを行うために,メモリから読み出した命令を保持する。エ命令を読み出すために,次の命令が格納された ... ウ抵抗膜に電圧を加え,タッチした部分の抵抗値の変化を捉えて位置を検出する。エマトリックス状に電極スイッチが並んでおり,押された ...

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二次電池は抵抗が大きいため、電流が流れず充電効率が悪い。少しでも日が陰り、太陽電池の電圧が下がると、電池の電圧の方が高くなってほとんど充電しなくなります。天候の変化によって発電量も変化する上、メモリー効果で二次電池の充電容量が減り、 ...

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基本情報技術者スーパー合格本: 共通キャリア・スキルフレームワークレベル2 2012年版

キャッシュメモリ主記憶有無アクセス時間ヒツト率アクセス時間' (ナノ秒) (%) (ナノ秒) A なし一一ー 5 B なし一一 30 C あり 20 60 70 D ありー 0 90 80 ァ A ' B ' c , D イ A , D , B ... ウ抵抗膜に電圧を加え,タッチした部分の抵抗値の変化を捉えて位置を検出する。

三輪幸市, 2011

よくわかる最新電子デバイスの基本と仕組み: 組み込みシステムにおけるCPUと基本デバイス : 組み込みハードウェアの常識

メモリ素子はカルコゲニド化合物と抵抗素子で構成されます。アモルフアス状態と結晶状態の切り替えは印加電圧を加えることで行われます。アモルフアス状態から結晶状態に変化させるためには、一定時間この印加電圧を加えます。これによりカルコゲニド ...

藤広哲也, 2006

図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:

また、 P 円 AM は相変化メモリともいわれており、 P は PhaSe (木目)の略です。例えばカルコゲナイド合金のようにアモルフアス相では高抵抗になり、結晶相では低抵抗になるような材料を用い、このふたつの状態を制御して。とーの双安定なメモリ状態を作る ...

佐藤淳一, 2012

基本情報技術者スーパー合格本過去問題集: - 254 ページ

アイウェ紫外線照射で内容を消去することによって,メモリ部品を再利用することができる。出荷後のブログラムの ... 適切なものはどれか。アタッチすることによって~赤外線ビームが遮られて起こる赤外線反射の変化を捉えて位置を検出する。イタッチパネルの表面に電界が形成され)タッチした部分の表面電荷の変化を捉えて位置を検出する。ウ抵抗 ...

三輪幸市, 2012